检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
GB-T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管
场效应管
小信号短路正向跨导gfs
不测：1.3，1.8，1.9晶体管
GB-T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管
场效应管
开关时间t<Sub>on</Sub>,t<Sub>off</Sub>
不测：1.3，1.8，1.9晶体管
GB-T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管
场效应管
栅-源阈值电压VGS（To）
不测：1.3，1.8，1.9晶体管
GB-T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管
场效应管
栅极泄漏电流
不测：1.3，1.8，1.9晶体管
GB-T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管
场效应管
漏极截止电流I<Sub>DSS</Sub>
不测：1.3，1.8，1.9晶体管
GB-T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管
场效应管
瞬态热阻抗Z<Sub>thJ-C</Sub>和热阻R<Sub>thJ-C</Sub>
不测：1.3，1.8，1.9晶体管 ；只测：冷却法
GB-T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管
场效应管
静态漏源导通电阻r<Sub>DSon</Sub>
不测：1.3，1.8，1.9晶体管
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
传输时间
只测：0μA～200mA；-6V～13.4V；MOS电路
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
保持时间
只测：时间精度不低于600ps
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
写恢复时间
只测：时间精度不低于600ps
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
动态条件下总电源电流
只测：0μA～200mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
地址存取时间
只测：时间精度不低于600ps
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
存取时间
只测：时间精度不低于600ps
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
延迟时间
只测：时间精度不低于600ps；MOS电路
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
建立时间
只测：时间精度不低于600ps
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
最小写脉冲持续时间（脉宽）
只测：时间精度不低于600ps
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
正向锁定的输入电压
只测：-6V～13.4V
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
正向锁定的输入电流
只测：0μA～200mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
正向锁定的输出电压
只测：-6V～13.4V
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
正向锁定的输出电流
只测：0μA～200mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
片选存取时间
只测：时间精度不低于600ps
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
读取时间
只测：时间精度不低于600ps
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
负向锁定的输入电压
只测：-6V～13.4V
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
负向锁定的输入电流
只测：0μA～200mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
负向锁定的输出电压
只测：-6V～13.4V
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
负向锁定的输出电流
只测：0μA～200mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
转换时间
只测：时间精度不低于600ps；MOS电路
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入低电平电流
只测：0μA～200mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入阈值电压
只测：-6V～13.4V
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入高电平电流
只测：0μA～200mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出低电平电压
只测：-6V～13.4V
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出短路电流
只测：0μA～200mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出高电平电压
只测：-6V～13.4V
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出高阻态电流
只测：0μA～200mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
通过时钟线所提供的功率
只测：0μA～200mA；-6V～13.4V
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
锁定态电源电压
只测：-6V～13.4V
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
锁定态电源电流
只测：0μA～200mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
静态条件下的电源电流
只测：0μA～200mA
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
反向击穿电压V<Sub>BR</Sub>
只测：最大电压≤1000V
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
反向电流I<Sub>R</Sub>
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
正向电压V<Sub>F</Sub>
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
热阻（R<Sub>th</Sub>）
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
瞬态热阻抗Z<Sub>th</Sub>（t）
GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
共发射极正向电流传输比HV<Sub>21E</Sub>
GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
发射极-基极击穿电压V<Sub>BREBO</Sub>
GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
发射极-基极截止电流I<Sub>EBO</Sub>
GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
基极-发射极饱和电压 V<Sub>BEsat</Sub>
GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
热阻（R<Sub>th</Sub>）
只测：功率≤600W
GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
集电极-发射极击穿电压
GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>
GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
集电极-基极击穿电压V<Sub>BRCBO</Sub>
GB/T 4587-94 半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
模拟信号开关
导通时间和截止时间
只测：时间精度不低于10ns
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
模拟信号开关
截止态和导通态电流
只测：0μA～1A
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
模拟信号开关
截止态开关隔离
只测：隔离度不超过200dB
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
模拟信号开关
静态导通电阻
只测：测试压降不超过100V
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器
共模抑制比(K<Sub>CMR</Sub>)
只测：范围0～136dB（±6dB）；方法a
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器
开环电压放大倍数(A<Sub>VO</Sub>)
只测：范围0～136dB（±6dB）；方法a
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器
电源电压抑制比(K<Sub>SVR</Sub>)
只测：范围0～136dB（±6dB）；直流测试条件。
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器
电源电流(I<Sub>CC</Sub>)
只测：1μA-100mA。
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器
输入偏置电流(I<Sub>IB</Sub>)
只测：IIB≥20nA；方法a
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器
输入失调电压（V<Sub>IO</Sub>）
只测：VOS≥20μV；方法a
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器
输入失调电流(I<Sub>IO</Sub>)
只测：IIO≥20nA；方法a
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器
输出电压范围(V<Sub>O</Sub>)
只测：0～50V（±0.05%）；方法a
GB/T2423.15-2008 电工电子产品环境试验
电工电子产品、微电子器件、半导体分立器件
恒定加速度试验
只测：98000m/s<Sup>2</Sup> ～294000m/s<Sup>2</Sup>
GB/T2423.2-2008 电工电子产品环境试验第2 部分:试验方法试验B:高温
电工电子产品、微电子器件、半导体分立器件
高温试验
只测：温度：85℃～175℃；尺寸小于长600mm×宽850mm×深800mm
GB/T2423.22-2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化
电工电子产品、微电子器件、半导体分立器件
温度循环试验
只测方法Na，温度：-65℃～175℃；尺寸小于长710mm×宽345mm×深410mm
GB/T29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
关断期间的各时间间隔（Td(on)、Tf、ton））和开通能量Eoff
GB/T29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
开通期间的各时间间隔（Td(on)、Tr、ton）和开通能量E<Sub>on</Sub>
GB/T29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
栅极-发射极漏电流I<Sub>GES</Sub>
GB/T29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
栅极-发射极阈值电压VGE(th)
GB/T29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
栅极电荷Qg
GB/T29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗
GB/T29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
集电极-发射极饱和电压VCEsat
GB/T29332-2012 半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
集电极截止电流I<Sub>CES</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
信噪比SNR
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
双极零点误差E<Sub>BZ</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
双极零点误差温度系数α<Sub>EBZ</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
增益误差E<Sub>G</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
增益误差温度系数α<Sub>EG</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
失调误差E<Sub>O</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
失调误差温度系数α<Sub>EO</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
微分非线性DNL
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
总谐波失真THD
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
无杂散动态范围SFDR
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
模拟输出漏电流 I<Sub>OL</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
满度误差E<Sub>FS</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
满度误差温度系数α<Sub>EFS</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
满度输出电流I<Sub>O</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
数字模拟转换器
积分非线性INL
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
模拟数字转换器
信噪比SNR
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
模拟数字转换器
增益误差E<Sub>G</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
模拟数字转换器
增益误差温度系数α<Sub>EG</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
模拟数字转换器
失调误差E<Sub>O</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
模拟数字转换器
失调误差温度系数α<Sub>EO</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
模拟数字转换器
微分非线性DNL
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
模拟数字转换器
总谐波失真THD
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
模拟数字转换器
无杂散动态范围SFDR
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
模拟数字转换器
满度误差E<Sub>FS</Sub>
GJB 9388-2018 集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
模拟数字转换器
满度误差温度系数α<Sub>EFS</Sub>