检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
CCAR-25-R4 隔热隔音材料燃烧及火焰蔓延特性试验方法
隔音隔热材料
隔热隔音材料耐烧穿试验
CCAR-25-R4 隔热隔音材料燃烧及火焰蔓延特性试验方法
隔音隔热材料
隔音隔热材料燃烧及火焰蔓延特性试验
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
低电平输入电流
只测：（-250～250）mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
电源电流
只测：（-250～250）mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入钳位电压
只测：（-15～15）V
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出低电平电压
只测：（-12～12）V
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出短路电流
只测：（-250～250）mA
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出高电平电压
只测：（-12～12）V
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
高电平输入电流
只测：（-250～250）mA
GB/T 17626.2-2018 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验
机电产品
静电放电敏感度CS112
GB/T 25352-2010 隔热隔音材料耐烧穿试验方法
隔音隔热材料
隔热隔音材料耐烧穿试验
GB/T 25353-2010 隔热隔音材料燃烧及火焰蔓延特性试验方法
隔音隔热材料
隔音隔热材料燃烧及火焰蔓延特性试验
GB/T 36176-2018 真空技术 氦质谱真空检漏方法
灭火器
氦质谱检漏试验
只测：压力真空检漏法，泄露率范围不低于1*10<SUP>-10</SUP>Pa*m<SUP>3</SUP>*s<SUP>-1</SUP>（推车式灭火器瓶除外）
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
反向击穿电压
只测：（0～2000）V
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
反向漏电流
只测：（0～10）mA
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
正向电压
只测：（0～100）V
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
稳压器
电压调整率
只测：（-1～1）V
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
稳压器
电流调整率
只测：（-1～1）V
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
稳压器
纹波抑制比
只测： 20dB～68dB
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
稳压器
输出电压
只测：（-42～42）V
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电子元器件
外观检查
只测：放大倍数（0～20）倍
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电容器
损耗角正切
只测： 0.0001～9.9999
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电容器
漏电流
只测： 10nA～19.9mA
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电容器
电容量
只测： 0.1pF～10mF
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电容器
绝缘电阻
只测： 1×10<Sup>6</Sup>Ω～1.6×10<Sup>13</Sup>Ω
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
二极管
反向漏电流
只测：（0～10）mA
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
二极管
正向电压
只测：（0～100）V
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
二极管
稳压管工作电压
只测：（0～2000）V
GB/T 9251-2022 气瓶水压试验方法
灭火器
水压试验
只测：内测法，25MPa以内水压试验（不含体积变形量测试，推车式灭火器瓶除外）
GB/T12137-2015 气瓶气密性试验方法
灭火器
气密性试验
只测：浸水法，12MPa以内空气压力（推车式灭火器瓶除外）
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器、电压比较器
共模抑制比
只测： 20dB～136dB
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器、电压比较器
开环电压增益
只测： 20dB～136dB
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器、电压比较器
纹波抑制比
只测： 20dB～136dB
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器、电压比较器
输入偏置电流
只测： （-100～100）μA
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器、电压比较器
输入失调电压
只测： （-30～30）mV
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器、电压比较器
输入失调电流
只测： （-100～100）μA
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
运算放大器、电压比较器
输出电压范围
只测： （-42～42）V
GB/T2423.1-2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温
机电产品
低温试验
只测： 温度：-70℃以上 工作容积： 1m<Sup>3</Sup>以下； 温度：-55℃以上 工作容积： 480m<Sup>3</Sup>以下
GB/T2423.2-2008 电工电子产品环境试验第2 部分:试验方法试验B:高温
机电产品
高温试验
只测： 温度： 500℃以下 工作容积： 1m<Sup>3</Sup>以下； 温度：70℃以下 工作容积： 480m<Sup>3</Sup>以下
GB/T2423.27-2020 4.4.2 环境试验 第2部分：试验方法和导则：温度/低气压或温度/湿度/低气压综合试验
机电产品
温度高度试验
只测： 温度：(-70～250)℃ 压力：0.5kPa～常压 工作容积：1m<Sup>3</Sup>以下； 温度：(-55～70)℃ 压力：5.47kPa～54.02kPa 工作容积： 480m<Sup>3</Sup>以下；
GB/T2423.3-2016 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cab：恒定湿热试验
机电产品
湿热试验
只测： 温度：25℃～70℃ 湿度： (30～95)%RH 工作容积： 1m<Sup>3</Sup>以下
GB/T2423.4-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Db：交变湿热(12h+12h循环)
机电产品
湿热试验
只测： 温度：25℃～70℃ 湿度： (30～95)%RH 工作容积： 1m<Sup>3</Sup>以下
GB/T2423.5-2019 环境试验 第2部分：试验方法 试验Ea和导则：冲击
机电产品
冲击试验
只测： 最大加速度：980m/s<SUP>2</SUP> 最大脉冲宽度：18ms 最大速率：3.5m/s
GB/T2693-2001 电子设备用固定电容器总规范
电子元器件
外观检查
仅用于特定客户的特定产品只测：放大倍数（0～20）倍
GB/T2693-2001 电子设备用固定电容器总规范
电容器
损耗角正切
仅用于特定客户的特定产品只测： 0.0001～9.9999
GB/T2693-2001 电子设备用固定电容器总规范
电容器
漏电流
仅用于特定客户的特定产品只测： 10nA～19.9mA
GB/T2693-2001 电子设备用固定电容器总规范
电容器
电容量
仅用于特定客户的特定产品只测： 0.1pF～10mF
GB/T2693-2001 电子设备用固定电容器总规范
电容器
绝缘电阻
仅用于特定客户的特定产品只测： 1×10<Sup>6</Sup>Ω～1.6×10<Sup>13</Sup>Ω
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
栅-源短路时，漏极电流
只测：（0～10）mA
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
栅-源阈值电压
只测：（0～100）V
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
漏-源击穿电压
只测：（0～2000）V
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
漏-源短路时，栅极电流
只测：（0～10）mA
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
漏-源通态电阻
只测：（0～999）kΩ
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
漏极电流
只测：（0～10）mA
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
晶体管
发射极-基极击穿电压
仅用于特定客户的特定产品。只测：（0～2000）V
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
晶体管
发射极-基极截止电流
仅用于特定客户的特定产品只测：（0～10）mA
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
晶体管
基极-发射极饱和电压
仅用于特定客户的特定产品只测：（0～30）V
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
晶体管
放大倍数
仅用于特定客户的特定产品
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-发射极击穿电压
仅用于特定客户的特定产品。只测：（0～2000）V
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-发射极截止电流
仅用于特定客户的特定产品只测：（0～10）mA
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-发射极饱和电压
仅用于特定客户的特定产品只测：（0～100）V
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-基极击穿电压
仅用于特定客户的特定产品。只测：（0～2000）V
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-基极截止电流
仅用于特定客户的特定产品只测：（0～10）mA
GB/T4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
发射极-基极截止电流
只测：（0～10）mA
GB/T4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
基极-发射极饱和电压
只测：（0～30）V
GB/T4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
放大倍数
GB/T4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-发射极截止电流
只测：（0～10）mA
GB/T4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-发射极饱和电压
只测：（0～100）V
GB/T4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-基极截止电流
只测：（0～10）mA
GB/T5729-2003 电子设备用固定电阻器总规范
电子元器件
外观检查
只测：放大倍数（0～20）倍
GB/T5729-2003 电子设备用固定电阻器总规范
电阻器
直流电阻
只测：1mΩ～2MΩ
GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量
机电产品
10kHz ～ 400MHz电缆束传导敏感度CS114
仅用于特定客户的特定产品
GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量
机电产品
10kHz ～10MHz 电源线传导发射CE102
仅用于特定客户的特定产品
GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量
机电产品
10kHz～100MHz电缆和电源线阻尼正弦瞬变传导敏感度CS116
仅用于特定客户的特定产品
GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量
机电产品
10kHz～18GHz电场辐射发射RE102
仅用于特定客户的特定产品
GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量
机电产品
25Hz ～ 10kHz 电源 线传导发射 CE101
仅用于特定客户的特定产品
GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量
机电产品
25Hz ～ 50kHz电源 线传导敏感度CS101
仅用于特定客户的特定产品
GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量
机电产品
25Hz～100kHz电场辐射敏感度RS101
仅用于特定客户的特定产品
GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量
机电产品
25Hz～100kHz磁场辐射发射RE101
仅用于特定客户的特定产品
GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量
机电产品
50Hz ～ 100kHz壳体电流传导敏感度CS109
仅用于特定客户的特定产品
GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量
机电产品
电源线尖峰信号传导敏感度CS106
仅用于特定客户的特定产品
GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量
机电产品
电源线尖峰信号（时域）传导发射CE107
仅用于特定客户的特定产品
GJB 151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量
机电产品
电缆束注入脉冲激励传导敏感度CS115
仅用于特定客户的特定产品
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
10kHz ～10MHz 电源线传导发射CE102
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
10kHz～100MHz电缆和电源线阻尼正弦瞬变传导敏感度CS116
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
10kHz～18GHz电场辐射发射RE102
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
25Hz ～ 10kHz 电源 线传导发射 CE101
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
25Hz ～ 150kHz电源线传导敏感度CS101
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
25Hz ～ 50kHz地线传导敏感度CS102
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
25Hz～100kHz电场辐射敏感度RS101
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
25Hz～100kHz磁场辐射发射RE101
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
4kHz ～ 400MHz电缆束传导敏感度CS114
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
50Hz ～ 100kHz壳体电流传导敏感度CS109
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
电源线尖峰信号传导敏感度CS106
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
电源线尖峰信号（时域）传导发射CE107
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
电缆束注入脉冲激励传导敏感度CS115
GJB 151B-2013 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量
机电产品
静电放电敏感度CS112
GJB 152A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求
机电产品
10kHz ～ 400MHz电缆束传导敏感度CS114
仅用于特定客户的特定产品。
GJB 152A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求
机电产品
10kHz ～10MHz 电源线传导发射CE102
仅用于特定客户的特定产品 。
GJB 152A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求
机电产品
10kHz～100MHz电缆和电源线阻尼正弦瞬变传导敏感度CS116
仅用于特定客户的特定产品。