检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
共发射极正向电流传输比的静态值
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
发射极-基极击穿电压
只测：电压：-2000V～+2000V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
发射极-基极截止电流
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
基极-发射极电压
只测：电压：-2000V～+2000V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
基极-发射极饱和电压
只测：电压：-2000V～+2000V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
开关时间
只测:时间：≤100μs
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
集电极-发射极击穿电压
只测：电压：-2000V～+2000V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
集电极-发射极截止电流
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
集电极-发射极饱和电压
只测：电压：-2000V～+2000V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
集电极-基射极极击穿电压
只测:电压：-2000V～+2000V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
集电极-基极截止电流
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电容器
损耗角正切
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电容器
漏电流
只测：电流：≤20mA
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电容器
电容量
只测：容值：1pF～1000μF
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电容器
等效串联电阻
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电容器
绝缘电阻
只测：绝缘电阻：1MΩ～9000MΩ
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电容器
耐电压
只测：电压：0～15kV
GB/T15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管
晶闸管
反向峰值电流
GB/T15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管
晶闸管
擎住电流
GB/T15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管
晶闸管
断态电流
GB/T15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管
晶闸管
维持电流
GB/T15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管
晶闸管
通态电压
GB/T15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管
晶闸管
门极触发电压
只测：电压：-2000V～+2000V
GB/T15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管
晶闸管
门极触发电流
只测：电流：-200A～+200A
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路COMS电路
传输时间
只测:时间：1ns～10μs
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路COMS电路
功能测试
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路COMS电路
电源电流
只测：电流：-250mA～+250mA
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路COMS电路
输入低电平电流
只测：电流：-50mA～+50mA
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路COMS电路
输入箝位电压
只测：电压：-24V～+24V
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路COMS电路
输入高电平电流
只测：电流：-50mA～+50mA
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路COMS电路
输出低电平电压
只测：电压：-24V～+24V
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路COMS电路
输出短路电流
只测：电流：-1A～+1A
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路COMS电路
输出高电平电压
只测：电压：-24V～+24V
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路COMS电路
输出高阻态时电流
只测：电流：-50mA～+50mA
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路TTL电路
传输时间
只测：时间：1ns～10μs
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路TTL电路
功能测试
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路TTL电路
电源电流
只测：电流：-250mA～+250mA
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路TTL电路
输入低电平电流
只测：电流：-50mA～+50mA
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路TTL电路
输入箝位电压
只测：电压：-24V～+24V
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路TTL电路
输入高电平电流
只测：电流：-50mA～+50mA
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路TTL电路
输出低电平电压
只测：电压：-24V～+24V
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路TTL电路
输出短路电流
只测：电流：-1A～+1A
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路TTL电路
输出高电平电压
只测：电压：-24V～+24V
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
半导体集成电路TTL电路
输出高阻态时电流
只测：电流：-50mA～+50mA
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
半导体集成电路运算（电压）放大器
共模抑制比
只测：≤130dB
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
半导体集成电路运算（电压）放大器
开环电压放大倍数
只测：≤130dB
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
半导体集成电路运算（电压）放大器
电源电压抑制比
只测：≤130dB
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
半导体集成电路运算（电压）放大器
输入偏置电流
只测：电流： -250mA～250mA
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
半导体集成电路运算（电压）放大器
输入失调电压
只测：电压：-200mV～+200mV
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
半导体集成电路运算（电压）放大器
输入失调电流
只测：电流：-20μA～+20μA
GB/T2423.1-2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温
电工电子产品
低温试验
只测：容积≤1m<Sup>3</Sup>；温度：常温~-70℃
GB/T2423.10-2019 环境试验第2部分:试验方法试验Fc:振动(正弦)
电工电子产品
振动试验
只测：频率：(5~2000)Hz；最大推力：50kN；最大位移：90mm;最大加速度：1000m/s²;最大负载500kg
GB/T2423.2-2008 电工电子产品环境试验第2 部分:试验方法试验B:高温
电工电子产品
高温试验
只测：容积≤1m<Sup>3</Sup>；温度：常温~160℃.
GB/T2423.21-2008 电子电工产品环境试验第2部分：试验方法 试验M：低气压
电工电子产品
低气压试验
只测：容积≤0.5m<Sup>3</Sup>；最小气压0.1kPa；
GB/T2423.22-2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化
电工电子产品
温度冲击试验
只测：容积≤0.2m<Sup>3</Sup>；温度：-55℃~125℃；转换时间：t<10s；不测试验Nc：两液槽法温度快速变化试验.
GB/T2423.3-2016 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cab：恒定湿热试验
电工电子产品
湿热试验
只测：容积≤1m<Sup>3</Sup>；湿度：30℃~65℃,20%RH~95%RH
GB/T2423.4-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Db：交变湿热(12h+12h循环)
电工电子产品
湿热试验
只测：容积≤1m<Sup>3</Sup>；湿度：30℃~65℃,20%RH~95%RH
GB/T2423.5-2019 环境试验 第2部分：试验方法 试验Ea和导则：冲击
电工电子产品
冲击试验
只测：最大冲击推力：100kN;最大加速度：6000m/s²,最大位移：50mm ;最大负载500kg
GB/T2423.56-2018 环境试验 第2部分:试验方法试验Fh:宽带随机振动和导则
电工电子产品
振动试验
只测：频率：(5~2000)Hz；最大推力：50kN；最大位移：90mm;最大加速度：1000m/s²;最大负载500kg，只限特定用户特定产品。
GB/T4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
击穿电压
只测：电压：≤2000V
GB/T4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
反向漏电流
只测：电流：-200mA～+200mA
GB/T4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
正向平均电压
GB/T4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
正向电压
GB/T4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
半导体集成电路电压调整器
基准电压
只测：电压：-50V～+50V
GB/T4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
半导体集成电路电压调整器
最小输入输出电压差
只测：电压≤15V
GB/T4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
半导体集成电路电压调整器
电压调整率
只测：-2V～+2V
GB/T4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
半导体集成电路电压调整器
电流调整率
只测：-1.5V～+1.5V
GB/T4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
半导体集成电路电压调整器
电源纹波抑制比
只测：≤100dB
GB/T4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
半导体集成电路电压调整器
输出电压
只测：电压：-50V～+50V
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
开关时间
只测：时间≤100μs
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
栅-源截止电压
只测：电压：-2000V～+2000V
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
栅-源阈值电压
只测：电压：-2000V～+2000V·
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
栅极截止电流或栅极漏泄电流
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
正向跨导
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
漏-源通态电压
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
漏-源通态电阻
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
漏极截止电流
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
漏极电流
GB/T5729-2003 电子设备用固定电阻器总规范
电阻器
电阻值
只测：电阻值：1mΩ～100MΩ
GB/T5729-2003 电子设备用固定电阻器总规范
电阻器
绝缘电阻
只测：绝缘电阻：1MΩ～9000MΩ
GB/T5729-2003 电子设备用固定电阻器总规范
电阻器
耐电压
只测：电压：0～15kV
GB/T6571-1995 半导体分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
二极管
击穿电压
只测：电压：≤2000V
GB/T6571-1995 半导体分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
二极管
正向平均电压
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
半导体集成电路电压比较器
共模抑制比
只测：≤130dB
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
半导体集成电路电压比较器
开环电压增益
只测：≤130dB
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
半导体集成电路电压比较器
电源电压抑制比
只测：≤130dB
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
半导体集成电路电压比较器
输入偏置电流
只测：-64μA～+64μA
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
半导体集成电路电压比较器
输入失调电压
只测：失调电压：-2V～+2V
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
半导体集成电路电压比较器
输入失调电流
只测：-64μA～+64μA
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
半导体集成电路电压比较器
输出低电平电压
只测：电压：-25V～+25V
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
半导体集成电路电压比较器
输出低电平电流
只测：电流：-200mA～+200mA
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
半导体集成电路电压比较器
输出高电平电压
只测：电压：-25V～+25V
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
半导体集成电路电压比较器
输出高电平电流
只测：电流：-200mA～+200mA
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
半导体集成电路电压比较器
静态功耗
只测：≤25W
GJB 1027A-2005 运载器、上面级和航天器试验要求
电工电子产品
热真空试验
只做：容积≤ϕ1020mm×L1200mm；温度：-50℃~120℃；极限真空度：3x10<Sup>-3</Sup>Pa。
GJB 1027A-2020 运载器、上面级和航天器试验要求
电工电子产品
热真空试验
只做：容积≤ϕ1020mm×L1200mm；温度：-50℃~120℃；极限真空度：3x10<Sup>-3</Sup>Pa。
GJB 1037A-2004 单轴摆式伺服线加速度计试验方法
线加速度计
线加速度计标度因数
范围：（9.8~980.67）m/s²；精度等级：0.001级
GJB 1037A-2004 单轴摆式伺服线加速度计试验方法
线加速度计
线加速度计的三阶系数
范围：（9.8~980.67）m/s²；精度等级：0.001级
GJB 1037A-2004 单轴摆式伺服线加速度计试验方法
线加速度计
线加速度计的二阶系数
范围：（9.8~980.67）m/s²；精度等级：0.001级
GJB 1037A-2004 单轴摆式伺服线加速度计试验方法
线加速度计
线加速度计的偏值
范围：（9.8~980.67）m/s²；精度等级：0.001级