检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
AEC-Q200-004 REV A:2000 自恢复保险丝的测量程序
PTC自恢复保险丝
动作时间测试
只测：电压≤30V，电流≤50A
AEC-Q200-004 REV A:2000 自恢复保险丝的测量程序
PTC自恢复保险丝
寿命终止模式验证
只测：电压≤30V，电流≤50A
AEC-Q200-004 REV A:2000 自恢复保险丝的测量程序
PTC自恢复保险丝
快速启动耐力
只测：电压≤30V，电流≤50A
AEC-Q200-004 REV A:2000 自恢复保险丝的测量程序
PTC自恢复保险丝
故障电流耐久性
只测：电压≤30V，电流≤50A
AEC-Q200-004 REV A:2000 自恢复保险丝的测量程序
PTC自恢复保险丝
最大不动作电流（保持电流）测试
只测：电压≤30V，电流≤50A
AEC-Q200-004 REV A:2000 自恢复保险丝的测量程序
PTC自恢复保险丝
电阻测试
AEC-Q200-004 REV A:2000 自恢复保险丝的测量程序
PTC自恢复保险丝
短路失效电流持久性
只测：电压≤30V，电流≤50A
AEC-Q200-REV E:2023 无源器件应力鉴定测试
PTC自恢复保险丝
外观检查
使用租赁设备
AEC-Q200-REV E:2023 无源器件应力鉴定测试
PTC自恢复保险丝
寿命终止模式验证
只测：电压≤30V，电流≤50A
AEC-Q200-REV E:2023 无源器件应力鉴定测试
PTC自恢复保险丝
快速启动耐力
只测：电压≤30V，电流≤50A
AEC-Q200-REV E:2023 无源器件应力鉴定测试
PTC自恢复保险丝
振动
只测：频率范围10Hz～2000Hz，最大试验负载120kg，最大加速度5g
AEC-Q200-REV E:2023 无源器件应力鉴定测试
PTC自恢复保险丝
故障电流耐久性
只测：电压≤30V，电流≤50A
AEC-Q200-REV E:2023 无源器件应力鉴定测试
PTC自恢复保险丝
短路失效电流持久性
只测：电压≤30V，电流≤50A
AEC-Q200-REV-E:2023 无源元件的应力测试验证
PTC自恢复保险丝
物理尺寸
只测：长度≤150mm
GB/T 7153-2002 直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器 第1部分：总规范
PTC自恢复保险丝
动作时间测试
只测：电压≤30V，电流≤50A
GB/T 7153-2002 直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器 第1部分：总规范
PTC自恢复保险丝
外观检查
使用租赁设备
GB/T 7153-2002 直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器 第1部分：总规范
PTC自恢复保险丝
最大不动作电流（保持电流）测试
只测：电压≤30V，电流≤50A
GB/T 7153-2002 直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器 第1部分：总规范
PTC自恢复保险丝
物理尺寸
只测：长度≤150mm
GB/T 7153-2002 直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器 第1部分：总规范
PTC自恢复保险丝
电阻测试
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
半导体器件
栅极漏电流
只测：电流：0µA～8000µA，使用租赁设备
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
半导体器件
栅极阈值电压
只测：电压：0V～20V，使用租赁设备
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
半导体器件
漏-源击穿电压
只测：电压：0.5V～2000V；使用租赁设备
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
半导体器件
漏-源反向电压
只测：电压：0V～20V，使用租赁设备
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
半导体器件
漏-源通态电阻
只测：电阻：0Ω～50Ω，使用租赁设备
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
半导体器件
漏极漏电流
只测：电流：0µA～8000µA，使用租赁设备
JESD210A:2017 雪崩击穿二极管（ABD）瞬态电压抑制器
半导体器件
击穿(雪崩)电压V(BR)
只测：电压：0V～2000V；使用租赁设备
JESD210A:2017 雪崩击穿二极管（ABD）瞬态电压抑制器
半导体器件
待机电流（ID）或阻断漏电流（IIB）
只测：电流：0µA～9999µA；使用租赁设备
JESD22-A101D.01:2021 恒定温湿度偏压寿命试验
半导体器件
稳态温湿度偏置寿命试验
只测：温度：+85℃，湿度：85%RH，电压≤1500V，箱体内部尺寸：600mmx850mmx800mm，使用租赁设备
JESD22-A102E:2015(R2021) 无偏高压加速防潮性
半导体器件
高压蒸煮
只测：温度：+121℃，湿度：100%RH，压力：205kPa，箱体内部尺寸:φ300mmxD340mm，使用租赁设备
JESD22-A103E.01:2021 高温存储寿命测试
半导体器件
高温存储寿命
只测：温度：+55℃~+300℃，箱体内部尺寸：360mm×240mm×330mm；温度：+55℃~+150℃，箱体内部尺寸：400mm×500mm×500mm
JESD22-A108G:2022 高温工作寿命试验
半导体器件
高温反偏
只测：HTRB，温度范围：≤+175℃,电压≤2000V，箱体内部尺寸：600mmx600mmx600mm，使用租赁设备
JESD22-A108G:2022 高温工作寿命试验
半导体器件
高温栅偏
只测：HTGB，温度范围：≤+175℃,电压≤2000V，箱体内部尺寸：600mmx600mmx600mm，使用租赁设备
JESD22-A110E.01:2021 高加速温湿度应力试验
半导体器件
高加速应力试验
只测：温度：+110℃，湿度：85%RH，压力：122kPa；温度：+130℃，湿度：85%RH，压力：230kPa；电压≤80V,箱体内部尺寸：φ340mmx475mm,使用租赁设备
JESD22-A118B.01:2021 加速抗湿-无偏压高加速温湿度应力试验
半导体器件
无偏置高加速应力试验
只测：温度：+110℃，湿度：85%RH，压力：122kPa；温度：+130℃，湿度：85%RH，压力：230kPa；箱体内部尺寸：φ340mmx475mm；使用租赁设备
JESD22-B100B:2003 物理尺寸
PTC自恢复保险丝
物理尺寸
只测：长度≤150mm
JESD22-B100B:2003(R2021) 物理尺寸
半导体器件
物理尺寸
只测：≤200mm
JESD22-B101D:2022 外部目检
半导体器件
外观检查
使用租赁设备
MIL-STD-202-204:2015 电子元件及器件的测试方法204, 高频振动
PTC自恢复保险丝
振动
只测：频率范围10Hz～2000Hz，最大试验负载120kg，最大加速度5g
MIL-STD-750-1B:2022 国防部试验方法标准 半导体器件环境试验方法
半导体器件
高温反偏
只测：温度范围：≤+175℃,电压≤2000V，箱体内部尺寸：600mmx600mmx600mm，使用租赁设备
MIL-STD-750-1B:2022 国防部试验方法标准 半导体器件环境试验方法
半导体器件
高温反偏
只测：温度范围：≤+175℃,电压≤2000V，箱体内部尺寸：600mmx600mmx600mm，使用租赁设备
MIL-STD-883-2:2022 国防部试验方法标准 微电路机械试验方法
PTC自恢复保险丝
外观检查
使用租赁设备