检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法
模拟集成电路
关断时间
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法
模拟集成电路
导通态漏电流
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法
模拟集成电路
导通电阻
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法
模拟集成电路
导通电阻路差
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法
模拟集成电路
开启时间
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法
模拟集成电路
截止态源极漏电流
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法
模拟集成电路
截止态漏极漏电流
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
模拟集成电路
复位电压
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
模拟集成电路
复位电流
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
模拟集成电路
控制端电压
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
模拟集成电路
触发电压
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
模拟集成电路
触发电流
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
模拟集成电路
阈值电压
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
模拟集成电路
阈值电流
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
功能测试
只测电压（-51V～+51V),电流（-500mA～500mA),最大512通道；
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
延迟时间
只测电压（-51V～+51V),电流（-500mA～500mA),最大512通道；
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
转换时间
只测电压（-51V～+51V),电流（-500mA～500mA),最大512通道；
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入低电平电流
只测电压（-51V～+51V),电流（-500mA～500mA),最大512通道；
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入箝位电压
只测电压（-51V～+51V),电流（-500mA～500mA),最大512通道；
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入阈值电压和滞后电压
只测电压（-51V～+51V),电流（-500mA～500mA),最大512通道；
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入高电平电流
只测电压（-51V～+51V),电流（-500mA～500mA),最大512通道；
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出低电平电压
只测电压（-51V～+51V),电流（-500mA～500mA),最大512通道；
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出短路电流
只测电压（-51V～+51V),电流（-500mA～500mA),最大512通道；
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出高电平电压
只测电压（-51V～+51V),电流（-500mA～500mA),最大512通道；
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出高阻态电流
只测电压（-51V～+51V),电流（-500mA～500mA),最大512通道；
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
静态电源电流
只测电压（-51V～+51V),电流（-500mA～500mA),最大512通道；
GB/T 17626.2-2018 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验
专用设备和分系统
静电放电敏感度(CS12/CS112)
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
共模抑制比
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
开环电压增益
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
电源电压抑制比
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
输入偏置电流
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
输入失调电压
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
输入失调电流
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
输出峰峰电压
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
输出电压转换速率
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
电工电子产品及专用设备产品
低温
只测： 温度：-70℃～常温的试验，容积：≤1m³ 温度：-55℃～常温的试验，容积：≤10.0m³
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
电工电子产品及专用设备产品
高温
只测： 常温～+150℃的试验， 容积：≤1.0m³； 常温～+70℃的试验，容积：≤10.0m³
GB/T 2423.27-2020 环境试验 第2部分：试验方法 试验方法和导则：温度/低气压或温度/湿度/低气压综合试验
电工电子产品及专用设备产品
温度-高度
只测： 压力：0.5kPa～常压 温度：-55℃～110 容积：≤1.0m³
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体三极管（双极型晶体管）
共发射极正向电流传输比
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体三极管（双极型晶体管）
发射极-基极击穿电压
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体三极管（双极型晶体管）
发射极-基极截止电流
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体三极管（双极型晶体管）
基极-发射极饱和电压
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体三极管（双极型晶体管）
集电极-发射极截止电流
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体三极管（双极型晶体管）
集电极-发射极维持电压
只测2000V以下
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体三极管（双极型晶体管）
集电极-发射极饱和电压
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体三极管（双极型晶体管）
集电极-基极击穿电压
只测2000V以下
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体三极管（双极型晶体管）
集电极-基极截止电流
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
固定电容器
损耗角正切和等效串联电阻
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
固定电容器
漏电流
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
固定电容器
电容量
只测电容量≤99mF
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
固定电容器
绝缘电阻
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
固定电容器
耐电压
GB/T14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
模拟集成电路
满量程总误差
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
模拟集成电路
输出电压转换速率
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
模拟集成电路
馈通误差
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
光电耦合器（光电子器件）
关断时间
GB/T15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
光电耦合器（光电子器件）
开通时间
GB/T15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
光电耦合器（光电子器件）
电流传输比
GB/T15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
光电耦合器（光电子器件）
输入二极管反向电流
GB/T15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
光电耦合器（光电子器件）
输入二极管正向电压
GB/T15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
光电耦合器（光电子器件）
集电极-发射极暗电流
GB/T15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
光电耦合器（光电子器件）
集电极-发射极饱和电压
GB/T15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
光电耦合器（光电子器件）
集电极-基极暗电流
GB/T2423.10-2019 环境试验第2部分:试验方法试验Fc:振动(正弦)
电工电子产品及专用设备产品
振动
只测： 频率：5Hz～2000Hz； 最大推力：55kN； 最大加速度：600m/s²； 位移（峰-峰值）：60mm
GB/T2423.17-2024 环境试验第2部分：试验方法试验Ka：盐雾
电工电子产品及专用设备产品
盐雾
只测： 容积：≤1m³
GB/T2423.18-2021 环境试验 第2部分：试验方法试验Kb：盐雾，交变（氯化钠溶液）
电工电子产品及专用设备产品
盐雾
只测： 容积：≤1m³
GB/T2423.21-2008 电子电工产品环境试验第2部分：试验方法 试验M：低气压
电工电子产品及专用设备产品
低气压
只测： 容积：≤1.0m³ 压力：常压～0.5kPa
GB/T2423.22-2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化
电工电子产品及专用设备产品
温度变化
只测： 温度变化速率：≤15℃/min（-55℃～+85℃）。 容积：≤1.0m³
GB/T2423.3-2016 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cab：恒定湿热试验
电工电子产品及专用设备产品
湿热
只测： 相对湿度：25%～98%（20℃～+85℃）； 容积：≤1.0m³
GB/T2423.4-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Db：交变湿热(12h+12h循环)
电工电子产品及专用设备产品
湿热
只测： 相对湿度：25%～98%（20℃～+85℃）； 容积：≤1.0m³
GB/T2423.5-2019 环境试验 第2部分：试验方法 试验Ea和导则：冲击
电工电子产品及专用设备产品
冲击
只测： 半正弦波： 最大加速度：300m/s² 脉宽：11ms 后峰锯齿波： 最大加速度：400m/s² 脉宽：11ms
GB/T2423.56-2023 《环境试验第2部分：试验方法试验Fh：宽带随机振动（数字控制）和导则》
电工电子产品及专用设备产品
振动
只测： 频率：5Hz～2000Hz； 最大推力：55kN； 最大加速度：600m/s²； 位移（峰-峰值）：60mm
GB/T4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
整流二极管
击穿电压
只测2000V以下
GB/T4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
整流二极管
反向电流
GB/T4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
整流二极管
正向电压
GB/T4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
模拟集成电路
基准电压
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
模拟集成电路
电压调整率
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
模拟集成电路
电流调整率
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
模拟集成电路
纹波抑制比
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
模拟集成电路
输出短路电流
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
栅极泄漏电流
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
栅源阈值电压
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
正向跨导
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
漏极截止电流
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
静态漏--源通态电阻
GB/T5729-2003 电子设备用固定电阻器总规范
固定电阻器
电阻值
只测1μΩ～50GΩ
GB/T6571-1995 半导体分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
信号（包括开关）和调整二极管
击穿电压
只测2000V以下
GB/T6571-1995 半导体分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
信号（包括开关）和调整二极管
反向电流
GB/T6571-1995 半导体分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
信号（包括开关）和调整二极管
工作电压
GB/T6571-1995 半导体分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
信号（包括开关）和调整二极管
正向电压
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
模拟集成电路
共模抑制比
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
模拟集成电路
开环电压增益
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
模拟集成电路
电源电压抑制比
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
模拟集成电路
电源电流
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
模拟集成电路
输入偏置电流
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
模拟集成电路
输入失调电压
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
模拟集成电路
输入失调电流
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GB/T6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
模拟集成电路
输出峰峰电压
只测电压（-51V～+51V),电流(-3.2A～+16A),最大256通道；
GJB 10171-2021 电源滤波器通用规范
滤波器
介质耐电压
只测： 交流: ≤5kV， 直流: ≤6kV
GJB 10171-2021 电源滤波器通用规范
滤波器
插入损耗
只测：≤300MHz