检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
AEC - Q100-005 - REV-D1-2012 非易失性存储器编程/擦除耐久性， 数据保留和工作寿命测试
电子半导体产品和系统
耐久性和数据保持试验
只测：测试板板子尺寸，长≤600mm，宽≤525mm，温度（-40℃～125℃）
AEC-Q003-Rev-A-2013 集成电路表征指南
电子半导体产品和系统
剪切试验
AEC-Q003-Rev-A-2013 集成电路表征指南
电子半导体产品和系统
物理尺寸
AEC-Q005-REV-A-2010 无铅测试要求
电子半导体产品和系统
锡须观察
AEC-Q100-002-REV-E-2013 人体模型静电放电测试
电子半导体产品和系统
静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM）
AEC-Q100-004-REV-D-2012 集成电路闩锁测试
电子半导体产品和系统
闩锁测试
AEC-Q100-005-2012 非易失性存储器耐久性，数据保留和操作寿命
电子半导体产品和系统
工作寿命试验
只测：测试板板子尺寸，长≤600mm，宽≤525mm，温度（25℃～175℃）
AEC-Q100-010-REV-A-2003 锡球剪切试验
电子半导体产品和系统
剪切试验
AEC-Q100-011-Rev-D-2019 带电装置模型测试
电子半导体产品和系统
静电放电（ESD）敏感度测试 带电装置模型(CDM)
AEC-Q100H-2014 基于集成电路应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
工作寿命试验
只测：测试板板子尺寸，长≤600mm，宽≤525mm，温度（25℃～175℃）
AEC-Q100H-2014 基于集成电路应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
恒定湿热试验
只测：最大体积0.408m³
AEC-Q100H-2014 基于集成电路应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
早期失效筛选
只测：测试板板子尺寸，长≤600mm，宽≤525mm，温度（25℃～175℃）
AEC-Q100H-2014 基于集成电路应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积0.408m³，高温温度:(25℃～150℃)，低温温度:(-65℃～5℃)
AEC-Q100H-2014 基于集成电路应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
温度循环试验
只测：空气介质法，最大体积0.08m³，温度:(-65℃～150℃)，温度转换时间≤3min
AEC-Q100H-2014 基于集成电路应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
预处理试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃);湿度(10%RH～98%RH)；回流焊炉：只测对流回流焊接，温度最高300℃
AEC-Q100H-2014 基于集成电路应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
高加速温湿度应力试验
只测：最大体积0.4m³，温度:(100℃～150℃);湿度(65%RH～100%RH)，压力：122kPa~230kPa
AEC-Q100H-2014 基于集成电路应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
高压蒸煮试验
只测：最大体积0.15m³，温度：121℃;湿度：100%RH；压力：205kpa
AEC-Q101-001-Rev-A-2005 人体模型（HBM）静电放电 （ESD）测试
电子半导体产品和系统
静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM）
AEC-Q101-003 Rev-A-2005 引线键合剪切试验
电子半导体产品和系统
推拉力试验
只做：测试范围: 0～5kg， 设备尺寸(cm)：长30×宽40×高65
AEC-Q101-004-REV-1996 其他测试方法
电子半导体产品和系统
介电完整性
AEC-Q101-004-REV-1996 其他测试方法
电子半导体产品和系统
破坏性物理分析
AEC-Q101-004-REV-1996 其他测试方法
电子半导体产品和系统
雪崩测试
AEC-Q101-005-Rev-A-2019 带电装置模型测试
电子半导体产品和系统
静电放电（ESD）敏感度测试 带电装置模型(CDM)
AEC-Q101-006-REV-2006 12V系统智能功率器件的短路可靠性表征
电子半导体产品和系统
12V系统智能功率器件的短路可靠性表征
AEC-Q101D1-2013 基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
间歇运行寿命试验
只测：测试板尺寸620*260mm，电压小于60V
AEC-Q101D1-2013 基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
预处理试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃);湿度(10%RH～98%RH)；回流焊炉：只测对流回流焊接，温度最高300℃
AEC-Q101D1-2013 基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
高加速温湿度应力试验
只测：最大体积0.4m³，温度:(100℃～150℃);湿度(65%RH～100%RH)，压力：122kPa~230kPa
AEC-Q101D1-2013 基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
高压蒸煮试验
只测：最大体积0.15m³，温度：121℃;湿度：100%RH；压力：205kpa
AEC-Q101D1-2013 基于离散半导体元件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
高温偏压试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃)，电压小于1500V，测试板尺寸：280*600（mm）
AEC-Q103-002-2019 微机电系统(MEMS)压力传感器器件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
工作寿命试验
只测：测试板板子尺寸，长≤600mm，宽≤525mm，温度（25℃～175℃）
AEC-Q103-002-2019 微机电系统(MEMS)压力传感器器件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
恒定湿热试验
只测：最大体积0.408m³
AEC-Q104-2017 基于车用多芯片组件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
工作寿命试验
只测：测试板板子尺寸，长≤600mm，宽≤525mm，温度（25℃～175℃）
AEC-Q104-2017 基于车用多芯片组件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
恒定湿热试验
只测：最大体积0.408m³
AEC-Q104-2017 基于车用多芯片组件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
早期失效筛选
只测：测试板板子尺寸，长≤600mm，宽≤525mm，温度（25℃～175℃）
AEC-Q104-2017 基于车用多芯片组件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积0.408m³，高温温度:(25℃～150℃)，低温温度:(-65℃～5℃)
AEC-Q104-2017 基于车用多芯片组件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
温度循环试验
只测：空气介质法，最大体积0.08m³，温度:(-65℃～150℃)，温度转换时间≤3min
AEC-Q104-2017 基于车用多芯片组件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
预处理试验
只测：最大体积1m³，温度:(-65℃～175℃);湿度(10%RH～98%RH)；回流焊炉：只测对流回流焊接，温度最高300℃
AEC-Q104-2017 基于车用多芯片组件应力测试认证的失效机理
电子半导体产品和系统
高加速温湿度应力试验
只测：最大体积0.4m³，温度:(100℃～150℃);湿度(65%RH～100%RH)，压力：122kPa~230kPa
AEC-Q200-002-REV-B-2010 人体模型 （HBM） 静电放电测试
电子半导体产品和系统
静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM）
AEC-Q200D-2010 无源元件的应力测试验证
电子半导体产品和系统
工作寿命试验
只测：测试板板子尺寸，长≤600mm，宽≤525mm，温度（25℃～175℃）
AEC-Q200D-2010 无源元件的应力测试验证
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积0.408m³，高温温度:(25℃～150℃)，低温温度:(-65℃～5℃)
AEC-Q200D-2010 无源元件的应力测试验证
电子半导体产品和系统
温度循环试验
只测：空气介质法，最大体积0.08m³，温度:(-65℃～150℃)，温度转换时间≤3min
ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2024 静电放电敏感性试验 人体模型 （HBM） 设备级别
电子半导体产品和系统
静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM）
ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2022 静电放电敏感性试验 充电设备模型(CDM)设备水平
电子半导体产品和系统
静电放电（ESD）敏感度测试 带电装置模型(CDM)
EIA/IPC/JEDEC J-STD-002E-2017 元件引线,接线片,端子和电线的可焊性测试
电子半导体产品和系统
可焊性试验
只测：温度25℃～250℃
GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积0.408m³，低温温度:(-65℃～5℃)
GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积0.408m³，低温温度:(-65℃～5℃)
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积0.408m³，高温温度:(25℃～150℃)
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积1m³，高温温度:(25℃～175℃)
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积1m³，高温温度:(25℃～200℃)
GB/T 2423.22-2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化
电子半导体产品和系统
温度循环试验
只测：空气介质法，最大体积0.08m³，温度:(-65℃～175℃)，温度转换时间≤3min
GB/T 2423.22-2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化
电子半导体产品和系统
温度循环试验
只测：空气介质法，最大体积0.08m³，温度:(-65℃～150℃)，温度转换时间≤3min
GB/T 2423.22-2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化
电子半导体产品和系统
温度循环试验
只测：空气介质法，最大体积0.08m³，温度:(-65℃～150℃)，温度转换时间≤3min
GB/T 2423.3-2016 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cab：恒定湿热试验
电子半导体产品和系统
恒定湿热试验
只测：最大体积0.408m³
GB/T 2423.3—2016 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cab：恒定湿热试验
电子半导体产品和系统
恒定湿热试验
只测：最大体积0.408m³
GB/T 2423.3—2016 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cab：恒定湿热试验
电子半导体产品和系统
恒定湿热试验
只测：最大体积0.408m³，温度:（-20℃～150℃）；湿度（25%RH～95%RH）
GB/T 2423.4-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Db：交变湿热（12h+12h 循环）
电子半导体产品和系统
交变湿热试验
只测：最大体积0.408m³，湿度:(60%RH～85%RH)
GB/T 2423.4-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Db：交变湿热（12h+12h 循环）
电子半导体产品和系统
交变湿热试验
只测：最大体积0.408m³，温度:（-20℃～150℃）；湿度（25%RH～95%RH）
GB/T 2423.50—2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cy：恒定湿热主要用于元件的加速试验
电子半导体产品和系统
恒定湿热试验
只测：最大体积0.408m³
GB/T 2423.50—2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cy：恒定湿热主要用于元件的加速试验
电子半导体产品和系统
恒定湿热试验
只测：最大体积0.408m³
GB/T 2423.50—2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cy：恒定湿热主要用于元件的加速试验
电子半导体产品和系统
恒定湿热试验
只测：最大体积0.408m³，温度:（-20℃～150℃）；湿度（25%RH～95%RH）
GB/T 4937.27-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分：静电放电（ESD）敏感度测试-机器模型（MM）
电子半导体产品和系统
静电放电(ESD)敏感度测试机器模型(MM)
GB/T 4937.26-2023 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM）
电子半导体产品和系统
静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM）
GB∕T 4937.03-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第03部分：外部目检
电子半导体产品和系统
外观检查
只测：最大放大150倍
GB∕T 4937.03-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第03部分：外部目检
电子半导体产品和系统
外观检查
只测：最大放大150倍
GB∕T 4937.04-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第04部分：强加速稳态湿热试验(HAST)
电子半导体产品和系统
高加速温湿度应力试验
只测：最大体积0.4m³，温度:(100℃～150℃);湿度(65%RH～100%RH)，压力：122kPa~230kPa
GB∕T 4937.04-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第04部分：强加速稳态湿热试验(HAST)
电子半导体产品和系统
高加速温湿度应力试验
只测：最大体积0.4m³，温度:(100℃～150℃);湿度(65%RH～100%RH)，压力：122kPa~230kPa
GB∕T 4937.13-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾
电子半导体产品和系统
盐雾试验
只测容积小于600mm*450mm*400mm, 温度范围：35℃-47℃
GB∕T 4937.14-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分：引出端强度(引线牢固性)
电子半导体产品和系统
推拉力试验
只做：测试范围: 0～5kg， 设备尺寸(cm)：长30×宽40×高65
GB∕T 4937.15-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热
电子半导体产品和系统
耐焊性试验
只测：温度25℃～250℃
GB∕T 4937.21-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性
电子半导体产品和系统
可焊性试验
只测：温度25℃～250℃
GB∕T 4937.30-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理
电子半导体产品和系统
预处理试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃);湿度(10%RH～98%RH)；回流焊炉：只测对流回流焊接，温度最高300℃
GB∕T 4937.30-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理
电子半导体产品和系统
预处理试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃);湿度(10%RH～98%RH)；回流焊炉：只测对流回流焊接，温度最高300℃
GJB .150. 9A- 2009 军用装备实验室环境试验方法第9部分:湿热试验
电子半导体产品和系统
交变湿热试验
只测：最大体积0.408m³，温度:（-20℃～150℃）；湿度（25%RH～95%RH）
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
X射线检查
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
扫描电子显微镜
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
推拉力试验
只做：测试范围: 0～5kg， 设备尺寸(cm)：长30×宽40×高65
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
推拉力试验
只做：测试范围: 0～5kg， 设备尺寸(cm)：长30×宽40×高65
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
推拉力试验
只做：测试范围: 0～5kg， 设备尺寸(cm)：长30×宽40×高65
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积1m³，高温温度:(25℃～175℃)
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积1m³，高温温度:(25℃～200℃)
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
耐湿试验
只测：最大体积0.408m³，湿度:(60%RH～85%RH)
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
耐湿试验
只测：最大体积0.408m³，温度:（-20℃～150℃）；湿度（25%RH～95%RH）
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
间歇运行寿命试验
只测：测试板尺寸620*260mm，电压小于20V
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
间歇运行寿命试验
只测：测试板尺寸620*260mm，电压小于60V
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
高温偏压试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃)，电压小于2000V，测试板尺寸：280*600（mm）
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
高温偏压试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃)，电压小于2000V，测试板尺寸：280*600（mm）
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
高温偏压试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃)，电压小于2000V，测试板尺寸：280*600（mm）
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
高温偏压试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃)，电压小于2000V，测试板尺寸：280*600（mm）
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
高温偏压试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃)，电压小于2000V，测试板尺寸：280*600（mm）
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
高温偏压试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃)，电压小于2000V，测试板尺寸：280*600（mm）
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
高温偏压试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃)，电压小于2000V，测试板尺寸：280*600（mm）
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子半导体产品和系统
高温偏压试验
只测：最大体积1m³，温度:(25℃～175℃)，电压小于2000V，测试板尺寸：280*600（mm）
GJB 150. 11A- 2009 军用装备实验室环境试验方法第11部分:盐雾试验
电子半导体产品和系统
盐雾试验
只测容积小于600mm*450mm*400mm, 温度范围：35℃-47℃
GJB 150. 3A- 2009 军用装备实验室环境试验方法第3部分:高温试验
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积1m³，高温温度:(25℃～175℃)
GJB 150. 3A- 2009 军用装备实验室环境试验方法第3部分:高温试验
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积1m³，高温温度:(25℃～200℃)
GJB 150. 9A- 2009 军用装备实验室环境试验方法第9部分:湿热试验
电子半导体产品和系统
交变湿热试验
只测：最大体积0.408m³，湿度:(60%RH～85%RH)
GJB 150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方法-第4部分：低温试验
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积0.408m³，低温温度:(-65℃～5℃)
GJB 150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方法-第4部分：低温试验
电子半导体产品和系统
温度储存试验
只测：最大体积0.408m³，低温温度:(-65℃～5℃)
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电子半导体产品和系统
恒定湿热试验
只测：最大体积0.408m³