检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
可焊性
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
外部目检
只测：放大倍率：1x～50x。
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
引出端强度
只测：拉力：1N~40N；引线疲劳：1N~40N；时间：2s~10s
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
无偏高加速应力试验
只测：温度：130℃；相对湿度：85%；工作空间：≤350mm×D450mm
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
有偏高加速应力试验
只测：直流偏置电压范围：1V~42V；温度：130℃；相对湿度：85%；工作空间：≤350mm×D450mm
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
水汽浸渍
只测：温度范围：30℃～85℃；相对湿度范围：60%～85%；工作空间：≤600mm×750mm×500mm
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
温度循环
只测：温度范围：-65℃～175℃；工作空间：≤470mm×650mm×410mm
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
物理尺寸
只测：0mm~120mm
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
耐焊接热
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
间歇寿命
只测：电压范围：5V～100V；电流范围：0.5A～15A；间歇时间范围：60s～300s；工作空间：≤400mm×400mm×200mm
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
高压蒸煮
只测：温度：121℃；相对湿度：100%；工作空间：≤450mm×D550mm
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
高温反偏
只测：温度范围：80℃～175℃；直流偏置电压范围：20V～1000V；工作空间：≤600mm×600mm×600mm
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
高温栅偏
只测：温度范围：80℃～175℃；直流偏置电压范围：20V～1000V；工作空间：≤600mm×600mm×600mm
AEC-Q101-Rev-E-2021 基于失效机理的汽车用半导体分立器件应力试验鉴定
电子元器件
高温高湿反偏
只测：直流偏置电压≤100V；温度：85℃；相对湿度范围：85%；工作空间：≤600mm×750mm×500mm
GB/T 4023-1997 半导体分立器件第2部分：整流二极管
二极管
反向击穿电压
仅限特殊产品检验需求；只测：0V～2000V
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
二极管
反向击穿电压
只测：0V～2000V
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
单片集成电路
基准电压
只测：-20V～20V
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
单片集成电路
备用消耗电流
只测：-20mA～20mA
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
单片集成电路
电压调整率
只测：0V～20V
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
单片集成电路
电流调整率
只测：0V～20V
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
单片集成电路
纹波抑制比
只测：＞20dB
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
场效应管
反向栅源漏电流
只测：0mA～10mA（VGS＜50V）
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
场效应管
栅源阈值电压
只测：0V～20V
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
场效应管
正向栅源漏电流
只测：0mA～10mA（VGS＜50V）
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
场效应管
漏源导通电阻
只测：0Ω～2Ω
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
场效应管
零栅压漏极电流
只测：0mA～10mA（VDS＜2000V）；0A～20A（VDS＜80V）
GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
晶体管
共发射极正向电流传输比
作废标准，仅限特殊产品检验需求；只测：IB≤50A、IC≤200A
GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
晶体管
发射极-基极击穿电压
仅限特殊产品检验需求；只测：0V～2000V
GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
晶体管
发射极-基极截止电流
仅限特殊产品检验需求；只测：0mA～10mA（VR＜2000V）；0A～20A（VR＜80V）
GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
晶体管
基极-发射极饱和电压
仅限特殊产品检验需求；只测：0V～20V
GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-发射极截止电流
仅限特殊产品检验需求；只测：0mA～10mA（Vce＜2000V）；0A～20A（Vce＜80V）
GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-发射极饱和电压
仅限特殊产品检验需求；只测：0V～20V
GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-基极击穿电压
仅限特殊产品检验需求；只测：0V～2000V
GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-基极截止电流
仅限特殊产品检验需求；只测：0mA～10mA（Vce＜2000V）；0A～20A（Vce＜80V）
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
共发射极正向电流传输比
只测：IB≤50A、IC≤200A
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
发射极-基极击穿电压
只测：0V～2000V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
发射极-基极截止电流
只测：0mA～10mA（VR＜2000V）；0A～20A（VR＜80V）
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
基极-发射极饱和电压
只测：0V～20V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-发射极截止电流
只测：0mA～10mA（Vce＜2000V）；0A～20A（Vce＜80V）
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-发射极饱和电压
只测：0V～20V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-基极击穿电压
只测：0V～2000V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
晶体管
集电极-基极截止电流
只测：0mA～10mA（Vce＜2000V）；0A～20A（Vce＜80V）
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
二极管
反向漏电流
只测：0mA～10mA（VR＜2000V）；0A～20A（VR＜80V）
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
二极管
微分电阻
只测：0mΩ～100MΩ
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
二极管
正向电压
只测：0V～20V
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
二极管
调整电压
只测：0V～2000V
GB/T4377-1996 半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理
单片集成电路
基准电压
仅限特殊产品检验需求；只测：-20V～20V
GB/T4377-1996 半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理
单片集成电路
备用消耗电流
仅限特殊产品检验需求；只测：-20mA～20mA
GB/T4377-1996 半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理
单片集成电路
电压调整率
仅限特殊产品检验需求；只测：0V～20V
GB/T4377-1996 半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理
单片集成电路
电流调整率
仅限特殊产品检验需求；只测：0V～20V
GB/T4377-1996 半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理
单片集成电路
纹波抑制比
仅限特殊产品检验需求；只测：＞20dB
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
场效应管
漏源击穿电压
仅限特殊产品检验需求；只测：0V～2000V
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
晶体管
集电极-发射极击穿电压
仅限特殊产品检验需求；只测：0V～2000V
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
电子元器件
外观及机械检验
仅限特殊产品检验需求；只测：放大倍率：1x～50x。
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
电子元器件
密封
仅限特殊产品检验需求；只测：常温；试验条件H1：Φ256mm×h252mm；试验条件C：300mm×1200mm×400mm
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
电子元器件
恒定加速度
仅限特殊产品检验需求；只测：常温；加速度：49000m/s²～294000m/s²；工作空间：300mm×400mm×250mm
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
电子元器件
温度循环
仅限特殊产品检验需求；只测：温度范围：-65℃～175℃；工作空间：≤470mm×650mm×410mm
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
电子元器件
稳态功率老练
仅限特殊产品检验需求；只测：温度范围：常温、50℃~100℃；电压范围：2V~600V；电流范围：0.05A~60A；工作空间：小功率器件800mm×600mm×600mm、大功率器件：1800mm×1200mm×400mm
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
电子元器件
粒子碰撞噪声检测试验
仅限特殊产品检验需求；只测：常温；40Hz～200Hz，196m/s²
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
电子元器件
高温储存
仅限特殊产品检验需求；只测：温度范围：150℃~175℃，工作空间：600mm×650mm×1000mm
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
电子元器件
高温反偏
仅限特殊产品检验需求；只测：温度范围：100℃～150℃；直流偏置电压范围：10V～1000V；工作空间：≤600mm×600mm×600mm
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
场效应管
漏源击穿电压
只测：0V～2000V
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
晶体管
集电极-发射极击穿电压
只测：0V～2000V
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子元器件
外观及机械检验
只测：放大倍率：1x～50x。
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子元器件
密封
只测：常温；试验条件H1：Φ256mm×h252mm；试验条件C：300mm×1200mm×400mm
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子元器件
恒定加速度
只测：常温；加速度：49000m/s²～294000m/s²；工作空间：300mm×400mm×250mm
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子元器件
温度循环
只测：温度范围：-65℃～175℃；工作空间：≤470mm×650mm×410mm
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子元器件
稳态功率老练
只测：温度范围：常温、50℃~100℃；电压范围：2V~600V；电流范围：0.05A~60A；工作空间：小功率器件800mm×600mm×600mm、大功率器件：1800mm×1200mm×400mm
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子元器件
粒子碰撞噪声检测试验
只测：常温；40Hz～200Hz，196m/s²
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子元器件
高温储存
只测：温度范围：150℃~175℃，工作空间：600mm×650mm×1000mm
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子元器件
高温反偏
只测：温度范围：100℃～150℃；直流偏置电压范围：10V～1000V；工作空间：≤600mm×600mm×600mm
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
外观及机械检验
只测：放大倍率：1x～50x。
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
密封
只测：常温；试验条件A1：Φ256mm×h252mm；试验条件C1：300mm×1200mm×400mm
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
恒定加速度
只测：常温；加速度：49000m/s²～294000m/s²；工作空间：300mm×400mm×250mm
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
温度循环
只测：温度范围：-65℃～175℃；工作空间：≤470mm×650mm×410mm
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
稳态功率老练
只测：温度：125℃；电压范围：1V~30V；电流范围：2A~70A；工作空间：1000mm×800mm×800mm
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
粒子碰撞噪声检测试验
只测：常温；40Hz～200Hz，196m/s²
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
高温储存
只测：温度范围：150℃~175℃，工作空间：600mm×650mm×1000mm
JEDEC J-STD-002E-2017 元器件引线、焊端、 焊片、端子和导线的 可焊性测试
电子元器件
可焊性
JESD22-A101D.01-2021 高温高湿寿命试验
电子元器件
高温高湿反偏
只测：两端器件；直流偏置电压≤100V；温度范围：30℃～85℃；相对湿度范围：85%～95%；工作空间：≤600mm×750mm×500mm
JESD22-A102E-2015 无偏置电压高压力蒸煮
电子元器件
高压蒸煮
只测：温度：121℃；相对湿度：100%；工作空间：≤450mm×D550mm
JESD22-A103E.01-2021 高温贮存寿命
电子元器件
高温储存
只测：温度范围：125℃～150℃，工作空间：600mm×650mm×1000mm
JESD22-A104F.01-2023 温度循环
电子元器件
温度循环
只测：温度范围：-55℃～150℃；保持时间：900s；工作空间：≤470mm×650mm×410mm
JESD22-A108G-2022 温度、偏置和工作寿命
电子元器件
高温栅偏
只测：温度范围：80℃～175℃；直流偏置电压范围：20V～1000V；工作空间：≤600mm×600mm×600mm
JESD22-A110E.01-2021 高加速温湿度应力试验(HAST)
电子元器件
有偏高加速应力试验
只测：两端器件；直流偏置电压范围：5V~42V；温度：130℃；相对湿度：85%；工作空间：≤350mm×D450mm
JESD22-A111C-2025 小型表面贴装固态器件全主体焊料浸渍底板贴装能力的评估程序
电子元器件
耐焊接热
JESD22-A113I-2020 非密封表面贴装器件在可靠性测试之前的预处理方法
电子元器件
水汽浸渍
只测：温度：30℃～85℃；相对湿度：85%～95%；工作空间：≤600mm×750mm×500mm
JESD22-A113I-2020 非密封表面贴装器件在可靠性测试之前的预处理方法
电子元器件
温度循环
只测：温度范围：-55℃～150℃；保持时间：900s；工作空间：≤470mm×650mm×410mm
JESD22-A113I-2020 非密封表面贴装器件在可靠性测试之前的预处理方法
电子元器件
高温储存
只测：温度范围：50℃～150℃；工作空间：300mm×400mm×250mm
JESD22-A118B.01-2021 加速防潮-无偏HAST
电子元器件
无偏高加速应力试验
只测：温度：130℃；相对湿度：85%；工作空间：≤350mm×D450mm
JESD22-B100B-2003 物理尺寸
电子元器件
物理尺寸
只测：0mm~120mm
JESD22-B101D-2022 外观检查
电子元器件
外部目检
只测：放大倍率：1x～50x。
JESD22-B106E-2016 耐焊接冲击，适用于通孔安装器件
电子元器件
耐焊接热
MIL-STD-750-1B-2022 半导体器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000至1999
电子元器件
间歇寿命
只测：两端器件；电压：10V～100V；电流；1A～15A；间歇时间：60s～300s；工作空间：≤400mm×400mm×200mm
MIL-STD-750-1B-2022 半导体器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000至1999
电子元器件
高温反偏
只测：温度范围：80℃～175℃；直流偏置电压范围：20V～1000V；工作空间：≤600mm×600mm×600mm
MIL-STD-750-1B-2022 半导体器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000至1999
电子元器件
高温反偏
只测：两端器件；温度：100℃～175℃；直流偏置电压电压：50V～1000V；工作空间：≤600mm×600mm×600mm
MIL-STD-750-2B-2022 半导体器件的机械测试方法 第2部分：测试方法2001至2999
电子元器件
引出端强度
只测：拉力：1N~40N；引线疲劳：1N~40N。