检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
AEC-Q101-Rev-E March 1, 2021 基于失效机理的半导体分立器件的应力测试验证规范（基本文件）
半导体器件
强加速稳态湿热
只测：电压≤1000V；①温度：(130±2)℃，湿度：(85±5)%RH，蒸汽压：230kPa；②温度：(110±2)℃，湿度：(85±5)%RH，蒸汽压：122kPa；容积≤40cm×40cm×40cm
AEC-Q101-Rev-E March 1, 2021 基于失效机理的半导体分立器件的应力测试验证规范（基本文件）
车用分立半导体元器件
无偏置-高加速应力测试
只测：①温度：(130±2)℃，湿度：(85±5)%RH，蒸汽压：230kPa；②温度：(110±2)℃，湿度：(85±5)%RH，蒸汽压：122kPa；容积≤40cm×40cm×40cm
AEC-Q101-Rev-E March 1, 2021 基于失效机理的半导体分立器件的应力测试验证规范（基本文件）
车用分立半导体元器件
温度循环（空气-空气）
只测：温度范围：-65℃～150℃，容积≤65cm×46cm×67cm
AEC-Q101-Rev-E March 1, 2021 基于失效机理的半导体分立器件的应力测试验证规范（基本文件）
车用分立半导体元器件
热阻测试
只测：电流≤1000A，导通电压≤10V
AEC-Q101-Rev-E March 1, 2021 基于失效机理的半导体分立器件的应力测试验证规范（基本文件）
车用分立半导体元器件
间歇工作寿命
只测：单通道加热电流≤40A
AEC-Q101-Rev-E March 1, 2021 基于失效机理的半导体分立器件的应力测试验证规范（基本文件）
车用分立半导体元器件
高加速应力测试
只测：电压≤1000V，①温度：(130±2)℃，湿度：(85±5)%RH，蒸汽压：230kPa；②温度：(110±2)℃，湿度：(85±5)%RH，蒸汽压：122kPa；容积≤40cm×40cm×40cm
AEC-Q101-Rev-E March 1, 2021 基于失效机理的半导体分立器件的应力测试验证规范（基本文件）
车用分立半导体元器件
高温反偏
只测：电压≤2kV，温度≤195℃；容积≤60cm×60cm×60cm
AEC-Q101-Rev-E March 1, 2021 基于失效机理的半导体分立器件的应力测试验证规范（基本文件）
车用分立半导体元器件
高温栅压偏置
只测： 电压≤150V，温度≤195℃；容积≤60cm×60cm×60cm
AEC-Q101-Rev-E March 1, 2021 基于失效机理的半导体分立器件的应力测试验证规范（基本文件）
车用分立半导体元器件
高温高湿反向偏置
只测：电压≤2kV，温度：85±5℃，湿度：85±5%RH；容积≤50cm×73cm×60cm
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QC-02 测定热阻（Rth值）
只测：电流≤1000A，导通电压≤10V，仅限特定客户和特定产品
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QE-01 热冲击试验（TST）
只测：容积≤65cm×46cm×67cm；仅限特定客户和特定产品
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QE-03 宽带随机振动
只测：随机推力；22kN；频率范围；5Hz～2000Hz；最大振动位移；51(mm)P-P；最大加速度：980m/s²，不使用滤波器和减振器;不做电性能测试；台面尺寸：50cm×60cm；仅限特定客户和特定产品
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QE-03 振动（正弦）
只测：正弦推力；22kN；频率范围；5Hz～2000Hz；最大振动位移；51(mm)P-P；最大加速度：980m/s²，不使用滤波器和减振器;不做电性能测试；台面尺寸：50cm×60cm；仅限特定客户和特定产品
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QE-04 机械冲击(MS)
只测： 最大负载不超过50kg，加速度范围≤980m/ s²，冲击时间范围：6ms～18ms;不做电性能测试；台面尺寸：50cm×60cm；仅限特定客户和特定产品
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QL-01 功率循环 (PCsec)
只测： 加热电流≤1000A，电压≤10V；仅限特定客户和特定产品
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QL-02 功率循环 (PCmin)
只测： 加热电流≤1000A，电压≤10V；仅限特定客户和特定产品
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QL-03 高温储存（HTS）
只测：容积≤60cm×60cm×60cm，温度≤195℃；仅限特定客户和特定产品
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QL-04 低温储存（LTS）
只测：容积≤60cm×60cm×60cm，温度：-65℃～-5℃；仅限特定客户和特定产品
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QL-05 高温反向偏压 (HTRB)
只测：电压≤2kV，温度≤195℃，容积≤60cm×60cm×60cm；仅限特定客户和特定产品
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QL-06 高温栅极偏压 (HTGB)
只测： 电压≤150V，温度≤195℃；容积≤60cm×60cm×60cm；仅限特定客户和特定产品
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QL-07 高湿高温反向偏压（H<Sup>3</Sup>TRB）
只测：电压≤2kV，温度：85±5℃，湿度：85±5%RH；容积≤50cm×73cm×60cm；仅限特定客户和特定产品
AQG324:2021 汽车电力电子变换器用功率模块认证
机动车辆功率模块
QM–01模块测试
只测：电压≤2kV，仅限特定客户和特定产品
GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
电工电子产品
低温试验
只测：容积≤65cm×46cm×67cm；温度：-65℃～-5℃
GB/T 2423.10-2019 环境试验 第2部分：试验方法 试验Fc: 振动(正弦)
电工电子产品
振动（正弦）
只测：额定正弦/随机推力：22kN；频率范围；5Hz～2000Hz；最大振动位移；51(mm)P-P；最大加速度：980m/s²，不使用滤波器和减振器;不做电性能测试；台面尺寸：50cm×60cm
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
电工电子产品
高温试验
只测：容积≤60cm×60cm×60cm；温度：+30～195℃
GB/T 2423.22-2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化
电工电子产品
温度变化（空气-空气）
只测：方法Na和Nb，容积≤65cm×46cm×67cm，温度变化范围：-65℃～150℃
GB/T 2423.3-2016 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cab：恒定湿热试验
电工电子产品
恒定湿热
只测：容积≤50cm×73cm×60cm；①温度：30±2℃，湿度：85±3%RH；②温度：30±2℃，湿度：93±3%RH；③温度：40±2℃，湿度：85±3%RH；④温度：40±2℃，湿度：93±3%RH
GB/T 2423.5-2019 环境试验 第2部分:试验方法 试验Ea和导则:冲击
电工电子产品
冲击
只测： 最大负载不超过50kg，加速度范围≤980m/ s²，冲击时间范围：6ms～18ms;不做电性能测试；台面尺寸：50cm×60cm
GB/T 2423.50-2012 环境试验 试验方法 试验Cy 恒定湿热
电工电子产品
恒定湿热
只测：容积≤50cm×73cm×60cm；温度：85±2℃，湿度：85±5%RH
GB/T 2423.56-2023 环境试验 第2部分：试验方法 试验Fh：宽带随机振动和导则
电工电子产品
宽带随机振动
只测：额定正弦/随机推力：22kN；频率范围；5Hz～2000Hz；最大振动位移；51(mm)P-P；最大加速度：980m/s²，不使用滤波器和减振器;不做电性能测试；台面尺寸：50cm×60cm
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
半导体器件
功率循环/间歇工作寿命
只测：① 加热电流≤1000A，电压≤10V；②加热电流≤60A，电压≤40V；
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
半导体器件
结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗
只测：加热电流≤1000A
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
半导体器件
高温栅极偏置（HTGB）
只测： 电压≤150V，温度≤195℃;容积≤60cm×60cm×60cm
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
关断期间的各时间间隔和关断能量
只测：电压≤2000V，电流≤4000A，时间≤10000ns，能量≤1000000uJ
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
反向传输电容
只测：VCE≤1500V，频率＜2MHz
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
开通期间的各时间间隔和开通能量
只测：电压≤2000V，电流≤4000A，时间≤10000ns，能量≤1000000uJ
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
最大反偏安全工作区
只测：电压≤2000V，电流≤4000A
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
最大短路安全工作区1
只测：电压≤2000V，电流≤10000A，短路时间≤30μs
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
最大集电极峰值电流
只测：电流≤2000A
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
最大集电极电流
只测：电流≤2000A
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
栅极内阻
只测：VCE≤1500V，频率＜2MHz
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
栅极漏电流
只测：电压≤40V，电流≤10mA
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
栅极电荷
只测：≤100μC
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
栅极－发射极阈值电压
只测：电流≤400mA，电压≤40V
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
输入电容
只测：VCE≤1500V，频率＜2MHz
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
输出电容
只测：VCE≤1500V，频率＜2MHz
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
集电极-发射极击穿电压
只测： 电压≤2kV
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
集电极截止电流
只测： 电压≤2kV， 电流≤100mA
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
集电极－发射极电压
只测： 电压≤2kV
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
集电极－发射极短路时的栅极－发射极电压
只测： 电压≤2kV
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
集电极－发射极饱和电压
只测：电流≤2000A，电压≤10V
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极晶体管
高温阻断（HTRB）
只测：电压≤2kV，温度≤195℃，容积≤60cm×60cm×60cm
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
整流二极管
正向电压
只测：脉冲法， 电压≤20V
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
整流二极管
热阻与瞬态热阻抗
只测：加热电流≤1000A
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
半导体器件
结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗
只测：加热电流≤1000A
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
栅-源阈值电压
只测：①电流≤400mA，电压≤40V②电流≤2000mA，电压≤10V
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
栅极漏电流
只测：电压≤100V，电流≤10μA
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
场效应晶体管
漏极漏电流
只测：电流≤10mA
GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
发射极电流为零时的集电极-基极击穿电压
只测： 电压≤2kV；仅限特定客户和特定产品
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
发射极-基极截止电流(直流法）
只测：电流≤10mA
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
基极-发射极电压（直流法）
只测： 电压≤2kV
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
基极-发射极饱和电压
只测：脉冲法，电压≤40V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
热阻
只测：加热电流≤1000A，发射极-基极正向电压法
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
集电极-发射极截止电流(直流法)
只测：电流≤10mA，脉冲法
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
集电极-发射极饱和电压
只测：脉冲法，电压≤40V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
双极型晶体管
集电极-基极截止电流(直流法）
只测：电流≤10mA
GB/T 4937.4-2012 半导体器件机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）
半导体器件
强加速稳态湿热
只测：电压≤1000V；①温度：(130±2)℃，湿度：(85±5)%RH，蒸汽压：230kPa；②温度：(110±2)℃，湿度：(85±5)%RH，蒸汽压：122kPa；容积≤40cm×40cm×40cm
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
功率循环/间歇工作寿命
只测： 试验条件C和试验条件D，① 加热电流≤1000A，电压≤10V；②加热电流≤60A，电压≤40V
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
功率循环/间歇工作寿命
只测：① 加热电流≤1000A，电压≤10V；②加热电流≤60A，电压≤40V；
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
反向漏电流
只测： 电压≤2kV，直流法
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
外观及机械检验（外部目检）
只测：物镜放大倍数1～4.5X，被测件尺寸直径≤8cm，高度≤7cm
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
温度循环
只测：条件A、B、F、G，容积≤65cm×46cm×67cm
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
漏一源击穿电压
只测： 电压≤2kV；仅测VBRDSS
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
稳态工作寿命
只测：① 加热电流≤1000A，电压≤10V；②加热电流≤60A，电压≤40V
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
老炼
只测：只做条件A和条件B，电压≤2kV，温度≤195℃；容积≤60cm×60cm×60cm
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
老炼
只测：只做条件A，电压≤2kV，温度≤195℃；容积≤60cm×60cm×60cm
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
集电极-发射极击穿电压
只测： 电压≤2kV；仅测VCES
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
高温寿命（非工作）
只测：容积≤60cm×60cm×60cm；温度≤195℃
GJB 150.3A-2009 军用装备实验室环境试验方法-第3部分：高温试验
电工电子产品
高温试验
只测：容积≤60cm×60cm×60cm；温度：+30～195℃
GJB 150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方法-第4部分：低温试验
电工电子产品
低温试验
只测：容积≤65cm×46cm×67cm；温度：-65℃～-5℃
GJB 150.5A-2009 军用装备实验室环境试验方法 第5部分:温度冲击试验
电工电子产品
温度冲击
只测：容积≤65cm×46cm×67cm，温度变化范围：-65℃～150℃，温度变化速率＜3℃/min
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电工电子产品
温度变化（空气-空气）
只测：空气介质法，容积≤65cm×46cm×67cm，温度变化范围：-65℃～150℃
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电工电子产品
稳态湿热试验
只测：容积≤50cm×73cm×60cm；温度：40±2℃，湿度：90～95%RH
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电工电子产品
绝缘电阻
只测：0.050kV～2.500kV，电阻≤50GΩ
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
外部目检
只测：物镜放大倍数1～4.5X，被测件尺寸直径≤8cm，高度≤7cm
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
温度循环
只测：条件A、B、C、F，容积≤60cm×60cm×60cm；最高温度≤150℃
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
稳定性烘焙（高温寿命（非工作））
只测：容积≤60cm×60cm×60cm；最高温度≤195℃
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
绝缘电阻
只测：0.050kV～2.500kV，电阻≤50GΩ
IEC 60068-2-14：2009 环境试验，第2-14部分：试验N：温度变化
电工电子产品
温度变化（空气-空气）
只测：方法Na和Nb，容积≤65cm×46cm×67cm，温度变化范围：-65℃～150℃；仅限特定客户和特定产品
IEC 60068-2-14：2023 环境试验.第2-14部分：试验_试验N：温度变化
电工电子产品
温度变化（空气-空气）
只测：方法Na和Nb，容积≤65cm×46cm×67cm，温度变化范围：-65℃～150℃
IEC 60068-2-1：2007 环境试验.第2-1部分：试验_试验A:低温
电工电子产品
低温试验
只测：容积≤65cm×46cm×67cm；温度：-65℃～-5℃
IEC 60068-2-27:2008 环境试验 第2-27部分:试验方法 试验Ea和导则:冲击
电工电子产品
冲击
只测： 最大负载不超过50kg，加速度范围≤980m/ s²，冲击时间范围：6ms～18ms;不做电性能测试；台面尺寸：50cm×60cm
IEC 60068-2-2：2007 环境试验，第2-2部分：试验B：高温
电工电子产品
高温试验
只测：容积≤60cm×60cm×60cm；温度：+30～195℃
IEC 60068-2-64:2019 环境试验 第2部分：试验方法 试验Fh：宽带随机振动和导则
电工电子产品
宽带随机振动
只测：额定正弦/随机推力：22kN；频率范围；5Hz～2000Hz；最大振动位移；51(mm)P-P；最大加速度：980m/s²，不使用滤波器和减振器;不做电性能测试；台面尺寸：50cm×60cm
IEC 60068-2-67:1995 环境试验第2部分：试验方法试验Cy: 恒定湿热主要用于元件的加速试验
电工电子产品
恒定湿热
只测：容积≤50cm×73cm×60cm；温度：85±2℃，湿度：85±5%RH；仅限特定客户和特定产品
IEC 60068-2-6:2007 环境试验 第2-6部分: 试验方法 试验Fc:振动(正弦)
电工电子产品
振动（正弦）
只测：额定正弦/随机推力：22kN；频率范围；5Hz～2000Hz；最大振动位移；51(mm)P-P；最大加速度：980m/s²，不使用滤波器和减振器;不做电性能测试；台面尺寸：50cm×60cm
IEC 60068-2-78:2012 环境测试 - 第 2-78 部分：测试 - 测试 Cab：湿热稳定状态
电工电子产品
恒定湿热
只测：容积≤50cm×73cm×60cm；①温度：30±2℃，湿度：85±3%RH；②温度：30±2℃，湿度：93±3%RH；③温度：40±2℃，湿度：85±3%RH；④温度：40±2℃，湿度：93±3%RH
IEC 60747-15:2024 半导体器件—第 15 部分：分立器件—隔离功率半导体器件
半导体器件
绝缘耐压
只测：DC:0.05kV～5.0kV，AC:0.05kV～6.0kV
IEC 60747-2:2016 半导体器件第2部分：分立器件 整流二极管
整流二极管
恢复电荷、反向恢复时间、反向恢复能量
只测：IGBT反并联二极管；电压≤2000V，电流≤4000A，时间≤10000ns，能量≤1000000uJ
IEC 60747-2:2016 半导体器件第2部分：分立器件 整流二极管
整流二极管
正向电压
只测： 脉冲法，电压≤20V