检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
电工电子产品环境试验
低温试验
只测： ≥-70℃， 容积： 320L
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
电工电子产品环境试验
高温试验
只测：≤185℃， 容积：320L
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极性晶体管（IGBT)
栅极-发射极阈值电压V<sub>GE</sub>(<sub>th</sub>)
只测：≤10V
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极性晶体管（IGBT)
栅极漏电流I<sub>GES</sub>
只测：≤20V
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极性晶体管（IGBT)
集电极-发射极电压V<sub>CE</sub>
只测：≤3200V
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极性晶体管（IGBT)
集电极-发射极饱和电压V<sub>CE</sub><sub>sat</sub>
只测：50A-5170A
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
绝缘栅双极性晶体管（IGBT)
集电极截止电流I<sub>CES</sub>
只测：≤3200V
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
二极管
反向漏电流I<sub>R</sub>
只测：≤2kV
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
二极管
浪涌电流
只测：49A-1959A,电流浪涌脉冲的持续时间8.3ms
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
功率金属氧化物场效应管（MOSFET）
上升时间t<sub>r</sub>
只测：≤2000ns
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
功率金属氧化物场效应管（MOSFET）
下降时间t<sub>f</sub>
只测：≤2000ns
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
功率金属氧化物场效应管（MOSFET）
关断延迟时间t<sub>d</sub>(<sub>off</sub>)
只测：≤2000ns
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
功率金属氧化物场效应管（MOSFET）
开通延迟时间t<sub>d</sub>(<sub>on</sub>)
只测：≤2000ns
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
功率金属氧化物场效应管（MOSFET）
漏-源击穿电压V(<sub>BR</sub>)<sub>DS</sub>
只测：≤2kV
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
晶闸管
断态电流I<sub>D</sub>
只测:≤5000v
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
晶闸管
浪涌电流
只测：100A-7500A，电流浪涌脉冲的持续时间10ms
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
晶闸管
维持电流I<sub>H</sub>
只测： ≤1.5A
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
晶闸管
通态电压V<sub>T</sub>
只测：≤5500A
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
晶闸管
门极触发电压V<sub>GT</sub>
只测：≤5V
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
晶闸管
门极触发电流I<sub>GT</sub>
只测： ≤10A