检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法
集成电路（模拟开关）
导通态漏电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤24。
GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法
集成电路（模拟开关）
导通电阻
只测：通道数≤24。
GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法
集成电路（模拟开关）
截止态源极漏电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤24。
GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法
集成电路（模拟开关）
截止态漏极漏电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤24。
GB/T 14115-1993 半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理
集成电路（采样/保持放大器）
增益误差
只测：电压-25V～+25V电流-250mA～+250mA通道≤24
GB/T 14115-1993 半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理
集成电路（采样/保持放大器）
采样-保持失调电压
只测：电压-25V～+25V电流-250mA～+250mA通道≤24
GB/T 2423.22-2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化
电工电子产品
温度冲击（温度变化）试验
只测： 规定转换时间： 1.两箱法： 温度范围：-70~150℃ 容积≤2立方 2、一箱法： 温度范围：-65~150℃ 容积：≤1立方 不测： GB/T2423.22-2002 中试验Nc：两液槽法温度快速变化。
GB/T 2693-2001 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电容器
漏电流
只测： 电流：1mA～19mA。
GB/T 29309-2012 电工电子产品加速应力试验规程 高加速寿命试验导则
电工电子产品
高加速寿命试验
只做： 1、温度 ：-90℃~150℃； 2、温变率：≤65℃/min； 3、工作空间：≤1.6立方； 4、频率：10HZ~5000Hz； 5、振动量值：≤80G
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
半导体器件（二极管）
击穿电压
只测： 电压≤2000V。
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
半导体器件（二极管）
反向电流
只测：电流≤40A。
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
半导体器件（二极管）
正向电压
只测： 电压≤2000V。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（数字集成电路）
电源电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤64。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（数字集成电路）
输入低电平电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤64。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（数字集成电路）
输入电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤64。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（数字集成电路）
输入钳位电压
只测： 电压：-15V～+15V；通道数≤64。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（数字集成电路）
输入高电平电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤64。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（数字集成电路）
输出低电平时电源电流
只测： 电流：-250mA～+250mA,通道数≤64。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（数字集成电路）
输出低电平电压
只测：电压：-15V～+15V；通道数≤64。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（数字集成电路）
输出短路电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤64。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（数字集成电路）
输出高电平时电源电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤64。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（数字集成电路）
输出高电平电压
只测： 电压：-15V～+15V；通道数≤64。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（数字集成电路）
输出高阻态时低电平电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤64。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（数字集成电路）
输出高阻态时高电平电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤64。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（模拟开关）
电源电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤24。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（模拟开关）
输入钳位电压
只测：电压：-25V～+25V；通道数≤24。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（模拟开关）
输入高电平电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤24。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（模拟开关）
输出低电平电压
只测：电压：-25V～+25V；通道数≤24。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（模拟开关）
输出高电平电压
只测：电压：-25V～+25V；通道数≤24。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（采样/保持放大器）
电源电流
只测：电流：-250mA～+250mA；
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（采样/保持放大器）
输入低电平电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤24。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（采样/保持放大器）
输入电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤24。
GB/T17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇
集成电路（采样/保持放大器）
输入高电平电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤24。
GB/T17574-1998 第Ⅳ篇/第2节/2 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路
集成电路（模拟开关）
输入低电平电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤24。
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
集成电路（模拟集成电路）
共模抑制比
只测：通道数≤24。
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
集成电路（模拟集成电路）
差分放大器的输出电压范围
只测： 电压：-25V～+25V。
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
集成电路（模拟集成电路）
开环电压放大倍数
只测：通道数≤24。
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
集成电路（模拟集成电路）
电源电压抑制比
只测：通道数≤24。
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
集成电路（模拟集成电路）
短路输出电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤24。
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
集成电路（模拟集成电路）
输入偏置电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤24。
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
集成电路（模拟集成电路）
输入失调电压
只测：电压：-25V～+25V；通道数≤24。
GB/T17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 运算放大器测试方法基本原理
集成电路（模拟集成电路）
输入失调电流
只测：电流：-250mA～+250mA；通道数≤24。
GB/T2423.1-2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温
电工电子产品
低温试验
只测： 1. 容积：≤2m<Sup>3</Sup>； 2. 温度：最低-70℃。
GB/T2423.10-2019 环境试验第2部分:试验方法试验Fc:振动(正弦)
电工电子产品
振动试验
只测： 1. 频率：5Hz~2000Hz； 2. 正弦推力：≤90kN； 3. 随机推力：≤90kN； 4. 负载：≤100kg； 5. 加速度：≤400m/s<Sup>2</Sup>； 6. 位移：≤90mm ； 7. 台面尺寸：≤φ640mm。
GB/T2423.2-2008 电工电子产品环境试验第2 部分:试验方法试验B:高温
电工电子产品
高温试验
只测： 1. 容积：≤2m<Sup>3</Sup>； 2.温度：最高150℃。
GB/T2423.21-2008 电子电工产品环境试验第2部分：试验方法 试验M：低气压
电工电子产品
低气压试验
只做： 1. 压力：常压～0.5Kpa； 2. 容积：≤1m<Sup>3</Sup>。 3.带通风功能
GB/T2423.3-2016 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cab：恒定湿热试验
电工电子产品
湿热试验
只测： 1. 容积：≤2m<Sup>3</Sup>； 2. 温度：25℃~65℃； 3. 湿度：30%RH~95%RH。
GB/T2423.4-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Db：交变湿热(12h+12h循环)
电工电子产品
湿热试验
只测： 1. 容积：≤2m<Sup>3</Sup>； 2. 温度：25℃~65℃； 3. 湿度：30%RH~95%RH。
GB/T2423.5-2019 环境试验 第2部分：试验方法 试验Ea和导则：冲击
电工电子产品
冲击试验
只测： 1. 推力：≤90kN； 2. 加速度：≤400m/s<Sup>2</Sup>； 3. 脉冲持续时间：3ms~20 ms。
GB/T2423.56-2018 环境试验 第2部分:试验方法试验Fh:宽带随机振动和导则
电工电子产品
振动试验
只测： 1. 频率：5Hz~2000Hz； 2. 正弦推力：≤90kN； 3. 随机推力：≤90kN； 4. 负载：≤100kg； 5. 加速度：≤400m/s<Sup>2</Sup>； 6. 位移：≤90mm ； 7. 台面尺寸：≤φ640mm。
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
半导体器件（场效应管）
小信号短路正向跨导
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
半导体器件（场效应管）
栅-源短路时的漏-源击穿电压
只测： 电压≤2000V。
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
半导体器件（场效应管）
栅极（直流）电流
只测： 电流≤40A。
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
半导体器件（场效应管）
栅源短路时（VGS=0）的漏极电流
只测： 电流≤40A。
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
半导体器件（场效应管）
源极开路时，（结型场效应晶体管的）栅极截止电流
只测： 电流≤40A。
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
半导体器件（场效应管）
漏--源短路时，（结型场效应晶体管的）栅极截止电流
只测： 电流≤40A。
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
半导体器件（场效应管）
漏-源直流电压
只测： 电压≤2000V。
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
半导体器件（场效应管）
漏-源通态电阻
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
半导体器件（场效应管）
漏极开路时，（结型场效应晶体管的）栅极截止电流
只测： 电流≤40A。
GB/T4586-1994 《半导体器件》第8部分：场效应晶体管
半导体器件（场效应管）
（增强型绝缘栅场效应晶体管的）栅-源阈值电压
只测： 电压≤2000V。
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
半导体器件（晶体三极管）
共发射极正向电流传输比
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
半导体器件（晶体三极管）
发射极-基极击穿电压
只测： 电压≤2000V。
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
半导体器件（晶体三极管）
发射极-基极截止电流
只测：电流≤40A。
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
半导体器件（晶体三极管）
基极-发射极饱和电压
只测： 电压≤2000V。
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
半导体器件（晶体三极管）
集电极-发射极击穿电压
只测： 电压≤2000V。
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
半导体器件（晶体三极管）
集电极-发射极截止电流
只测：电流≤40A。
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
半导体器件（晶体三极管）
集电极-发射极饱和电压
只测： 电压≤2000V。
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
半导体器件（晶体三极管）
集电极-基极击穿电压
只测： 电压≤2000V。
GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管
半导体器件（晶体三极管）
集电极-基极截止电流
只测：电流≤40A。
GB/T8554-1998 电子和通信设备用变压器和电感器测量方法及试验程序
电感器
电感量
只测：电感:1μH～1H ； 频率：20Hz～2MHz。
GJB 1042A-2002 电磁继电器通用规范
继电器
吸合时间
最大量程：3200s，最小量程：3.2ms
GJB 1042A-2002 电磁继电器通用规范
继电器
吸合电压
只测：（0-40V）
GJB 1042A-2002 电磁继电器通用规范
继电器
接触电阻
只测：（4Ω-40KΩ）
GJB 1042A-2002 电磁继电器通用规范
继电器
绕组电阻
只测：（4Ω-40KΩ）
GJB 1042A-2002 电磁继电器通用规范
继电器
释放时间
最大量程：3200s，最小量程：3.2ms
GJB 1042A-2002 电磁继电器通用规范
继电器
释放电压
只测：（0-40V）
GJB 360A-1996 电子及电气元件试验方法
电子元件
密封性试验
仅对特定客户特定产品。
GJB 360A-1996 电子及电气元件试验方法
电子元件
温度循环
只测： 温度-70℃～135℃； 容积≤1m<SUP>3</SUP>。仅对 特定客户特定产品。
GJB 360A-1996 电子及电气元件试验方法
电子元件
粒子碰撞噪声检测试验
只测： 质量≤400g。不测： 继电器。仅对 特定客户特定产品。
GJB 360A-1996 电子及电气元件试验方法
电子元件
老炼（电容器）
只测： 电压≤600V。仅对 特定客户特定产品。
GJB 360A-1996 电子及电气元件试验方法
电容器
品质因数
仅对特定客户特定产品。
GJB 360A-1996 电子及电气元件试验方法
电容器
电容量
只测： 电容1pF～10mF； 频率20Hz～2MHz。仅对特定客户特定产品。
GJB 360A-1996 电子及电气元件试验方法
电容器
绝缘电阻
只测： 电阻：100Ω～10GΩ。仅对特定客户特定产品。
GJB 360A-1996 电子及电气元件试验方法
电感器
品质因数
仅对特定客户特定产品。
GJB 360A-1996 电子及电气元件试验方法
电阻器
直流电阻
只测： 电阻：1Ω～1MΩ。仅对特定客户特定产品。
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电子元件
密封性试验
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电子元件
温度循环
只测： 温度-70℃～135℃； 容积≤1m<SUP>3</SUP>。
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电子元件
粒子碰撞噪声检测试验
只测： 质量≤400g。 不测：继电器。
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电子元件
老炼（电容器）
只测： 电压≤600V。
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电容器
电容量
只测： 电容1pF～10mF； 频率20Hz～2MHz。
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电容器
绝缘电阻
只测： 电阻：100Ω～10GΩ。
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电感器
品质因数
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电阻器
直流电阻
只测： 电阻：1Ω～1MΩ。
GJB 360B-2009 方法306 电子及电气元件试验方法
电容器
品质因数
GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法》
光耦合器DPA分析
X射线检查
只做：最小分辨率≥1μm；特定客户
GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法》
光耦合器DPA分析
内部目检
只做：放大倍数≤1000倍；特定客户
GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法》
光耦合器DPA分析
剪切强度
只做：≤5000g；特定客户
GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法》
光耦合器DPA分析
外部目检
只做：6～55倍；特定客户
GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法》
光耦合器DPA分析
密封
只做：细检漏使用试验条件H1，粗检漏使用试验条件C；特定客户
GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法》
光耦合器DPA分析
扫描电子显微镜（SEM）检查
X向/Y向放大倍数：0.1K-200K；特定客户