检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
AEC - Q100-011D：2019 车用集成电路应力试验鉴定
电子元器件
静电放电-器件充电模式
只测： 25V～4kV
AEC-Q101-005E：2021 车用分立器件应力试验鉴定
电子元器件
静电放电-器件充电模式
只测： 25V～4kV
ANSI/ESD STM5.2-2012 器件级静电放电灵敏度测试-机械模式
功率金属氧化物场效应管
机械静电放电模式
只测： 50V～800V
ANSI/ESD STM5.2-2012 器件级静电放电灵敏度测试-机械模式
绝缘栅双极型晶体管
机械静电放电模式
只测： 50V～800V
ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2024 静电放电敏感性试验 人体模型 （HBM） 设备级别
功率金属氧化物场效应管
人体静电放电模式
只测： 100V～8kV
ANSI/ESDA/JEDEC JS-001:2024 静电放电敏感度试验-人体模型-组件级别
绝缘栅双极型晶体管
人体静电放电模式
只测： 100V～8kV
ANSI/ESDA/JEDEC JS-002：2025 器件级静电放电灵敏度测试-器件充电模式
电子元器件
静电放电-器件充电模式
只测： 25V～4kV
AQG 324:2025 机动车电力电子转换器用功率模块的质量检验
电子电器产品
抗电强度
只测：直流产品。只测：AC:0.1V~10kV ,DC:0V~12kV。
AQG 324:2025 机动车电力电子转换器用功率模块的质量检验
电子电器产品
绝缘电阻
只测：直流产品。1MΩ～50GΩ
GB 4706.1-2005 家用和类似用途电器的安全第1 部分：通用要求
电子电器产品
抗电强度
只测：直流产品。只测：AC:0.1V~10kV ,DC:0V~12kV。
GB 4943.1-2022 音视频、信息技术和通信技术设备 第1部分：安全要求
电子电器产品
抗电强度
只测：直流产品。只测：AC:0.1V~10kV，DC:0V~12kV
GB 4943.1-2022 音视频、信息技术和通信技术设备 第1部分：安全要求
电子电器产品
绝缘电阻
只测：直流产品。1MΩ～50GΩ
GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
通用电子产品
低温试验
只测： 最低温度：-70℃， 容积： 58cm×76cm×75cm
GB/T 2423.17-2024 环境试验 第2部分：试验方法 试验Ka：盐雾
通用电子产品
盐雾试验
只测： 盐溶液浓度：5% 环境温度35℃， 盐雾沉降量：1.0~2.0mL/h﹒80cm2
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
通用电子产品
高温试验
只测： 最高温度：180℃
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
二极管
反向漏电流
只测： -8mA～3A
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
二极管
正向压降
只测： IS：0A～1500A
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
二极管
正向浪涌
只测： IFSM：5A～800A
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
功率金属氧化物场效应管
开关时间
只测： VD：10V～1.2kV， ID：1mA～150A
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
功率金属氧化物场效应管
漏源间反向击穿电压
只测： -3kV～3kV
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
功率金属氧化物场效应管
稳态功率试验
只测： 条件C（稳态功率）
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
功率金属氧化物场效应管
稳态热阻
只测： Ph：0.1W～6kW
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
功率金属氧化物场效应管
老炼试验
只测： 条件A、条件B， Vdsmax：2000V， Tjmax：175℃
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
功率金属氧化物场效应管
间歇功率试验
只测： 条件D（间歇功率）
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
晶体管
集射极反向击穿电压
只测： -3kV～3kV
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子元器件
高低温循环试验
只测： 温度：-70℃～210℃， 容积：38cm×43cm×47cm
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
电子元器件
高温试验
只测： 最高温度：180℃
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
绝缘栅双极型晶体管
集射间反向击穿电压
只测： -3kV～3kV
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
通用电子产品
冲击试验
只测： 台面尺寸：200mm*200mm， 峰值加速度：50m/s2~30000m/s2 脉冲持续时间：0.3ms~20ms
GJB 4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
电子元器件
超声检测
只测： 最大扫描区域：320mm×320mm， 最高分辨力：0.5um， 超声波探头：15M、25M、30M、50M、100M， 穿透深度：0.4mm～5.1mm
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
X射线检测
只测： 最大扫描区域：610mm×560mm， 最高分辨力：0.5um， 最大样品重量：10kg
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
超声检测
只测： 最大扫描区域：320mm×320mm， 最高分辨力：0.5µm， 超声波探头：15M、25M、30M、50M、100M， 穿透深度：0.4mm～5.1mm
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
键合强度
只测： 条件D， 拉力范围：0～2.5kg
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
高温试验
只测： 最高温度：180℃
GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序
电子元器件
剪切强度
只测： 剪切力范围：0～100kg
GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序
通用电子产品
振动试验
只测： 频率范围：5~2000Hz, 最大加速度1000m/s2 位移：51mm 正弦激振力:20000N 随机激振力：20000N
IEC 60068-2-11:2021 环境试验 第2-11部分:试验方法 试验Ka:盐雾
通用电子产品
盐雾试验
只测：盐溶液浓度：5%,环境温度35℃，盐雾沉降量：1.0~2.0mL/h﹒80cm2
IEC 60068-2-27:2008 环境试验 第2-27部分:试验方法 试验Ea和导则:冲击
通用电子产品
冲击试验
只测： 台面尺寸：200mm*200mm， 峰值加速度：50m/s2~30000m/s2 脉冲持续时间：0.3ms~20ms
IEC 60068-2-6:2007 环境试验 第2-6部分: 试验方法 试验Fc:振动(正弦)
通用电子产品
振动试验
只测： 频率范围：5~2000Hz, 最大加速度1000m/s2 位移：51mm 正弦激振力:20000N 随机激振力：20000N
IEC 60335-1:2020+AMD1:2025 家用和类似用途电器的安全 第1部分:通用要求
电子电器产品
抗电强度
只测：直流产品。只测：AC:0.1V~10kV ,DC:0V~12kV。
IEC 60747-2:2025 半导体器件.第2部分:分立器件.整流二极管
二极管
反向击穿电压
只测： -7kV～7kV
IEC 60747-2:2025 半导体器件.第2部分:分立器件.整流二极管
二极管
反向恢复时间
只测： 0.1ns～100µs
IEC 60747-2:2025 半导体器件.第2部分:分立器件.整流二极管
二极管
反向恢复电荷
只测： 0.1nC～100µC
IEC 60747-2:2025 半导体器件.第2部分:分立器件.整流二极管
二极管
反向漏电流
只测： -8mA～3A
IEC 60747-2:2025 半导体器件.第2部分:分立器件.整流二极管
二极管
总电容电荷
只测： -3kV～3kV
IEC 60747-2:2025 半导体器件.第2部分:分立器件.整流二极管
二极管
正向压降
只测： IS：5A～4000A
IEC 60747-2:2025 半导体器件.第2部分:分立器件.整流二极管
二极管
正向浪涌
只测： IFSM：5A～800A
IEC 60747-2:2025 半导体器件.第2部分:分立器件.整流二极管
二极管
结电容
只测: -3kV～3kV
IEC 60747-2:2025 半导体器件.第2部分:分立器件.整流二极管
绝缘栅双极型晶体管
二极管反向恢复时间
只测： 6V～2.7kV
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
体二极管压降
只测： 0A～6000A
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
体二极管反向恢复时间
只测： 0.1ns～100µs
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
体二极管反向恢复电荷
只测： 0.1nC～100µC
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
反向传输电容
只测： -3kV～3kV
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
开关时间
只测： VD：6V～1.2kV， ID：0A～200A
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
栅极串联等效电阻
只测： 0.1Ω～10kΩ
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
栅极漏电流
只测： -1A～3A
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
栅极电荷
只测： Qg：0.1nC～100uC
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
漏极反向电流
只测： -200mA～200mA
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
漏源间反向击穿电压
只测： -7.5kV～7.5kV
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
跨导
只测： 1ms～1000s
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
输入电容
只测： -3kV～3kV
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
输出电容
只测： -3kV～3kV
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
通态电压
只测： -200V～200V
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
通态电阻
只测： 0～10kΩ
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
功率金属氧化物场效应管
阈值电压
只测： -200V～200V
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
反向传输电容
只测： -3kV～3kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
开关时间&损耗
只测： 6V～2.7kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
最大反偏安全工作区
只测： 500V～2.7kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
栅极串联等效电阻
只测： 0.1Ω～10kΩ
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
栅极漏电流
只测： -1A～3A
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
栅极电荷
只测： 6V～2.7kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
短路耐受时间
只测： 500V～2.7kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
输入电容
只测： -3kV～3kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
输出电容
只测： -3kV～3kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
通态电压
只测： -200V～200V
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
集射间反向击穿电压
只测： -7.5kV～7kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
集电极反向漏电流
只测： -200mA～200mA
IEC 60749-34：2010 半导体器件—机械和气候试验方法—第34部分：电源循环
绝缘栅双极型晶体管
模块功率循环试验
只测：电流最大3600A
IEC 62368-1:2023 音视频，信息技术和通信技术设备 第1部分：安全要求
电子电器产品
抗电强度
只测：直流产品。只测：AC:0.1V~10kV ,DC:0V~12kV。
IEC 62368-1:2023 音视频，信息技术和通信技术设备 第1部分：安全要求
电子电器产品
绝缘电阻
只测：直流产品。1MΩ～50GΩ
JESD22-A101D.01:2021 恒定温湿度偏压寿命试验
电子元器件
高温湿热试验
只测：温度：-70℃～180℃，湿度：10%RH～98%RH，容积：58cm×76cm×75cm
JESD22-A102E:2015 高压蒸煮试验
电子元器件
高压蒸煮试验
只测： 温度：105℃～150℃， 湿度：65%RH～100%RH， 压力：0.019MPa～0.208MPa， 容积：0.08776 m³
JESD22-A103E.01:2021 高温存储寿命测试
电子元器件
高温存储寿命试验
只测： 最高温度：180℃
JESD22-A104F:2020 温度循环测试
电子元器件
高低温循环试验
只测： 温度： -70℃～210℃， 容积： 38cm×43cm×47cm
JESD22-A108G:2022 高温工作寿命试验
功率金属氧化物场效应管
老炼试验
只测： HTRB和HTGB试验
JESD22-A110E:2015 高加速寿命试验
电子元器件
高加速温度和湿度应力试验
只测： 温度：105℃～150℃， 湿度：65%RH～100%RH， 压力：0.019MPa～0.208MPa， 容积：0.08776 m³
JESD22-A118B.01:2021 加速抗湿-无偏压高加速温湿度应力试验
电子元器件
无偏置高加速应力试验
只测： 温度：105℃～150℃， 湿度：65%RH～100%RH， 压力：0.019MPa～0.208MPa， 容积：0.08776 m³
JESD22-A119A:2015 低温存储寿命测试
电子元器件
低温存储寿命试验
只测： 最低温度：-70℃， 容积： 58cm×76cm×75cm
JESD22-B103B.01:2016 振动和扫频试验
通用电子产品
振动试验
只测： 频率范围：5~2000Hz, 最大加速度1000m/s2 位移：51mm 正弦激振力:20000N 随机激振力：20000N
JESD22-B110B.01:2019 机械冲击测试
通用电子产品
冲击试验
只测： 台面尺寸：200mm*200mm， 峰值加速度：50m/s2~30000m/s2 脉冲持续时间：0.3ms~20ms
JESD22-B116B:2017 键合点剪切试验方法
电子元器件
剪切强度
只测： 剪切力范围：0～100kg
JESD24-11:1996(R2002) 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法
功率金属氧化物场效应管
栅极串联等效电阻
只测： 0.1Ω～50Ω
JESD24-11:1996(R2002) 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法
绝缘栅双极型晶体管
栅极串联等效电阻
只测： 0.1Ω～50Ω
JESD51-14:2010 一维传热路径下半导体器件结壳热阻双界面测试法
二极管
稳态热阻
只测： Ph：5W～21.6kW
JESD51-14:2010 一维传热路径下半导体器件结壳热阻双界面测试法
功率金属氧化物场效应管
稳态热阻
只测： Ph：5W～21.6kW
JESD51-14:2010 一维传热路径下半导体器件结壳热阻双界面测试法
绝缘栅双极型晶体管
稳态热阻
只测： Ph：5W～21.6kW
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
二极管反压变化率
只测： VR：5V～1000V， IF：1A～200A
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
单脉冲雪崩能量
只测： L：0.01mH～159.9mH， IAS：0.1A～200A
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
反向击穿电压
只测： -3kV～3kV
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
反向恢复时间
只测： 10ns～2µs