检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
功能测试
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
动态条件下的总电源电流
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
延迟时间
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
滞后电压
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入低电平电流
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入钳位电压
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入高电平电流
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出低电平电压
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出短路电流
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出高电平电压
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出高阻态电流
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
阈值电压
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
静态条件下的电源电流
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
基准电压（VREF）
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
备用电流（静态电流）
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
负载调整系数和负载稳定系数
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
输入调整系数和输入稳定系数
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
半导体分立器件
内部目检
仅适用于特定用户的特定产品。
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
半导体分立器件
外观及机械检验
仅适用于特定用户的特定产品。
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
半导体分立器件
密封
只测：条件C，条件H。 仅适用于特定用户的特定产品。
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
半导体分立器件
恒定加速度
只测：Y1方向,加速度≤30000g。 仅适用于特定用户的特定产品。
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
半导体分立器件
温度循环
只测：温度：-65℃~+150℃。 仅适用于特定用户的特定产品。
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
半导体分立器件
稳态工作寿命
只测：温度≤+150℃。 仅适用于特定用户的特定产品。
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
半导体分立器件
老炼
只测：50℃~150℃，方法1040只测试验条件B。 仅适用于特定用户的特定产品。
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电子及电气元件
密封
只测： 1、氦质谱检漏，最小漏率1*10<SUP>-10</SUP> 2、氟碳化合物粗检漏，最高温度125℃
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电子及电气元件
温度冲击试验
只测：空气介质法，温度：-65℃~+150℃
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电子及电气元件
稳态加速度
只测：Y1方向，最大加速度30000g，旋转半径＜130mm
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
微电子器件
内部目检
只测：裸芯片 仅适用于特定用户的特定产品
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
微电子器件
外形尺寸
仅适用于特定用户的特定产品
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
微电子器件
外部目检
仅适用于特定用户的特定产品
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
微电子器件
密封
只测：条件A1，条件C1 仅适用于特定用户的特定产品
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
微电子器件
恒定加速度
只测：应力试验Y1方向，条件A,B,C,D,E， 仅适用于特定用户的特定产品
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
微电子器件
温度循环
只测：温度：-65℃~+150℃ 仅适用于特定用户的特定产品
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
微电子器件
稳定性烘焙
只测：温度≤150℃ 仅适用于特定用户的特定产品
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
微电子器件
稳态寿命
只测：试验条件A、B、C，温度≤+150℃ 仅适用于特定用户的特定产品
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
微电子器件
老炼试验
只测：试验条件A、B、C，温度：100℃~150℃ 仅适用于特定用户的特定产品
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
微电子器件
间歇寿命
只测：试验条件A、B、C，温度≤+150℃ 仅适用于特定用户的特定产品
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
内部目检
只测：裸芯片
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
外形尺寸
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
外部目检
不测：方法2009.2中的3.3.6、3.3.9检测项目
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
密封
只测： 1、氦质谱检漏，最小漏率1*10<SUP>-10</SUP> 2、氟碳化合物粗检漏，最高温度125℃
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
恒定加速度
只测：Y1方向，最大加速度30000g，旋转半径＜130mm
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
温度循环
只测：-65℃~+150℃
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
稳定性烘焙
只测：温度≤150℃
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
稳态寿命
只测：试验条件A、B、C，温度≤150℃
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
老炼试验
只测：试验条件A、B、C，温度：100℃~150℃
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
微电子器件
间歇寿命
只测：试验条件A、B、C，温度≤150℃