检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
半导体电子元器件
低温储存
只测：温度：-55℃～+5℃；工作空间：＜450mm×500mm×600mm
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
半导体电子元器件
高温储存
只测：温度：30℃～150℃；工作空间：＜1000mm×1000mm×1000mm。
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
二极管
反向击穿电压
只测：-3kV～3kV
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
二极管
反向漏电流
只测：-3kV～3kV
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
二极管
正向压降
只测：0A～414A
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体电子元器件
X射线检测
只测：射线管最高管电压：160kV，最大管电流：1.0mA,最大输出功率：15W，细节分辨率：1μm.像素大小：200μm×200μm，感光面积：42mm×42mm,扫描范围：310mm×310mm。
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体电子元器件
内部目检
只测：化学开封和激光开封，样品最大尺寸：12mm×12mm。
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体电子元器件
外部目检
只测：放大倍率20～200倍
GJB 4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
半导体电子元器件
X射线检测
只测：射线管最高管电压：160kV，最大管电流：1.0mA,最大输出功率：15W，细节分辨率：1μm.像素大小：200μm×200μm，感光面积：42mm×42mm,扫描范围：310mm×310mm。
GJB 4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
半导体电子元器件
内部目检
只测：化学开封和激光开封，样品最大尺寸：12mm×12mm。
GJB 4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
半导体电子元器件
外部目检
只测：放大倍率20～200倍
GJB 4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
半导体电子元器件
超声检测
只测：最大扫描区域：314mm×314mm；最大行程80mm；脉宽收发器带宽不大于75MHz. 最大扫面速度≤610mm/s；不测：B模式
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
半导体电子元器件
X射线检测
只测：射线管最高管电压：160kV，最大管电流：1.0mA,最大输出功率：15W，细节分辨率：1μm.像素大小：200μm×200μm，感光面积：42mm×42mm,扫描范围：310mm×310mm。
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
半导体电子元器件
内部目检
只测：化学开封和激光开封，样品最大尺寸：12mm×12mm。
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
半导体电子元器件
外部目检
只测：放大倍率20～200倍
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
半导体电子元器件
超声检测
只测：最大扫描区域：314mm×314mm；最大行程80mm；脉宽收发器带宽不大于75MHz. 最大扫面速度≤610mm/s；不测：B模式
IEC 60747-2:2016 半导体器件第2部分：分立器件 整流二极管
二极管
反向击穿电压
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-2:2016 半导体器件第2部分：分立器件 整流二极管
二极管
反向恢复时间
只测：1ns～10us
IEC 60747-2:2016 半导体器件第2部分：分立器件 整流二极管
二极管
反向恢复电荷
只测：1nC～100uC
IEC 60747-2:2016 半导体器件第2部分：分立器件 整流二极管
二极管
反向漏电流
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-2:2016 半导体器件第2部分：分立器件 整流二极管
二极管
总电容电荷
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-2:2016 半导体器件第2部分：分立器件 整流二极管
二极管
正向压降
只测：0A～414A
IEC 60747-2:2016 半导体器件第2部分：分立器件 整流二极管
二极管
结电容
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-2:2016 半导体器件第2部分：分立器件 整流二极管
绝缘栅双极型晶体管
合封二极管反向恢复时间
只测：1ns～10us
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
体二极管反向恢复时间
只测：1ns～10us
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
体二极管反向恢复电荷
只测：1nC～100uC
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
反向传输电容
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
开关时间
只测：VD10V～1200V，ID1A～200A
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
栅极串联等效电阻
只测：0.1Ω～10KΩ
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
栅极漏电流
只测：-200V～200V
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
栅极电荷
只测：1nC～100uC
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
漏极反向电流
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
漏源反向电压
只测：0A～500A
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
漏源间反向击穿电压
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
跨导
只测：0A～500A
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
输入电容
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
输出电容
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
通态电压
只测：-200V～ 200V
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
通态电阻
只测：0kΩ～10kΩ
IEC 60747-8:2021 半导体器件 第8部分：分立器件 场效应晶体管
场效应晶体管
阈值电压
只测：-200V～200V
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
反向传输电容
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
开关时间&损耗
只测：VD10V～1200V，ID1A～200A
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
栅极串联等效电阻
只测：0.1Ω～10KΩ
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
栅极漏电流
只测：-200V～200V
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
栅极电荷
只测：1nC～100uC
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
输入电容
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
输出电容
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
通态电压
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
集射间反向击穿电压
只测：-3kV～3kV
IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT)
绝缘栅双极型晶体管
集电极反向漏电流
只测：-3kV～3kV
IEC 61000-4-5:2017 电磁兼容(EMC) 第 4-5 部分:试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验
半导体器件
浪涌雷击抗扰度
只测：1.2/50us&8/20us组合波,10/700通信波,电压15kV以下
IPC/JEDEC J-STD-035A:2022 非气密密封电子元器件声波显微镜检查试验
半导体电子元器件
超声检测
只测：最大扫描区域：314mm×314mm；最大行程80mm；脉宽收发器带宽不大于75MHz. 最大扫面速度≤610mm/s；不测：B模式
ISO16750-2:2023 道路车辆 电气及电子设备的环境条件和试验 第2部分： 电气负荷
半导体器件
供电电压瞬态变化
只测：1~36V
ISO16750-2:2023 道路车辆 电气及电子设备的环境条件和试验 第2部分： 电气负荷
半导体器件
供电电压缓降和缓升
只测：1~32.5V
ISO16750-2:2023 道路车辆 电气及电子设备的环境条件和试验 第2部分： 电气负荷
半导体器件
过电压
只测：1~36V
JEDEC JESD24-2:2002 栅极电荷测试方法
场效应晶体管
栅极电荷
只测：1nC～100uC
JEDEC JESD24-2:2002 栅极电荷测试方法
绝缘栅双极型晶体管
栅极电荷
只测：1nC～100uC
JEDEC JESD51-14:2010 一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法
二极管
热阻
只测：0.1W～1.5kW
JEDEC JESD51-14:2010 一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法
场效应晶体管
热阻
只测：0.1W～1.5kW
JEDEC JESD51-14:2010 一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法
绝缘栅双极型晶体管
热阻
只测：0.1W～1.5kW
JEDEC JESD51-2A:2008 集成电路热测试方法环境条件-自然对流（静止空气）
双极型晶体管
热阻
只测：0.1W～1.5kW
JEDEC JESD51-2A:2008 集成电路热测试方法环境条件-自然对流（静止空气）
场效应晶体管
热阻
只测：0.1W～1.5kW
JEDEC JESD51-2A:2008 集成电路热测试方法环境条件-自然对流（静止空气）
绝缘栅双极型晶体管
热阻
只测：0.1W～1.5kW
JESD22-A101D.01-2021 高温高湿寿命试验
半导体电子元器件
高温高湿反偏
只测：偏置电压≤1000VDC；工作空间：＜1830mm×1010mm×1373mm
JESD22-A102E-2015 无偏置电压高压力蒸煮
半导体电子元器件
高压蒸煮
只测：工作空间：＜440mm×600mm。
JESD22-A103E.01-2021 高温贮存寿命
半导体电子元器件
高温储存
只测：温度：125℃、150℃；工作空间：＜1000mm×1000mm×1000mm
JESD22-A104F-2023 温度循环
半导体电子元器件
温度循环试验
只测：空气介质中的双室温度循环试验，工作空间：＜500mm×400mm×400mm。
JESD22-A110E.01-2021 高加速温湿度应力试验(HAST)
半导体电子元器件
高加速寿命实验
只测：连续偏置，偏置电压≤42VDC；工作空间：＜1900mm×600mm×1050mm
JESD22-A113I-2020 非密封表面贴装器件在可靠性测试之前的预处理方法
半导体电子元器件
预处理
只测：1）5.3温度循环（温度-40℃～60℃）；2）5.4 烘烤；3）5.5 浸湿。
JESD22-A118B.01-2021 加速防潮-无偏HAST
半导体电子元器件
高加速寿命实验
只测：工作空间：＜1900mm×600mm×1050mm。
JESD22-A119A-2015 低温储存寿命
半导体电子元器件
低温储存
只测：只测：温度：-40℃、-55℃；；工作空间：＜450mm×500mm×600mm
JESD22-B100B:2003(R2021) 物理尺寸
半导体电子元器件
物理尺寸测量
只测：最大检测区域：50mm×40mm，Z轴最大行程50 mm，分辨率：1um。
MIL-STD-202H-2015 电子和电气元件的试验方法标准
半导体电子元器件
高温高湿
只测：工作空间：＜500mm × 450 mm× 600mm
MIL-STD-750F-2022 半导体器件的环境试验方法 第1部分:测试方法 方法1038 老炼（用于二极管,整流器和稳压管）
半导体电子元器件
间歇老化
只测：工作空间：＜1880mm×1050mm×1100mm。
MIL-STD-750F-2022 半导体器件的环境试验方法 第1部分:测试方法 方法1038 老炼（用于二极管,整流器和稳压管）
半导体电子元器件
高温反偏
只测：温度：85℃～175℃；偏置电压≤1000VDC，工作空间：＜1900mm×1350mm×1320mm。
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
单脉冲雪崩能量
只测：L0.01mH～127mH，I0.1A～99.9A
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
反向击穿电压
只测：-3kV～3kV
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
反向恢复时间
只测：1ns～10us
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
反向恢复电荷
只测：1nC～100uC
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
反向漏电流
只测：-3kV～3kV
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
正向压降
只测：0A～414A
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
正向浪涌
只测：IFSM 1A～900A
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
热阻
只测：0.1W～1.5kW
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
二极管
钳位电压
只测：1A～150A
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
双极型晶体管
基射极电压（饱和或不饱和）
只测：-200V～200V
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
双极型晶体管
射基极关态电流
只测：-3kV～3kV
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
双极型晶体管
射基极反向击穿电压
只测：-3kV～3kV
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
双极型晶体管
直流增益
只测：1～50000
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
双极型晶体管
集基极关态电流
只测：-3kV～3kV
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
双极型晶体管
集基极反向击穿电压
只测：-3kV～3kV
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
双极型晶体管
集射极关态电流
只测：-3kV～3kV
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
双极型晶体管
集射极反向击穿电压
只测：-3kV～3kV
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
双极型晶体管
集射极饱和压降
只测：-200V～200V
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
场效应晶体管
体二极管反向恢复时间
只测：1ns～10us
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
场效应晶体管
体二极管反向恢复电荷
只测：1nC～100uC
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
场效应晶体管
单脉冲雪崩能量
只测：L0.01mH～127mH，I0.1A～99.9A
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
场效应晶体管
开关时间
只测：VD10V～1200V，ID1A～200A
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
场效应晶体管
栅极串联等效电阻
只测：0.1Ω～100Ω
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
场效应晶体管
栅极漏电流
只测：-200V～200V
MIL-STD-750F:2012 半导体测试方法测试标准
场效应晶体管
栅极电荷
只测：1nC～100uC