检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
电子元器件
低温
只测：试验Ab;温度：-55℃～-25℃；工作空间：480mm×430mm×420mm。
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
电子元器件
高温
只测：试验Bb;温度：+85℃～+200℃；工作空间：600mm×700mm×600mm。
GB/T 2423.3-2016 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cab：恒定湿热试验
电子元器件
恒定湿热
只测：温度：（30±2）℃、（40±2）℃,相对湿度：（85±3）%RH、（93±3）%RH；工作空间：500mm×600mm×750mm。
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
电子元器件
反向漏电流
只测：0mA～500mA
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
电子元器件
正向电压
只测：0V～20V
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
电子元器件
雪崩和可控雪崩整流二极管的击穿电压
只测：0V～1000V
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
电子元器件
栅源阈值电压
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
电子元器件
栅级泄漏电流
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
电子元器件
漏极截止电流
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
电子元器件
漏源通态电阻
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
共发射极正向电流传输比
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
发射极-基极截止电流
只测：0mA～500mA
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
发射极-基极电压
只测：0V～500V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
基极-发射极饱和电压
只测：±10V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
集电极-发射极截止电流
只测：0mA～500mA
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
集电极-发射极饱和电压
只测：±10V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
集电极-基极截止电流
只测：0mA～500mA
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
集电极-基极电压
只测：0V～500V
JESD22-A102E-2015 无偏置电压高压力蒸煮
电子元器件
高压蒸煮
只测：温度：121℃，湿度：100%RH，压力：0.205MPa 工作空间：φ250mm*h380mm
JESD22-A104F.01-2023 温度循环
电子元器件
温度循环
只测：-55℃～150℃ 工作空间：300mm×300mm×300mm
JESD22-A110E.01-2021 高加速温湿度应力试验(HAST)
电子元器件
高加速寿命试验
只测：温度110℃～130℃，湿度：85%RH，压力：0.12MPa~0.23MPa，最高电压：2000V 工作空间：φ420mm×h657mm
MIL-STD-750F-2012 Method 1038 半导体器件的环境试验方法 第1部分:测试方法 方法1038 老炼
电子元器件
高温反偏
只测：温度：85℃～175℃，最高电压：2000V 工作空间：600mm*600mm*600mm