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扬州亿芯微电子有限公司检测中心

CNAS实验室认可 active 江苏省 · 扬州市

CNAS认可证书	L19520
机构地址	江苏省扬州市开发区钱湾路18号19幢1楼
发证机关	CNAS
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📋 扬州亿芯微电子有限公司检测中心 CNAS 检测能力

共 104 项认可能力

检测标准检测对象参数 / 项目限制说明

AEC-Q100-008A-2007 早期寿命失效率电子元器件寿命试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：-70℃～+300℃。

GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法模拟开关导通态漏电流只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法模拟开关导通电阻只测：电压范围：-1000V～+1000V，电流范围：-10A～+10A。

GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法模拟开关截止态源极漏电流只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法模拟开关截止态漏极漏电流只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 14029-92 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理模拟乘法器满量程总误差只测：电压范围：-1000V～+1000V，电流范围：-10A～+10A。

GB/T 14029-92 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理模拟乘法器馈通误差只测：电压范围：-1000V～+1000V，电流范围：-10A～+10A。

GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理时基电路复位电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理时基电路复位电流只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理时基电路控制端电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理时基电路最高振荡频率只测：频率范围：0.1Hz～+10MHz。

GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理时基电路触发电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理时基电路触发电流只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理时基电路阈值电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理时基电路阈值电流只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路数字集成电路延迟时间和转换时间只测：数据速率≤100MHz。

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路数字集成电路建立时间和保持时间只测：数据速率≤100MHz。

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路数字集成电路输入箝位电压只测：数据速率≤100MHz，电压范围：-2V～+6V。

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路数字集成电路输入高电平电流和输入低电平电流只测：数据速率≤100MHz，电流范围：-1A～+1A。

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路数字集成电路输出低电平电压和输出高电平电压只测：数据速率≤100MHz，电压范围:-2V～+6V。

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路数字集成电路输出短路电流只测：数据速率≤100MHz，电流范围：-1A～+1A。

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路数字集成电路输出高阻态电流只测：数据速率≤100MHz，电流范围：-1A～+1A。

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路数字集成电路静态条件下的电源电流只测：数据速率≤100MHz，电流范围：-1A～+1A。

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路数字集成电路（输入）阈值电压和滞后电压只测：数据速率≤100MHz，电压范围-2V～+6V。

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器共模抑制比

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器开环电压放大倍数只测：电压范围：-50V～+50V。

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器电源电压抑制比只测：电压范围：-50V～+50V。

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器电源电流只测：电压范围：-50V～+50V。

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器输入偏置电流只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器输入失调电流只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器输出电压最大变化率（转换速率）只测：电压范围：-50V～+50V。

GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温电子元器件低温试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：-70℃～常温。

GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温电子元器件高温试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：20℃～300℃。

GB/T 2423.40-2013 环境试验第2部分：试验方法试验Cx：未饱和高压蒸汽恒定湿热电子元器件不饱和高压蒸汽恒定湿热只测：腔体体积：直径420mm×深度657mm；温度：105℃ ～150℃ ,湿度：(65%～100%)RH；压力范围：0.019Mpa ～ 0.208Mpa。

GB/T 2423.50-2012 环境试验试验方法试验Cy 恒定湿热电子元器件恒定温湿度偏压寿命试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：40℃～85℃；湿度：85％RH～93%RH。

GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管二极管击穿电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管二极管正向电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法电压调整器基准电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法电压调整器电压调整率只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法电压调整器电流调整率只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法电压调整器输出电压和输出电压偏差只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 4586-94 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管场效应晶体管栅-源电压为零的漏极电流只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 4586-94 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管场效应晶体管栅-源阈值电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 4586-94 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管场效应晶体管栅极漏泄电流只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 4586-94 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管场效应晶体管正向电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 4586-94 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管场效应晶体管正向跨导

GB/T 4586-94 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管场效应晶体管漏--源通态电阻只测：电压范围：-1000V～+1000V，电流范围：-10A～+10A。

GB/T 4586-94 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管场效应晶体管漏-源通态电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管发射极-基极截止电流(直流法) 只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管基极-发射极电压（直流法）只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管基极-发射极饱和电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管集电极-发射极截止电流(直流法) 只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管集电极-发射极维持电压只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管集电极-发射极饱和电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管集电极-基极截止电流(直流法) 只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T 4937.4-2012 半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）电子元器件强加速稳态湿热试验只测：腔体体积：直径420mm×深度657mm；温度：105℃ ～ 150℃ ,湿度：(65%～100%)RH；压力范围：0.019Mpa ～ 0.208Mpa。

GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管二极管极限电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管二极管正向电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法光电器件光电二极管的暗电流和光电晶体管的暗电流只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法光电器件光电晶体管的集电极一发射极饱和电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法光电器件光电耦合器的开关时间只测：时间范围：10ns～40s。

GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法光电器件反向电流只测：电流范围：-10A～+10A。

GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法光电器件电流传输比只测：电流范围：-10A～+10A。

GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法密封微电子器件外部目检只做：光学倍率：1倍～10倍。

GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法密封电子元器件低温试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：-70℃～常温。

GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法密封电子元器件温度循环试验只测：箱体体积：（800×450×750)mm；温度：-70℃～150℃；升温/降温速率：≤14.9℃/min（-55℃～85℃）。

GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法密封电子元器件高温试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：20℃～+300℃。

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法电子元器件寿命试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：-70℃～+300℃。

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法电子元器件温度循环试验只测：箱体体积：（800×450×750)mm；温度：-70℃～150℃；升温/降温速率：≤14.9℃/min（-55℃～85℃）。

GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序微电子器件外部目检只做：光学倍率：1倍～10倍。

GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序电子元器件低温试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：-70℃～常温。

GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序电子元器件寿命试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：-70℃～+300℃。

GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序电子元器件温度循环试验只测：箱体体积：（800×450×750)mm；温度：-70℃～150℃；升温/降温速率：≤14.9℃/min（-55℃～85℃）。

GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序电子元器件高温试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：20℃～300℃。

JB/T 12785-2016 霍尔接近开关传感器霍尔元件动作点磁感应强度只测：磁场强度范围：-2000Gs～+2000Gs。

JB/T 12785-2016 霍尔接近开关传感器霍尔元件回差只测：磁场强度范围：-2000Gs～+2000Gs。

JB/T 12785-2016 霍尔接近开关传感器霍尔元件复位点磁感应强度只测：磁场强度范围：-2000Gs～+2000Gs。

JEDEC JESD22-A101D.01-2021 稳态温湿度偏置寿命试验电子元器件恒定温湿度偏压寿命试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：40℃～85℃；湿度：85％RH～93%RH。

JESD22-A102E-2021 加速防潮试验-无偏压高压蒸煮电子元器件饱和蒸汽加压试验只测：腔体体积：直径420mm×深度657mm；温度：105℃～150℃ ,湿度：(65%～100%)RH；压力范围：0.019Mpa～0.208Mpa。

JESD22-A103E.01：2021 高温存储寿命电子元器件高温试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：20℃～300℃。

JESD22-A104F：2020 温度循环电子元器件温度循环试验只测：箱体体积：（800×450×750)mm；温度：-70℃～150℃；升温/降温速率：≤14.9℃/min（-55℃～85℃）。

JESD22-A108G-2022 温度、偏置和工作寿命电子元器件寿命试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：-70℃～+300℃。

JESD22-A110E.01-2021 高加速温湿度应力试验(HAST) 电子元器件强加速稳态湿热试验只测：腔体体积：直径420mm×深度657mm；温度：105℃ ～ 150℃ ,湿度：(65%～100%)RH；压力范围：0.019Mpa ～ 0.208Mpa。

JESD22-A113I-2020 非密封表面贴装器件在可靠性测试之前的预处理方法电子元器件非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理只测：抽屉尺寸：（350×400)mm；面积：0.14m²；温度：常温～300℃；

JESD22-A118B.01-2021 加速防潮-无偏HAST 电子元器件不饱和高压蒸汽恒定湿热只测：腔体体积：直径420mm×深度657mm；温度：105℃ ～ 150℃ ,湿度：(65%～100%)RH；压力范围：0.019Mpa ～ 0.208Mpa。

JESD22-A119A：2015 低温存储电子元器件低温试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：-70℃～常温。

MIL-STD-750-1A-2021 半导体器件环境测试方法电子元器件寿命试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：-70℃～+300℃。

MIL-STD-883L-2019 微电子器件试验方法电子元器件寿命试验只测：箱体体积：（800×600×850)mm；温度：-70℃～+300℃。

SJ 20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法电流/电流变换器电压调整率只测：电压范围：-1000V～+1000V，电流范围：-10A～+10A。

SJ 20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法电流/电流变换器电流调整率只测：电压范围：-1000V～+1000V，电流范围：-10A～+10A。

SJ 20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法电流/电流变换器输入电流只测：电流范围：-10A～+10A。

SJ 20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法电流/电流变换器输出电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

SJ 20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法电流/电流变换器输出电流只测：电流范围：-10A～+10A。

SJ/T 10805-2018 《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》电压比较器低电平输出电流只测：电流范围：-10A～+10A。

SJ/T 10805-2018 《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》电压比较器共模抑制比

SJ/T 10805-2018 《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》电压比较器开环电压增益

SJ/T 10805-2018 《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》电压比较器电源电压抑制比

SJ/T 10805-2018 《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》电压比较器输入偏置电流只测：电流范围：-10A～+10A。

SJ/T 10805-2018 《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》电压比较器输入失调电压只测：电压范围：-1000V～+1000V。

SJ/T 10805-2018 《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》电压比较器输入失调电流只测：电流范围：-10A～+10A。

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