检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
JESD22-A101D.01：2021 稳态温湿度偏差寿命试验
半导体器件
高温高湿反偏试验
只测：温度：85℃，湿度：85% ，电压： 10V～1200V，试验箱内尺寸（深×宽×高）：800mm×700mm×850mm
JESD22-A104F.01：2023 温度循环
半导体器件
温度循环
只测：温度： -65℃～150℃，升降温变化速率不大于15℃/分钟，试验箱内尺寸（深×宽×高）：540mm×630mm×690mm
JESD22-A106B.02：2023 温度冲击
半导体器件
温度冲击
只测： 温度 -65℃～160℃，试验箱内尺寸（深×宽×高）：495mm×315mm×460mm
JESD22-A108G：2022 温度、偏置和工作寿命
半导体器件
高温反偏试验
只测：温度：120℃～175℃，电压： 1V～1200V，试验箱内尺寸（深×宽×高）：600mm×600mm×600mm。
JESD22-A108G：2022 温度、偏置和工作寿命
半导体器件
高温栅偏试验
只测：温度：120℃～175℃，电压： 1V～60V，试验箱内尺寸（深×宽×高）：600mm×600mm×600mm。
JESD22-A110E.01：2021 高加速温度和湿度应力测试（HAST）
半导体器件
高加速温湿度应力试验
只测： 温度：130℃±2℃， 湿度：85%RH±5%RH， 蒸汽压力：230kPa， 电压：24V～520V， 试验箱内尺寸（直径×深度）：420mm×657mm
JESD22-A118B.01：2021 加速防潮试验-无偏压高加速试验
半导体器件
无偏置高加速温湿度应力试验
只测： 条件A，试验箱内尺寸（直径×深度）：420mm×657mm
MIL-STD-750-1A：2021 半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至1999
半导体器件
间歇运行寿命试验
只测：电压：5V～80V，电流：1A～20A，样品最大尺寸（长×宽×厚）：41mm×15.8mm×5mm
MIL-STD-750-3:2019 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
二极管正向压降
只测：电压 1V～1700V，电流：1μA～200A
MIL-STD-750-3:2019 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
导通电压
只测：电压 1V～1700V，电流：1μA～200A
MIL-STD-750-3:2019 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
导通电阻
只测：电压 1V～1700V，电流：1μA～200A
MIL-STD-750-3:2019 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
栅射漏电流
只测：电压：1V～1700V，电流：1μA～10mA
MIL-STD-750-3:2019 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
栅源漏电流
只测：电压：1V～1700V，电流：1μA～10mA
MIL-STD-750-3:2019 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
漏源击穿电压
只测：电压 1V～1700V
MIL-STD-750-3:2019 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
漏源漏电流
只测：电压：1V～1700V，电流：1μA～10mA
MIL-STD-750-3:2019 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
阈值电压
只测：电压 1V～1700V
MIL-STD-750-3:2019 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
集射击穿电压
只测：电压 1V～1700V
MIL-STD-750-3:2019 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
集射漏电流
只测：电压：1V～1700V，电流：1μA～10mA
MIL-STD-750-3:2019 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
饱和压降
只测：电压 1V～1700V，电流：1μA～200A