检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
JESD22-A103E.01:2021 高温存储寿命测试
半导体器件
高温储存寿命（HTSL）
只测：条件 B: +150 (-0/+10) ℃； 条件 C: +175 (-0/+10) ℃；箱内尺寸:600mm×600mm×600mm
JESD22-A108G：2022 温度、偏置和工作寿命
半导体器件
高温反偏试验(HTRB)
只测：HTRB方法，温度：室温～175℃；电源：（电压：≤1500V DC；电流：≤1200mA）
JESD22-A108G：2022 温度、偏置和工作寿命
半导体器件
高温栅偏试验(HTGB)
只测：HTGB方法，温度：室温～175℃；电源：（电压：≤1500V DC；电流：≤1200mA）
JESD22-A110E.01：2021 高加速温度和湿度应力测试（HAST）
半导体器件
高加速应力试验(HAST)
只测：110±2℃、85±5%RH；130±2℃、 85±5%RH； 电压：≤1500V DC
JESD22-A118B.01：2021 加速防潮试验-无偏压高加速试验
半导体器件
无偏置高加速应力试验(UHAST)
只测：110±2℃、85±5%RH；130±2℃、 85±5%RH；箱内尺寸：ø420mm×657mm
MIL-STD-750-3:2023 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
导通电阻(RDS(ON))
只测： 电压：0～30V 电流：0～500A
MIL-STD-750-3:2023 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
栅射漏电流(IGES)
只测： 电压：0～200V DC；电流：0～10mA
MIL-STD-750-3:2023 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
栅源漏电流(IGSS)
只测： 电压：0～200V DC； 电流：0～10mA
MIL-STD-750-3:2023 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
漏极反向电流(IDGO)
只测： 电压：0～3000V DC； 电流：0～10mA
MIL-STD-750-3:2023 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
漏源击穿电压(BVDSS)
只测： 电压：0～3000V DC 电流：100nA～50mA
MIL-STD-750-3:2023 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
漏源漏电流(IDSS)
只测： 电压：0～3000V DC；电流：0～10mA
MIL-STD-750-3:2023 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
阈值电压(VTH)
只测： 电压：0～20V DC； 电流：100nA～9.99A
MIL-STD-750-3:2023 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
集射击穿电压(BVCES)
只测： 电压：0～3000V DC；电流：100nA～50mA
MIL-STD-750-3:2023 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
集射漏电流(ICES)
只测： 电压：0～3000V DC；电流：0～10mA
MIL-STD-750-3:2023 半导体器件的晶体管电学试验方法 第3部分：方法3000至3999
半导体器件
饱和压降VCE(SAT)
只测： 电压：0～30V DC；电流：0～500A
MIL-STD-750-4:2019 半导体器件的晶体管电学试验方法 第4部分：方法4000至4999
半导体器件
正向压降(VF)
只测： 电压：0～20V DC；电流：100nA～500A