检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
AQG324：2021 机动车辆电力电子转换装置用电源模块的鉴定
半导体器件
功率循环
只测：电压≤20V,电流≤350A；样品尺寸≤W250mm×D300mm×H580mm。
AQG324：2021 机动车辆电力电子转换装置用电源模块的鉴定
半导体器件
温度冲击
只测：温度范围-65℃～150℃；样品尺寸≤W410mm×D460mm×H370mm。
AQG324：2021 机动车辆电力电子转换装置用电源模块的鉴定
半导体器件
高温存储
只测：125℃～+200℃;样品尺寸≤W1000mm×D1000mm×H1000mm。
AQG324：2021 机动车辆电力电子转换装置用电源模块的鉴定
半导体器件
高温栅偏
只测：温度：30℃～180℃；电压≤100V；电流≤7.5A; 样品尺寸≤W600mm×D600mm×H600mm。
AQG324：2021 机动车辆电力电子转换装置用电源模块的鉴定
半导体器件
高温高湿反偏
只测：温度:（85±2）℃；湿度:（85%±5）%RH，电压≤2000V；电流≤100mA；样品尺寸≤W630mm×D720mm×H900mm。
EIA/IPC/JEDEC J-STD-002E：2017 元器件引线、焊端、焊⽚、端⼦和导线的可焊性试验
半导体器件
可焊性
只测：无铅条件，4.2.4 测试 D- 锡 / 铅或无铅焊料 - 金属层 耐溶蚀性测试；4.2.6 试验A1；4.2.7 试验 B1；样品尺寸≤W110mm×D160mm×H60mm。
IPC/JEDEC J-STD-020F:2022 非气密表面贴装器件潮湿/再流焊敏感度分级测试
半导体器件
预处理
只测：1）烘烤：温度：85℃～175℃；2）湿浸：30℃～85℃，湿度：60%RH～85%RH；3）回流焊：25℃～300℃；4）温度循环：-65℃～150℃；只用于非气密性表面贴装的器件；不测8.2初始电气测试，8.8最终电气测试，8.9最终超声显微镜项目。
JESD22 A-101D.01:2021 稳态温湿度偏置寿命试验
半导体器件
高温高湿反偏
只测：温度:（85±2）℃；湿度:（85%±5）%RH，电压≤2000V；电流≤100mA；样品尺寸≤W630mm×D720mm×H900mm。
JESD22 A-110E.01：2021 高加速温度和湿度应力试验
半导体器件
偏置高加速应力
只测：1）温度：(130±2)℃，湿度：(85±5)%RH，蒸汽压：230kPa；2）温度：(110±2)℃，湿度：(85±5)%RH，蒸汽压：122kPa；电压≤150V；电流≤5A；样品尺寸≤Φ394 mm×D426mm
JESD22-A103E.01：2021 高温存储寿命
半导体器件
高温存储
只测：条件A,B,C;样品尺寸≤W1000mm×D1000mm×H1000mm。
JESD22-A104F.01:2023 温度循环
半导体器件
温度循环
只测：测试条件B,C,G,H；样品尺寸≤W630mm×D540mm×H690mm。
JESD22-A108G：2022 温度、偏置和工作寿命
半导体器件
高温反偏
只测：温度：30℃～175℃；电源1：（电压≤2000V；电流≤800mA）；电源2：（电压≤32V；电流≤3A）；样品尺寸≤W600mm×D600mm×H600mm。
JESD22-A108G：2022 温度、偏置和工作寿命
半导体器件
高温工作寿命
只测：壳温：80℃～150℃ ；漏极电压≤70V ；漏极电流≤3A ；栅极电压：-8V～+8V；样品尺寸≤W1570mm×D240mm×H1380mm。
JESD22-A108G：2022 温度、偏置和工作寿命
半导体器件
高温栅偏
只测：温度：30℃～180℃；电压≤100V；电流≤7.5A; 样品尺寸≤W600mm×D600mm×H600mm。
JESD22-A113I:2020 非密封表面贴装器件在可靠性测试之前的预处理方法
半导体器件
预处理
只测：1）烘烤：温度：85℃～175℃；2）湿浸：30℃～85℃，湿度：60%RH～85%RH；3）回流焊：25℃～300℃；4）温度循环：-65℃～150℃；只用于非气密性表面贴装的器件；不测5.1初始电气测试、5.11最终电气测试、及不适用5.6.1~5.9 助焊剂应用、清洁、干燥，超声扫描项目。
JESD22-A118B.01:2021 加速抗湿-无偏压高加速温湿度应力试验
半导体器件
非偏置高加速应力
只测：1）温度：(130±2)℃，湿度：(85±5)%RH，蒸汽压：230kPa；2）温度：(110±2)℃，湿度：(85±5)%RH，蒸汽压：122kPa；样品尺寸≤Φ394 mm×D426mm
MIL−STD−750−1B w/CHANGE 2：2023 半导体器件的环境试验方法 第 1 部分：方法1000 至1999
半导体器件
间歇工作寿命
只测：1）电压≤80V,电流≤20A；2）电压≤40V,电流≤60A；样品尺寸≤W420mm×D580mm×H440mm。
MIL−STD−750−1B w/CHANGE 2：2023 半导体器件的环境试验方法 第 1 部分：方法1000 至1999
半导体器件
高温反偏
只测 条件A，温度：30℃～175℃；电源1：（电压：≤2000V；电流：≤800mA）；电源2：（电压：≤32V；电流：≤3A）；样品尺寸≤W600mm×D600mm×H600mm。