检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
GB/T 15291-2015 半导体器件第6部分：晶闸管
电子元器件
擎住电流
只测：100uA～3A
GB/T 15291-2015 半导体器件第6部分：晶闸管
电子元器件
断态电流
只测：1nA～3A
GB/T 15291-2015 半导体器件第6部分：晶闸管
电子元器件
维持电流
只测：10uA～1.5A
GB/T 15291-2015 半导体器件第6部分：晶闸管
电子元器件
通态电压
只测：（0.1～9.99）V
GB/T 15291-2015 半导体器件第6部分：晶闸管
电子元器件
门极触发电流（或）门极触发电压
只测：电流1nA～3A，电压（0.1～20）V
GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
专用电子设备及部件
低温试验
只测：温度范围（-70～150）℃；试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）:1000x1000x1000）
GB/T 2423.10-2019 环境试验 第2部分：试验方法 试验Fc: 振动(正弦)
专用电子设备及部件
正弦振动试验
只测：最大输出功率2T，振动频率（5～2000）Hz
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
专用电子设备及部件
高温试验
只测：温度范围（-70～150）℃；试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）:1000x1000x1000）
GB/T 2423.22-2012 环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化
专用电子设备及部件
温度变化
只测：温度范围（-70～150）℃；试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）:1000x1000x1000）；只测：Na、Nb
GB/T 2423.3-2016 环境试验 第2部分：试验方法 试验Cab：恒定湿热试验
专用电子设备及部件
恒定湿热试验
只测：温湿度范围（-70～150）℃、（20%～98%）RH；试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）:1000x1000x1000）
GB/T 2423.34-2012 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Z/AD：温度/湿度组合循环试验
专用电子设备及部件
温湿度组合循环试验
只测：温湿度范围（-70～150）℃、（20%～98%）RH；试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）:1000x1000x1000）；仅限特定客户
GB/T 2423.4-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Db：交变湿热（12h+12h 循环）
专用电子设备及部件
交变湿热试验
只测：温湿度范围（-70～150）℃、（20%～98%）RH；试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）:1000x1000x1000）
GB/T 2423.56-2018 环境试验 第2部分：试验方法 试验Fh：宽带随机振动和导则
专用电子设备及部件
随机振动试验
只测：最大输出功率2T，振动频率（5～2000）Hz； 仅限特定客户
GB/T 2423.56-2023 环境试验 第2部分：试验方法 试验Fh：宽带随机振动和导则
专用电子设备及部件
随机振动试验
只测：最大输出功率2T，振动频率（5～2000）Hz
GB/T 2693-2001 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电子元器件
外观检查
仅限特定客户
GB/T 2693-2001 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电子元器件
电容量
只测：频率100Hz～10kHz 仅限特定客户
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
电子元器件
栅极-发射极阈值电压
只测：（0.1～20）V
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
电子元器件
栅极漏电流
只测：1nA～3A
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
电子元器件
集电极-发射极电压
只测：（0.1～20）V
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
电子元器件
集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压
只测：（0.1～20）V
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
电子元器件
集电极-发射极饱和电压
只测：（0.1～9.99）V
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
电子元器件
集电极截止电流
只测：1nA～3A
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
电子元器件
反向击穿电压
只测：（0.1～2000）V
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
电子元器件
反向电流
只测：1nA～50mA
GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
电子元器件
正向电压
只测：（0.1～9.99）V
GB/T 43027-2023 高压电源变换器模块测试方法
电子元器件
输出电压
只测：（0～1000）V
GB/T 43027-2023 高压电源变换器模块测试方法
电子元器件
输出电流
只测：（0～5）A
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
电子元器件
栅-源截止电压（A和B型）
只测：（0.1～20）V
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
电子元器件
栅源阈值电压(C型）
只测：（0.1～20）V
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
电子元器件
漏极截止电流（A、B和C型）
只测：1nA～50mA
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
电子元器件
结栅型（A型）的栅极截止电流
只测：1nA～3A
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
电子元器件
绝缘栅极（B和C型）的栅极漏泄电流
只测：1nA～3A
GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
电子元器件
静态漏-源通态电阻或漏源通态电压和断态电阻
只测：（0.1～20）V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
发射极-基极截止电流（直流法）
只测：1nA～3A
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
基极-发射极电压（直流法）
只测：（0.1～9.99）V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
基极-发射极饱和电压（直流法）
只测：（0.1～9.99）V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
集电极-发射极截止电流（直流法）
只测：1nA～50mA
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
集电极-发射极饱和电压（直流法）
只测：（0.1～9.99）V
GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
电子元器件
集电极-基极截止电流（直流法）
只测：1nA～50mA
GB/T 5729-2003 电子设备用固定电阻器 第1部分：总规范
电子元器件
外观检查
GB/T 5729-2003 电子设备用固定电阻器 第1部分：总规范
电子元器件
电阻值
只测：（0～100）MΩ
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电子元器件
外观检查
GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
电子元器件
电容量
只测：频率100Hz～10kHz
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
电子元器件
反向电流
只测：1nA～50mA
GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
电子元器件
正向电压
只测：（0.1～9.99）V
GJB 1032-1990 电子产品环境应力筛选方法
专用电子设备及部件
电子产品环境应力筛选
只测：最大输出功率2T，振动频率（5～2000）Hz； 只测：温度范围（-70～150）℃；试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）:1000x1000x1000） 仅限特定客户
GJB 1032A-2020 电子产品环境应力筛选方法
专用电子设备及部件
电子产品环境应力筛选
只测：最大输出功率2T，振动频率（5～2000）Hz； 只测：温度范围（-70～150）℃；试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）:1000x1000x1000）
GJB 150.3A-2009 军用装备实验室环境试验方法-第3部分：高温试验
专用电子设备及部件
高温试验
只测：温度范围（-70～150）℃；试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）:1000x1000x1000）
GJB 150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方法-第4部分：低温试验
专用电子设备及部件
低温试验
只测：温度范围（-70～150）℃；试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）:1000x1000x1000）
GJB 1864A-2011 射频固定和可变片式电感器通用规范
电子元器件
电感量
只测：频率100Hz～10kHz
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电子元器件
温度冲击试验
只测：温度范围（-70～150）℃； 试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）：700x900x800）;不测：液体介质法。
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电子元器件
电容量
只测：频率100Hz～10kHz
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电子元器件
电阻值
只测：（0～100）MΩ
GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法
电子元器件
高温寿命试验
只测：温度范围（室温～200℃）；老化电压范围（0～300）V
GJB 5025-2003 射频固定和可变电感器通用规范
电子元器件
电感量
只测：频率100Hz～10kHz
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
外观检查
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
温度循环
只测：温度范围（-70～150）℃； 试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）:700x900x800）
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
电子元器件
老炼试验
只测：温度范围（室温～200℃）；电压范围（0.01～100.0）V；电流范围（0.01～5.00）A
GJB 917A-2011 线绕预调电位器通用规范
电子元器件
外观检查
GJB 917A-2011 线绕预调电位器通用规范
电子元器件
总阻值
只测：（0～100）MΩ
GJB 918A-2011 非线绕预调电位器通用规范
电子元器件
外观检查
GJB 918A-2011 非线绕预调电位器通用规范
电子元器件
总阻值
只测：（0～100）MΩ
GJB128B-2021 半导体分立器件试验方法
电子元器件
外观检查
GJB128B-2021 半导体分立器件试验方法
电子元器件
温度循环
只测：温度范围（-70～150）℃； 试验箱最大内尺寸：（长x宽x高（mm）:700x900x800）
GJB128B-2021 半导体分立器件试验方法
电子元器件
老炼和寿命试验（功率场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管IGBT）
只测：温度范围（室温～200℃）；老化范围（0～60）V
GJB128B-2021 半导体分立器件试验方法
电子元器件
老炼（二极管、整流管、电压调整和电压基准管）
只测：温度范围（室温～200℃）；老化电压范围（0～60）V
GJB128B-2021 半导体分立器件试验方法
电子元器件
老炼（晶体管）
只测：温度范围（室温～200℃）；老化电压范围（0～60）V
GJB128B-2021 半导体分立器件试验方法
电子元器件
老炼（闸流晶体管）
只测：温度范围（室温～200℃）；老化电压范围（0～60）V
SJ 20646-1997 混合集成电路DC/DC 变换器测试方法
电子元器件
输出电压
只测：（0～1000）V
SJ/T 2215-2015 半导体光耦合器测试方法
电子元器件
反向击穿电压（二极管）
只测：（0.1～20）V
SJ/T 2215-2015 半导体光耦合器测试方法
电子元器件
反向电流（二级管）
只测：1nA～10A
SJ/T 2215-2015 半导体光耦合器测试方法
电子元器件
正向电压(输入二极管）
只测：（0.1～20）V
SJ/T 2215-2015 半导体光耦合器测试方法
电子元器件
正向电流（二极管）
只测：1nA～10A
SJ/T 2215-2015 半导体光耦合器测试方法
电子元器件
集电极-发射极击穿电压
只测：（0.1～20）V
SJ/T 2215-2015 半导体光耦合器测试方法
电子元器件
集电极-发射极饱和电压
只测：（0.1～20）V
SJ/T 2885-2003 电子设备用固定电感器 第1部分：总规范
电子元器件
外观检查
SJ/T 2885-2003 电子设备用固定电感器 第1部分：总规范
电子元器件
电感量
只测：频率100Hz～10kHz
SJ20646-1997 混合集成电路DC/DC变换器测试方法
电子元器件
输出电流
只测：（0～5）A