首页› 全国检测机构› 河北省检测机构› 河北北芯半导体科技有限公司

河北北芯半导体科技有限公司

CNAS实验室认可 active 河北省 · 石家庄市

CNAS认可证书	L0567
机构地址	河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号
发证机关	CNAS
联系电话	031****33504 完整号码请咨询获取

📍 机构位置在新窗口打开地图 →

💡 需要委托这家机构做检测？

提交您的检测需求（样品、项目、预算），平台为您对接河北北芯半导体科技有限公司或同资质优选机构，获取报价与检测方案。

📋 河北北芯半导体科技有限公司 CNAS 检测能力

共 1000 项认可能力

检测标准检测对象参数 / 项目限制说明

AEC-Q100-002-REV-E -2013 人体模型静电放电测试电子产品（静电敏感）静电放电敏感度分级人体放电模型（HBM） "只测：充电电压范围：100V～8kV，自动放电"

AEC-Q101-001-REV-A -2005 人体模型（HBM）静电放电（ESD）测试电子产品（静电敏感）静电放电敏感度分级人体放电模型（HBM） "只测：充电电压范围：100V～8kV，自动放电"

AEC-Q102-001-2020 凝露试验电子元器件及设备(气候) 耐湿只测：箱体容积≤11.4m³

ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2023 ESD委员会标准测试方法：设备级静电放电敏感度测试—人体模型电子产品（静电敏感）静电放电敏感度分级人体放电模型（HBM）只测：充电电压范围：100V～8kV，自动放电

EIA-198-2-E-1998 陶瓷介质电容器ⅠⅡⅢⅣ系列第二部分：试验方法电子元器件及设备(气候) 低气压只测: 真空度范围：常压～1.3×10-5Pa，容积：≤1.8m³；真空度范围：常压～100Pa，容积：≤0.5m³

EIA-198-2-E-1998 陶瓷介质电容器ⅠⅡⅢⅣ系列第二部分：试验方法电子元器件及设备(气候) 稳态湿热只测：箱体容积≤11.4m³

EIA-198-2-E-1998 陶瓷介质电容器ⅠⅡⅢⅣ系列第二部分：试验方法电子元器件及设备(气候) 耐湿只测：箱体容积≤11.4m³

EIA-198-2-E-1998 陶瓷介质电容器ⅠⅡⅢⅣ系列第二部分：试验方法电子元器件及设备（寿命及可靠性）稳态寿命

EIA-198-2-E-1998 陶瓷介质电容器ⅠⅡⅢⅣ系列第二部分：试验方法电子元器件及设备（机械性能）扫频振动只测：最大随机推力：50kN，频率范围：1Hz～2000Hz，最大空载加速度：900m/s2，最大位移：100mm

EIA-198-2-E-1998 陶瓷介质电容器ⅠⅡⅢⅣ系列第二部分：试验方法电子元器件及设备（机械性能）机械冲击只测：最大负载：5kg，加速度范围：≤300000m/s2，脉宽：0.1ms-40ms，半正弦波；最大负载：90kg，加速度范围：≤30000m/s2，脉宽：0.2ms-40ms，半正弦波；最大负载：90kg，加速度范围：≤1000m/s2，脉宽：6ms、11ms，后峰锯齿波；最大负载：90kg，加速度范围：≤150m/s2，脉宽：11ms，梯形波

EIA/JESD 51-1：1995 集成电路热测量方法——电学测试法（单芯半导体器件）二极管瞬态热阻抗 "只测：加热电流：-2A～200A 测试电流：±（0.1～1）A 温敏电压： -5V～30V"

EIA/JESD 51-1：1995 集成电路热测量方法——电学测试法（单芯半导体器件）双极型晶体管结至环境的热阻/结至壳的热阻 "只测：加热电流：-2A～20A 测试电流：-25mA～400mA 温敏电压：-5V～30V 加热电压：-10V～200V"

EIA/JESD 51-1：1995 集成电路热测量方法——电学测试法（单芯半导体器件）场效应晶体管结至环境的热阻/结至壳的热阻 "只测：加热电流：-2A～200A 测试电流：±（0.1～1）A 温敏电压： -5V～30V 加热电压：-10V～200V"

EIA/JESD 51-1：1995 集成电路热测量方法——电学测试法（单芯半导体器件）绝缘栅双极型晶体管结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗 "只测：加热电流：-2A～200A 测试电流：±（0.1～1）A 温敏电压： -5V～30V 加热电压：-10V～200V"

GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范光耦合器反向电流只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A 仅限特定用户、特定产品

GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范光耦合器发射极-基极击穿电压只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A 仅限特定用户、特定产品

GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范光耦合器发射极-集电极击穿电压只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A 仅限特定用户、特定产品。

GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范光耦合器正向电压只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A 仅限特定用户、特定产品

GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范光耦合器电流传输比只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A 仅限特定用户、特定产品

GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范光耦合器集电极-发射极截止电流只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A 仅限特定用户、特定产品

GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范光耦合器集电极-发射极饱和电压只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A 仅限特定用户、特定产品

GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范光耦合器集电极-基极击穿电压只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A 仅限特定用户、特定产品

GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范光耦合器集电极-基极截止电流只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A 仅限特定用户、特定产品

GB 4706.1-2005 家用和类似用途电器的安全第1 部分：通用要求电器、设备安全试验针焰只测：非金属材料、气源为丁烷、施焰角度0-45°、尺寸小于1100mm*500mm*1200mm

GB/T 10125-2021 人造气氛腐蚀试验盐雾试验电子元器件及设备(气候) 盐雾（盐汽）只测：温度范围：35℃～50℃；箱体容积：≤1.4m³。

GB/T 10190-2012 电子设备用固定电容器第16部分：分规范金属化聚丙烯膜介质直流固定电容器固定电容器介质耐压 "只测：耐压≤20kV"

GB/T 10190-2012 电子设备用固定电容器第16部分：分规范金属化聚丙烯膜介质直流固定电容器固定电容器损耗角正切 "只测：损耗角正切0～9999"

GB/T 10190-2012 电子设备用固定电容器第16部分：分规范金属化聚丙烯膜介质直流固定电容器固定电容器电容量 "只测：电容量： 1pF～100μF"

GB/T 10190-2012 电子设备用固定电容器第16部分：分规范金属化聚丙烯膜介质直流固定电容器固定电容器绝缘电阻 "只测：绝缘电阻＜1×1014Ω"

GB/T 11313.201-2018 射频连接器第201部分：电气试验方法反射系数和电压驻波比连接器电压驻波比只测：频率：10MHz～40GHz

GB/T 11313.202-2018 射频连接器第202部分：电气试验方法插入损耗连接器插入损耗只测：频率：10MHz～40GHz

GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法半导体集成电路（模拟开关）导通电阻只测：电阻值： (0～2000)Ω

GB/T 14028-2018 半导体集成电路模拟开关测试方法半导体集成电路（模拟开关）导通电阻路差只测：电阻值： (0～2000)Ω

GB/T 15291-2015 半导体器件第6部分：晶闸管闸流晶体管通态电压只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A

GB/T 15291-2015 半导体器件第6部分：晶闸管闸流晶体管门极触发电压只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A

GB/T 15291-2015 半导体器件第6部分：晶闸管闸流晶体管门极触发电流只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A

GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法光耦合器电流传输比只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A

GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法光耦合器集电极-发射极截止电流只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A

GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法光耦合器集电极-发射极饱和电压只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A

GB/T 16513-1996 抑制射频干扰固定电感器第二部分分规范试验方法和一般要求的选择固定电感器电感只测：电感：100pH～100H

GB/T 16526-1996 封装引线间电容和引线负载电容测试方法半导体分立器件外壳引线间电容只测：电容量： 1pF～100pF

GB/T 16526-1996 封装引线间电容和引线负载电容测试方法半导体集成电路外壳引线间电容只测：电容量： 1pF～100pF

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）功能检验只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）动态条件下的总电源电流只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）延迟时间只测电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）滞后电压只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）电源电流只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）输入低电平电流只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）输入正向阈值电压只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）输入电流只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）输入箝位电压只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）输入负向阈值电压只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）输入高电平电流只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）输出低电平时电源电流只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）输出低电平电压只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）输出短路电流只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）输出高电平时电源电流只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）输出高电平电压只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路半导体集成电路（数字集成电路）输出高阻态电流只测：电压：-60V～80V 电流：-64A～64A

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（稳压器）基准电压只测：电压：-50V～50V 电流：-10A～10A

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（稳压器）电压调整率 "只测：电压：-50V～50V 电流：-10A～10A"

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（稳压器）电流调整率 "只测：电压：-50V～50V 电流：-10A～10A"

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（稳压器）耗散电流 "只测：电压：-50V～50V 电流：-10A～10A"

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）共模抑制比只测：（40～200）dB

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）开环电压放大倍数只测：（40～200）dB

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）正电源电压抑制比只测：（40～200）dB

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）正电源电流只测：电流：-10A～10A

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）正输出电压范围只测： 0～40V

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）电源电流只测：电流：-10A～10A

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）负电源电压抑制比只测：（40～200）dB

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）负电源电流只测：电流：-10A～10A

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）负输出电压范围只测： 0～40V

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）输入偏置电流（反相）只测：电流：0～8μA

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）输入偏置电流（同相）只测：电流：0～8μA

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）输入失调电压只测：电压：-100mV～100mV

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）输入失调电流只测：电流：0～8μA

GB/T 17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路半导体集成电路（运算放大器、电压比较器）输出电压范围只测： 0～80V

GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件二极管反向电流只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A

GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件二极管正向电压只测：电压：0～5000V 电流：0～1200A

GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件场效应晶体管 1分贝增益压缩点的功率增益只测：频率：10MHz～50GHz

GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件场效应晶体管 1分贝增益压缩点输出功率只测：频率：10MHz～50GHz

GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件场效应晶体管功率附加效率只测：频率：10MHz～50GHz

GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件场效应晶体管噪声系数只测：频率：10MHz～26.5GHz

GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件场效应晶体管规定输入功率时的输出功率只测：频率：10MHz～50GHz

GB/T 20870.2-2023 半导体器件第16-2部分：微波集成电路预分频器微波元器件输出功率﹑输出功率频响﹑增益 "只测：频率：10MHz～50GHz 功率≤50W"

GB/T 20870.5-2023 半导体器件第16-5部分：微波集成电路振荡器微波元器件电调谐线性度、调频线性度、电调灵敏度 "只测：频率：3Hz～26.5GHz 功率≤50W"

GB/T 20870.5-2023 半导体器件第16-5部分：微波集成电路振荡器微波元器件相位噪声 "只测：频率：10MHz～26.5GHz 功率≤50W"

GB/T 20870.5-2023 半导体器件第16-5部分：微波集成电路振荡器微波元器件输出功率﹑输出功率频响﹑增益 "只测：频率：10MHz～50GHz 功率≤50W"

GB/T 20870.5-2023 半导体器件第16-5部分：微波集成电路振荡器微波元器件频率范围、频率准确度 "只测：频率≤26.5GHz 功率≤50W"

GB/T 20870.5-2023 半导体器件第16-5部分：微波集成电路振荡器微波元器件频谱纯度 "只测：频率：3Hz～26.5GHz 功率≤50W"

GB/T 21041-2007 电子设备用固定电容器第21部分: 分规范表面安装用1类多层瓷介固定电容器固定电容器电容量只测： "电容量： 1pF～1000μF"

GB/T 21042-2007 电子设备用固定电容器第22部分：分规范表面安装用2类多层瓷介固定电容器固定电容器介质耐压 "只测：耐压≤20kV"

GB/T 21042-2007 电子设备用固定电容器第22部分：分规范表面安装用2类多层瓷介固定电容器固定电容器损耗角正切 "只测：损耗角正切0～9999"

GB/T 21042-2007 电子设备用固定电容器第22部分：分规范表面安装用2类多层瓷介固定电容器固定电容器电容量 "只测：电容量： 1pF～100μF"

GB/T 21042-2007 电子设备用固定电容器第22部分：分规范表面安装用2类多层瓷介固定电容器固定电容器等效串联电阻 "只测： 0.1Ω~1MΩ"

GB/T 21042-2007 电子设备用固定电容器第22部分：分规范表面安装用2类多层瓷介固定电容器固定电容器绝缘电阻 "只测：绝缘电阻＜1×1014Ω"

GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温电子元器件及设备(气候) 低温试验只测：温度≥-70℃，箱体容积≤11.4 m³;温度≥-120℃，箱体容积≤0.25m³

GB/T 2423.1-2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温电工电子产品低温试验温度范围：-65℃～常温，容积：1m³。

河北北芯半导体科技有限公司

💡 需要委托这家机构做检测？

📋 河北北芯半导体科技有限公司 CNAS 检测能力

石家庄市更多检测机构

发布检测需求