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廊坊第六九一六仪器厂

CNAS实验室认可 active 河北省 · 廊坊市

CNAS认可证书	L22816
机构地址	河北省廊坊市爱民东道174号
发证机关	CNAS
联系电话	181****8571 完整号码请咨询获取

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📋 廊坊第六九一六仪器厂 CNAS 检测能力

共 74 项认可能力

检测标准检测对象参数 / 项目限制说明

GB/T 11170-2008 不锈钢多元素含量的测定火花放电原子发射光谱法（常规法）不锈钢碳,硅,锰,铬,镍,磷,硫不做取样，只测：C：0.037%～0.30%、Si：0.315%～1.06%、Mn：0.363%～7.87%、Cr：12.5%～18.08%、Ni：0.198%～8.56%、S：0.0055%～0.021%、P：0.025%～0.042%

GB/T 24234-2009 铸铁多元素含量的测定火花放电原子发射光谱法(常规法) 铸铁铝,硅不做取样，只测牌号QT450

GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管整流二极管反向电流只测：直流法；最大电压±2000V；最大电流±200A

GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管整流二极管正向电压只测：脉冲法；最大电压±2000V；最大电流±200A

GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管整流二极管雪崩和可控雪崩整流二极管的击穿电压只测：最大电压±2000V；最大电流±200A

GB/T 4336-2016 /XG1-2017 碳素钢和中低合金钢多元素含量的测定火花放电原子发射光谱法(常规法)/国家标准第1号修改单碳素钢和中低合金钢碳,磷,硫,锰,硅,铬,钼,镍不做取样，只测：C：0.0024%～1.01%、P：0.0068%～0.034%、S：0.002%～0.038%、Mn：0.176%～1.31%、Si：0.020%～1.2%、Cr：0.026%～1.02%、Mo：0.0009%～0.204% 、Ni：0.006%～1.35%

GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法电压调整器基准电压只测：输出可调；最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法电压调整器电压调整率只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法电压调整器电流调整率只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法电压调整器电源纹波抑制比只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法电压调整器耗散电流和耗散电流变化只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法电压调整器输出电压只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管共发射极正向电流传输比只测：脉冲法；最大电压±2000V；最大电流±200A

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管发射极-基极截止电流只测：最大电压±2000V；最大电流±200A

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管发射极-基极电压只测：最大电压±2000V；最大电流±200A

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管基极-发射极饱和电压只测：脉冲法；最大电压±2000V；最大电流±200A

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管集电极-发射极截止电流只测：最大电压±2000V；最大电流±200A

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管集电极-发射极电压只测：最大电压±2000V；最大电流±200A

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管集电极-发射极饱和电压只测：脉冲法；最大电压±2000V；最大电流±200A

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管集电极-基极截止电流只测：最大电压±2000V；最大电流±200A

GB/T 4587-2023 半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管双极型晶体管集电极-基极电压只测：最大电压±2000V；最大电流±200A

GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器第1部分：总规范电容器损耗角正切只测：频率：20Hz～120MHz；损耗：0.001～1

GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器第1部分：总规范电容器漏电流只测：电压：1V～800V 电流：0.0001mA～20mA

GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器第1部分：总规范电容器电容量只测：频率：20Hz～120MHz；电容：1pF～10mF

GB/T 6346.1-2024 电子设备用固定电容器第1部分：总规范电容器绝缘电阻只测：试验A；105Ω～1011Ω

GB/T 7999-2015 铝及铝合金光电直读发射光谱分析方法铝及铝合金铜,铁,镁,硅,锰,钛,锌,铬不做取样，只测：Cu：0.0006%～4.22%、Fe：0.086%～0.502%、Mg：0.0072%～6.44%、Si：0.046%～0.729%、Mn：0.0014%～1.28%、Ti：0.0097%～0.106%、Zn：0.0028%～6.24%、Cr：0.0007%～0.199%

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路CMOS电路输入低电平电流只测：管脚数≤24通道；最大电压±20V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路CMOS电路输入高电平电流只测：管脚数≤24通道；最大电压±20V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路CMOS电路输出低电平电压只测：管脚数≤24通道；最大电压±20V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路CMOS电路输出高电平电压只测：管脚数≤24通道；最大电压±20V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路CMOS电路输出高阻态电流只测：管脚数≤24通道；最大电压±20V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路CMOS电路静态条件下的电源电流只测：管脚数≤24通道；最大电压±20V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路TTL电路输入低电平电流只测：管脚数≤48通道；最大电压±11V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路TTL电路输入电流只测：管脚数≤48通道；最大电压±11V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路TTL电路输入钳位电压只测：管脚数≤48通道；最大电压±11V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路TTL电路输入高电平电流只测：管脚数≤48通道；最大电压±11V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路TTL电路输出低电平电压只测：管脚数≤48通道；最大电压±11V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路TTL电路输出短路电流只测：管脚数≤48通道；最大电压±11V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路TTL电路输出高电平电压只测：管脚数≤48通道；最大电压±11V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路TTL电路输出高阻态电流只测：管脚数≤48通道；最大电压±11V；最大电流±500mA

GB/T17574-1998 半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路第Ⅳ篇半导体集成电路TTL电路静态条件下的电源电流只测：管脚数≤48通道；最大电压±11V；最大电流±500mA

GB/T17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器测试方法基本原理运算放大器共模抑制比只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器测试方法基本原理运算放大器单位增益频率（增益带宽乘积）只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器测试方法基本原理运算放大器差分放大器的输出电压范围只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器测试方法基本原理运算放大器差分输入线性放大器的输入失调电压只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器测试方法基本原理运算放大器开环电压放大倍数只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器测试方法基本原理运算放大器电源电压抑制比只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器测试方法基本原理运算放大器电源电流只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器测试方法基本原理运算放大器输入偏置电流只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器测试方法基本原理运算放大器输入失调电流只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GB/T17940-2000 半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路运算放大器测试方法基本原理运算放大器输出电压最大变化率（转化速率）只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GJB 150.11A-2009 军用装备实验室环境试验方法第11部分:盐雾试验专用设备盐雾试验只测：样品尺寸＜120cm×60cm×85cm；温度：35℃；沉降率：（1～2）mL/(80cm2·h)

GJB 150.15A-2009 军用装备实验室环境试验方法第15部分：加速度试验专用设备加速度试验只测：程序Ⅰ和程序Ⅱ；负载：＜100kg；加速度范围：1g～100g

GJB 150.16A-2009 军用装备实验室环境试验方法-第16部分：振动试验专用设备振动试验只测：程序Ⅰ；最大负载：800kg；频率范围：（1～2300）Hz；试验正弦峰值推力：54kN；最大位移：100mm（p-p）；最大加速度：80g

GJB 150.18A-2009 军用装备实验室环境试验方法第18部分:冲击试验专用设备冲击试验只测：程序Ⅰ；波形：半正弦；加速度：最大5000m/s2；脉冲持续时间：2ms～30ms；最大负载：300kg ；最大跌落高度：1600mm

GJB 150.24A-2009 军用装备实验室环境试验方法第24部分：温度-湿度-振动-高度试验专用设备综合试验只测：样品尺寸：＜150cm×150cm×150cm；温度范围：-55℃～+85℃，湿度范围：20%RH～95%RH；最大负载：1000kg，频率范围：（2～2000）Hz，试验正弦峰值推力：10000kgf，最大位移：40mm（p-p），最大加速度：70g；压力范围：常压～1000Pa

GJB 150.2A-2009 低气压（高度）试验方法专用设备低气压试验只做：程序Ⅰ和程序Ⅱ；样品尺寸＜100cm×100cm×100cm；压力：常压～-100kPa

GJB 150.3A-2009 军用装备实验室环境试验方法-第3部分：高温试验专用设备高温试验只测：程序Ⅰ和程序Ⅱ；样品尺寸＜450cm×240cm×400cm；温度范围：常温～+150℃

GJB 150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方法-第4部分：低温试验专用设备低温试验只测：程序Ⅰ和程序Ⅱ；样品尺寸＜450cm×240cm×400cm；温度范围：-60℃～常温

GJB 150.5A-2009 军用装备实验室环境试验方法第5部分:温度冲击试验专用设备温度冲击试验只测：程序Ⅰ；两箱法；样品尺寸＜50cm×50cm×60cm ；温度：-55℃～+150℃

GJB 150.9A-2009 军用装备实验室环境试验方法第9部分:湿热试验专用设备湿热试验只测：样品尺寸＜450cm×240cm×400cm ；湿度范围：40%～98%

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法电阻器电阻值只测：1Ω～100MΩ

GJB 65C-2021 有失效率等级的电磁继电器通用规范电磁继电器动作和释放时间只测：1ms～3200s

GJB 65C-2021 有失效率等级的电磁继电器通用规范电磁继电器线圈电阻只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GJB 65C-2021 有失效率等级的电磁继电器通用规范电磁继电器绝缘电阻只测：10kΩ～10GΩ

GJB 65C-2021 有失效率等级的电磁继电器通用规范电磁继电器规定的动作值（吸合电压）只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GJB 65C-2021 有失效率等级的电磁继电器通用规范电磁继电器规定的释放值（释放电压）只测：最大电压±40V；最大电流±10A

GJB 65C-2021 有失效率等级的电磁继电器通用规范电磁继电器静态接触电阻只测：最大电压±40V；最大电流±10A

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC变换器效率只测：三输出；电压：0.2V～80V；电流：0.0002A～10A

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC变换器电压调整率只测：三输出；电压：0.2V～80V；电流：0.0002A～10A

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC变换器电流调整率只测：三输出；电压：0.2V～80V；电流：0.0002A～10A

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC变换器输出电压只测：三输出；电压：0.2V～80V；电流：0.0002A～10A

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC变换器输出纹波电压只测：三输出；电压：0.2V～80V；电流：0.0002A～10A

YS/T 482-2022 铜及铜合金分析方法火花放电原子发射光谱法铜及铜合金镍,锌,铅,铁,硅,铝,锰,锡,磷不做取样，只测：Ni：0.0034%～0.50%、Zn：0.0022%～41.11%、Pb：0.0009%～4.86%、Fe：0.0030%～3.05%、Si：0.0012%～0.086%、Al：0.0008%～9.41%、Mn：0.0015%～0.11%、P：0.0014%～0.171%、Sn：0.0006%～6.38%

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