检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
传输时间
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
动态条件下的总电源电流
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
延迟时间和转换时间
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
建立时间和保持时间
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
数字集成电路的功能检验方法
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
时序电路的转换频率
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入低电平电流
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入嵌位电压
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输入高电平电流
只测：电压：-1V～+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出低电平电压
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出短路电流
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出高电平电压
只测：电压：-1V～+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
输出高阻态电流
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
静态条件下的电源电流
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路
数字集成电路
（输入）阈值电压和滞后电压
只测：电压：-1V~+16.5V；电流：≤48A；最大通道数：1024
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
偏置电压
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
共模抑制比
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
共模输入电压范围
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
基准电压
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
备用电流（静态电流）
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
导通态电流
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
导通时间
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
开环电压放大倍数
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
截止态电流
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
截止时间
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
电源电压抑制比
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
电源电流
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
输入偏置电流
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
输入失调电压
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
输入失调电流
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
输出电压最大变化率
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
输出电压范围
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路
模拟集成电路
静态导通态电阻
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
半导体集成电路（稳压器）
基准电压
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
半导体集成电路（稳压器）
最小输入输出电压差
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
半导体集成电路（稳压器）
热调整率
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
半导体集成电路（稳压器）
电压调整率
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
半导体集成电路（稳压器）
电流调整率
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
半导体集成电路（稳压器）
电源纹波抑制比
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
半导体集成电路（稳压器）
短路电流
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
半导体集成电路（稳压器）
耗散电流
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
半导体集成电路（稳压器）
输出噪声电压
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
半导体集成电路（稳压器）
输出电压
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法
半导体集成电路（稳压器）
输出电压温度系数
只测： 电压：≤850V；电流：≤100A；最大通道数：149
GB/T 4937.4-2012 半导体器件机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）
集成电路
强加速稳态湿热试验（HAST）
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
X射线照相
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
内部目检
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
外形尺寸
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
外部目检
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
密封 粗检漏
只做： 条件C1
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
密封 细检漏
只做： 条件A1、A2、A4
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
恒定加速度
只做: 最大加速度：294000m/s<Sup>2</Sup> 最大负载：5kg
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
温度循环
只做： 容积：380cm×430cm×370cm， 温度：-65℃～+150℃
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
稳定性烘焙
只做： 容积：50cm×55cm×50cm， 最高温度：200℃
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
稳态寿命
只做： 容积：50cm×55cm×50cm， 最高温度：200℃
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
粒子碰撞噪声检测
只做: 最大负载：500g， 频率：25Hz～160Hz， 冲击加速度：1000g， 振动加速度：20g
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
老炼
只做： 容积：50cm×55cm×50cm， 最高温度：200℃
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
耐溶剂性
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
芯片剪切强度
只做:芯片剪切。最大剪切力：芯片推力测试范围可在测试到0～100kg
GJB 2438B-2017 混合集成电路通用规范
混合集成电路
键合强度
只做:破坏性键合拉力。 拉力范围：0～100g；0～1kg；0～10kg
GJB 7704-2012 军用CPU测试方法
CPU电路
功耗测试
只测：电压：-2.5V~+16.5V；电流：≤90A；最大通道数：1320
GJB 7704-2012 军用CPU测试方法
CPU电路
功能测试
只测：电压：-2.5V~+16.5V；电流：≤90A；最大通道数：1320
GJB 7704-2012 军用CPU测试方法
CPU电路
字长测试
只测：电压：-2.5V~+16.5V；电流：≤90A；最大通道数：1320
GJB 7704-2012 军用CPU测试方法
CPU电路
接口测试
只测：电压：-2.5V~+16.5V；电流：≤90A；最大通道数：1320
GJB 7704-2012 军用CPU测试方法
CPU电路
电特性测试
只测：电压：-2.5V~+16.5V；电流：≤90A；最大通道数：1320
GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法
集成电路
X射线检查
特定用户使用
GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法
集成电路
剪切强度
只做: 芯片剪切。最大剪切力：芯片推力测试范围可在0～100kg，特定用户使用
GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法
集成电路
外部目检
特定用户使用
GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法
集成电路
密封
只做： 条件A1、A2、A4、C1 特定用户使用
GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法
集成电路
粒子碰撞噪声检测
只做: 最大负载：500g，频率：25Hz～160Hz，冲击加速度：1000g，振动加速度：20g 特定用户使用
GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法
集成电路
键合强度
只做: 破坏性键合拉力。 拉力范围：0～100g，0～1kg，0～10kg 特定用户使用
GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
集成电路
X射线检查
GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
集成电路
剪切强度
只做: 芯片剪切。最大剪切力：芯片推力测试范围可在0～100kg
GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
集成电路
外部目检
GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
集成电路
密封
只做： 条件A1、A2、A4、C1
GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
集成电路
粒子碰撞噪声检测
只做: 最大负载：500g， 频率：25Hz～160Hz， 冲击加速度：1000g， 振动加速度：20g
GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
集成电路
键合强度
只做: 破坏性键合拉力。 拉力范围：0～100g，0～1kg，0～10kg
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
X射线照相
特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
内部目检和结构检查
特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
内部目检（单片）
特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
内部目检（混合电路）
特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
外形尺寸
特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
外部目检
特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
密封
只做： 条件A1、A2、A4、C1 特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
恒定加速度
只做: 最大加速度：294000m/s<Sup>2</Sup>，最大负载：5kg 特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
温度循环
只做： 容积：380cm×430cm×370cm，温度：-65℃～+150℃ 特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
热冲击
只测：条件B，特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
盐雾试验
特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
稳定性烘焙
只做： 容积：50cm×55cm×50cm，最高温度：200℃ 特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
稳态寿命
只做： 容积： 50cm×55cm×50cm，最高温度：200℃ 特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
粒子碰撞噪声检测试验
只做: 最大负载：500g，频率：25Hz～160Hz，冲击加速度：1000g，振动加速度：20g 特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
老炼试验
只做： 容积：50cm×55cm×50cm ，最高温度：200℃ 特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
耐湿
特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
耐溶剂性
特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
芯片剪切强度
只做: 芯片剪切。最大剪切力：芯片推力测试范围可在0～100kg，特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
芯片粘接的超声检测
只做: 最大扫描区域：x,y,z方向，最小:0.25mm×0.25mm，最大:305mm×305mm，超声波探头频率：0～230MHz 特定用户使用
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
集成电路
键合强度（破坏性键合拉力试验）
只做: 拉力范围：0～100g，0～1kg，0～10kg 特定用户使用
GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序
集成电路
X射线照相
GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序
集成电路
内部目检和结构检查
GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序
集成电路
内部目检（单片）