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广东中科晟测控技术有限公司

CNAS实验室认可 active 广东省 · 东莞市

CNAS认可证书	L23698
机构地址	广东省东莞市松山湖园区工业南路6号1栋103、105、106、109室
发证机关	CNAS
联系电话	076****18118 完整号码请咨询获取

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📋 广东中科晟测控技术有限公司 CNAS 检测能力

共 46 项认可能力

检测标准检测对象参数 / 项目限制说明

GJB 1032A-2020 电子产品环境应力筛选方法电子元器件环境应力筛选只测:温度 -55℃～+150℃，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法密封电子元器件温度循环（空气-空气）只测:条件A、B和G，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法密封电子元器件老炼只测:晶体管；温度 25℃～175℃，电压：5V～2000V; 漏电流：1uA～30.0mA；样品尺寸≤W590mm×D595mm×H550mm

GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法密封电子元器件老炼只测:二极管；温度 25℃～175℃，电压：5V～2000V; 漏电流：1uA～30.0mA；样品尺寸≤W590mm×D595mm×H550mm

GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法密封电子元器件老炼和寿命只测:IGBT和MOSFET；条件A、B和D；电压：-60V～60V; 漏电流：1uA～30.0mA；样品尺寸≤W590mm×D595mm×H550mm

GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法密封电子元器件耐湿只测:温度:25℃～65℃，湿度: 80％RH～100％RH，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm；不做低温及振动辅助循环

GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法密封电子元器件间歇工作寿命只测: 温度： 25℃～200℃；电流≤15A；电压≤60V，样品尺寸≤W640mm×D575mm×H1000mm

GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法密封电子元器件高温寿命只测: 温度:+25℃～+200℃，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法电子元器件温度冲击只测:条件A和B，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法电子元器件稳态湿热只测:条件A、B、C和D，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法电子元器件耐湿只测:温度:25℃～65℃，湿度: 80％RH～100％RH，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm；不做低温及振动辅助循环

GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法电子元器件高温寿命只测: 温度:+25℃～+200℃，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序电子元器件温度循环只测:条件A和B，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序电子元器件稳定性烘焙只测:条件A、B、C和D，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序电子元器件耐湿只测:温度:25℃～65℃，湿度: 80％RH～100％RH，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm；不做低温及振动辅助循环

IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT) 绝缘栅双极晶体管栅极-发射极阈值电压只测: 集电极-发射极电流Ic≤10A；样品尺寸≤W50mm×D50mm×H50mm

IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT) 绝缘栅双极晶体管栅极漏电流只测:栅极电压VG≤50V，电流≤10μA；样品尺寸≤W50mm×D50mm×H50mm

IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT) 绝缘栅双极晶体管集电极-发射极电压只测:栅极电压VG≤50V，集电极电流Ic≤500A；样品尺寸≤W50mm×D50mm×H50mm

IEC 60747-9:2019 半导体器件—第9部分：分立器件—绝缘栅双极晶体管(IGBT) 绝缘栅双极晶体管集电极截止电流只测: 集电极-发射极电压VCE≤4000V；样品尺寸≤W50mm×D50mm×H50mm

IEC 60749-25:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第25部分：温度循环电子元器件温度循环只测:条件A、B、G、H、L和M，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

IEC 60749-34:2010 半导体器件—机械和气候试验方法—第34部分：电源循环电子元器件功率循环只测: 温度：25℃～200℃；电流：≤1000A；电压：≤10V，样品尺寸≤W840mm×D300mm×H160mm

IEC 60749-5:2023 半导体器件-机械和气候测试方法第5部分：稳态温度湿度偏置寿命测试电子元器件稳态温度-湿度偏置寿命只测: 温度25℃～85℃，湿度: 20％RH～98％RH，电压：30V～1500V；漏电流：1uA～30.0mA，样品尺寸≤W590mm×D595mm×H550mm

IEC 60749-6:2017 半导体器件.机械和气候试验方法.第6部分：高温储存电子元器件高温存储只测:条件A、B、C和D，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

JESD22-A100E:2020 温度湿度偏置与表面凝露循环寿命测试电子元器件凝露试验只测: 温度30℃～65℃，湿度: 20％RH～98％RH，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

JESD22-A101D.01:2021 恒定温湿度偏压寿命试验电子元器件稳态温度-湿度偏置寿命只测: 温度25℃～85℃，湿度: 20％RH～98％RH，电压：30V～1500V；漏电流：1uA～30.0mA，样品尺寸≤W590mm×D595mm×H550mm

JESD22-A103E.01:2021 高温存储寿命测试电子元器件高温存储只测:条件A、B、C和D，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

JESD22-A104F.01:2023 温度循环电子元器件温度循环只测:条件A、B、G、H、M和N，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

JESD22-A108G:2022 高温工作寿命试验电子元器件高温反向偏压只测: 25℃～200℃；电压：5V～2000V;漏电流：1uA～30.0mA，样品尺寸≤W590mm×D595mm×H550mm

JESD22-A108G:2022 高温工作寿命试验电子元器件高温栅偏只测: 温度25℃～200℃；电压：-60V～60V;漏电流：1uA～1.0mA，样品尺寸≤W590mm×D595mm×H550mm

JESD22-A119A:2021 低温存储寿命电子元器件低温存储寿命只测:条件A、B和C，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

MIL-STD-202H:2015 电子及电气元件试验方法电子元器件温度冲击只测:条件A和B，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

MIL-STD-202H:2015 电子及电气元件试验方法电子元器件稳态湿热只测:条件A、B、C和D，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

MIL-STD-202H:2015 电子及电气元件试验方法电子元器件耐湿只测:温度:25℃～65℃，湿度: 80％RH～100％RH，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm；不做低温及振动辅助循环

MIL-STD-202H:2015 电子及电气元件试验方法电子元器件高温寿命只测: 温度:+25℃～+200℃，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

MIL-STD-750-1B:2022 国防部试验方法标准半导体器件环境试验方法电子元器件温度循环（空气-空气）只测:条件A、B和G，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

MIL-STD-750-1B:2022 国防部试验方法标准半导体器件环境试验方法电子元器件老炼只测:晶体管；温度 25℃～175℃，电压：5V～2000V; 漏电流：1uA～30.0mA；样品尺寸≤W590mm×D595mm×H550mm

MIL-STD-750-1B:2022 国防部试验方法标准半导体器件环境试验方法电子元器件老炼只测:二极管；温度 25℃～175℃，电压：5V～2000V; 漏电流：1uA～30.0mA；样品尺寸≤W590mm×D595mm×H550mm

MIL-STD-750-1B:2022 国防部试验方法标准半导体器件环境试验方法电子元器件老炼和寿命只测:IGBT和MOSFET；条件A、B和D；电压：-60V～60V; 漏电流：1uA～30.0mA；样品尺寸≤W590mm×D595mm×H550mm

MIL-STD-750-1B:2022 国防部试验方法标准半导体器件环境试验方法电子元器件耐湿只测:温度:25℃～65℃，湿度: 80％RH～100％RH，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm；不做低温及振动辅助循环

MIL-STD-750-1B:2022 国防部试验方法标准半导体器件环境试验方法电子元器件间歇工作寿命只测: 温度： 25℃～200℃；电流≤15A；电压≤60V，样品尺寸≤W640mm×D575mm×H1000mm

MIL-STD-750-1B:2022 国防部试验方法标准半导体器件环境试验方法电子元器件高温寿命只测: 温度:+25℃～+200℃，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

MIL-STD-883-1 w/CHANGE 1:2021 微电子器件环境试验方法第1部分：试验方法1000-1999 电子元器件温度循环只测:条件A和B，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

MIL-STD-883-1 w/CHANGE 1:2021 微电子器件环境试验方法第1部分：试验方法1000-1999 电子元器件稳定性烘焙只测:条件A、B、C和D，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm

MIL-STD-883-1 w/CHANGE 1:2021 微电子器件环境试验方法第1部分：试验方法1000-1999 电子元器件耐湿只测:温度:25℃～65℃，湿度: 80％RH～100％RH，样品尺寸≤W760mm×D780mm×H815mm；不做低温及振动辅助循环

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