检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
AEC-Q101-003-REV-A:2025 焊线剪切试验
半导体器件
剪切试验
GB/T 11446.7-2013 电子级水中痕量阴离子的离子色谱测试方法
电子和半导体工业用超纯水
氟离子、氯离子、溴离子、硝酸根、硫酸根
GB/T 16594-2008 微米级长度的扫描电镜测量方法通则
半导体器件
扫描电子显微镜分析
GB/T 16594-2008 微米级长度的扫描电镜测量方法通则
半导体器件
扫描电子显微镜分析
GB/T 16594-2008 微米级长度的扫描电镜测量方法通则
半导体器件
扫描电子显微镜分析
GB/T 17359-2012 微束分析 能谱法定量分析
半导体器件
微束分析
JY/T 0584-2020 7.3.2引用的方法标准，只测：无标样分析
GB/T 17359-2023 微束分析 原子序数不小于11的元素能谱法定量分析
半导体器件
微束分析
GB/T 17359-2023 微束分析 原子序数不小于11的元素能谱法定量分析
半导体器件
微束分析
GB/T 20307-2006 纳米级长度的扫描电镜测量方法通则
半导体器件
扫描电子显微镜分析
GB/T 20307-2006 纳米级长度的扫描电镜测量方法通则
半导体器件
扫描电子显微镜分析
GB/T 20307-2006 纳米级长度的扫描电镜测量方法通则
半导体器件
扫描电子显微镜分析
GB/T 20307-2006 纳米级长度的扫描电镜测量方法通则
半导体器件
扫描电子显微镜分析
GB/T 20307-2006 纳米级长度的扫描电镜测量方法通则
半导体器件
扫描电子显微镜分析
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
半导体器件
高温存储寿命试验(HTSL)
只测：温度：50℃~300℃；箱体内部尺寸：800mm*800mm*800mm（W*D*H）
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
半导体器件
外形尺寸
JESD22-A101D.01:2021 恒定温湿度偏压寿命试验
半导体器件
稳态温湿度偏置寿命试验(H3TRB)
只测：温度：室温~150℃；湿度：25%RH~98%RH；电压：0~2000V；电压：-60V ~ 60V；箱体内部尺寸：600mm*800mm*850mm（W*D*H）
JESD22-A103E.01:2021 高温存储寿命测试
半导体器件
高温存储寿命试验(HTSL)
只测：温度：50℃~300℃；箱体内部尺寸：800mm*800mm*800mm（W*D*H）
JESD22-A104F.01:2023 温度循环
半导体器件
温度循环试验(TC)
只测：温度范围：-70℃~180℃；箱体内部尺寸：1000mm*800mm*1000mm（W*D*H）
JESD22-A108G:2022 高温工作寿命试验
半导体器件
高温栅偏试验(HTGB)
只测：温度：85℃~175℃；电压：-60V~60V；箱体内部尺寸：600mm*600mm*600mm（W*D*H）
JESD22-A118B.01:2021 加速抗湿-无偏压高加速温湿度应力试验
半导体器件
加速抗湿性无偏置电压HAST(UHAST)
只测：温湿度：130℃/85%RH；箱体内部尺寸：420mm*657mm（ϕ*D）
JESD22-A119A:2015 低温存储寿命测试
半导体器件
低温存储寿命试验(LTSL)
只测：温度：-70℃~150℃；箱体内部尺寸：600mm*800mm*830mm（W*D*H）
JY/T 0584-2020 扫描电子显微镜分析方法通则
半导体器件
微束分析
JY/T 0584-2020 扫描电子显微镜分析方法通则
半导体器件
微束分析
JY/T 0584-2020 扫描电子显微镜分析方法通则
半导体器件
微束分析
只测：B5~U92
JY/T 0584-2020 扫描电子显微镜分析方法通则
半导体器件
微束分析
只测：B5~U92
MIL-STD-750-1B w/CHANGE 2:2023 半导体器件的环境试验方法 第1部分:试验方法1000至1999
半导体器件
高温反偏试验(HTRB)
只测：温度：85℃~175℃；电压：0~2000V；箱体内部尺寸：600mm*600mm*600mm（W*D*H）
MIL-STD-750-1B w/CHANGE 2:2023 半导体器件的环境试验方法 第1部分:试验方法1000至1999
半导体器件
高温反偏试验(HTRB)
只测：温度：85℃~175℃；电压：0~2000V；箱体内部尺寸：600mm*600mm*600mm（W*D*H）
MIL-STD-750-2B w/CHANGE 3:2025 半导体器件的机械试验方法 第2部分：试验方法2001至2999
半导体器件
剪切试验
只测：试验条件A
MIL-STD-750-2B w/CHANGE 3:2025 半导体器件的机械试验方法 第2部分：试验方法2001至2999
半导体器件
键合强度试验
只测：试验条件D
SJ/T 11637-2016 电子化学品 电感耦合等离子体质谱法通则
电子化学品
钛、钒、铬、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钽、钨、铅