检测标准
检测对象
参数 / 项目
限制说明
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
半导体器件
高温测试
只测：容积600mm*600mm*900mm；温度≤200℃
GB/T 2423.2-2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
集成电路
高温测试
只测：容积600mm*600mm*900mm；温度≤200℃
GB/T 2423.28-2005 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验T:锡焊
半导体器件
锡焊测试
只测：试验Ta 导线和引出端的可焊性（方法1：温度为235℃的焊槽，老化方法3）
GB/T 2423.28-2005 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验T:锡焊
集成电路
锡焊测试
只测：试验Ta 导线和引出端的可焊性（方法1：温度为235℃的焊槽，老化方法3）
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
反向漏电流
只测：≥100nA
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法 密封
半导体器件
正向电压
只测： ≤10V
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
半导体器件
MOS场效应晶体管阈值电压
只测： DC电压： 0V～20V
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
半导体器件
X射线检查
只测：拍照检查
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
半导体器件
内部目检和结构检查
只测：(70-7000)倍
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
半导体器件
外形尺寸
只测(0-150)mm
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
半导体器件
外部目检
只测(0.6-10)倍
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
集成电路
X射线检查
只测：拍照检查
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
集成电路
内部目检和结构检查
只测：(70-7000)倍
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
集成电路
外形尺寸
只测：(0-150)mm
GJB 548C-2021 微电子器件试验方法与程序
集成电路
外部目检
只测：(0.6-10)倍
IEC 62321-3-1:2013 电子电气产品中某些物质的测定 第3-1部分：X射线荧光光谱法筛选铅、汞、镉、总铬和总溴
半导体器件
铅、汞、镉、总铬和总溴
只测：7.2非破坏性方法
IEC 62321-3-1:2013 电子电气产品中某些物质的测定 第3-1部分：X射线荧光光谱法筛选铅、汞、镉、总铬和总溴
集成电路
铅、汞、镉、总铬和总溴
只测：7.2非破坏性方法