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北京华创七星微电子股份有限公司实验室

CNAS实验室认可 active 北京市 · 北京市

CNAS认可证书	L17832
机构地址	北京市平谷区马坊镇马坊大街32号院9号楼
发证机关	CNAS
联系电话	010****5872 完整号码请咨询获取

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📋 北京华创七星微电子股份有限公司实验室 CNAS 检测能力

共 82 项认可能力

检测标准检测对象参数 / 项目限制说明

GB/T4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法半导体集成电路电压调整器基准电压只测：(-50～+50)V。

GB/T4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法半导体集成电路电压调整器最小输入输出电压差只测：151μV～60V。

GB/T4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法半导体集成电路电压调整器电压调整率

GB/T4377-2018 半导体集成电路电压调整器测试方法半导体集成电路电压调整器电流调整率

GB/T4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法电子元器件外观目检只测：放大倍数：（6.7～45）倍。

GB/T4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法电子元器件易燃性只做内部易燃性

GB/T4937.3-2012 半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检电子元器件外观目检只测：放大倍数：（6.7～45）倍。

GB/T4937.4-2012 半导体器件机械和气候试验方法第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST) 电子元器件强加速稳态湿热只测：温度（130±2）℃或（110±2）℃，湿度：85%RH。

GJB10163-2021 塑封集成电路的潮湿敏感度分级试验方法电子元器件吸潮只测：温度：30或60℃，湿度：60%RH。

GJB360B-2009 电子及电气元件试验方法电子元器件可焊性只测：焊槽法：温度范围:(0～250)℃。烙铁法：温度范围:(0～350)℃。

GJB360B-2009 电子及电气元件试验方法电子元器件稳态湿热只测：温度：(40±2)℃，湿度：90%RH～95%RH。

GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件 X射线检查只测：几何放大倍数<2000；样品重量<5kg；样品最大尺寸：（440×550）mm2。仅限特定用户特定产品。

GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件内部目检只测：放大倍数：（10～100）倍。仅限特定用户特定产品。

GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件剪切强度只测：测量范围：(0～98000)m/s2,芯片推力<100kg。仅限特定用户特定产品。

GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件外观目检只测：放大倍数：（6.7～45）倍。仅限特定用户特定产品。

GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件密封性检查只测：有空腔的密封型电子元器件且直径：≤150mm。仅限特定用户特定产品。

GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件粒子碰撞噪声检测只测：有空腔的密封型电子元器件且质量≤400g。仅限特定用户特定产品。

GJB4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件键合强度只测：测量范围：(0～98000)m/s2,钩针拉力<10kg。仅限特定用户特定产品。

GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件 X射线检查只测：几何放大倍数<2000；样品重量<5kg；样品最大尺寸：（440×550）mm2。

GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件内部目检只测：放大倍数：（10～100）倍。

GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件剪切强度只测：测量范围：(0～98000)m/s2,芯片推力<100kg。

GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件外观目检只测：放大倍数：（6.7～45）倍。

GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件密封性检查只测：有空腔的密封型电子元器件且直径：≤150mm。

GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件粒子碰撞噪声检测只测：有空腔的密封型电子元器件且质量≤400g。

GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法电子元器件键合强度只测：测量范围：(0～98000)m/s2,钩针拉力<10kg。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件 X射线检查只测：几何放大倍数<2000；样品重量<5kg；样品最大尺寸：（440×550）mm2.仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件内部目检只测：放大倍数：（10～100）倍。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件剪切强度只测：测量范围：(0～98000)m/s2,芯片推力<100kg。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件可焊性只测：温度范围：（0～250）℃。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件外形尺寸只测:（0～150）mm。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件外观目检只测：放大倍数：（6.7～45）倍。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件密封性检查只测：有空腔的密封型电子元器件且直径：≤150mm；试验条件A、C。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件引线涂覆附着力仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件恒定加速度只测：加速度：（3000～30000）g。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件扫频振动只测：额定正弦推力5.88kN，工作频率范围（5～5000）Hz，最大位移51mm（p-p），最大加速度980m/s/，额定载荷200kg，台面直径200mm。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件机械冲击只测：加速度：（50～1500）g。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件温度循环只测：温度范围：（-65～+150）℃。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件热冲击只测：温度范围：(-65～+150)℃；箱体内部尺寸650mm*460mm*670mm。产品尺寸小于100mm*50mm*20mm。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件盐雾只测：盐溶液浓度范围：0.5%～3.0%；产品尺寸不大于100mm*50mm*50mm。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件稳定性烘培只测：温度范围：（75～150）℃；箱体内部尺寸400mm*375mm*400mm。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件稳态寿命只测：温度范围：（80～150）℃；箱体内部尺寸600mm*900mm*600mm。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件粒子碰撞噪声检测只测：有空腔的密封型电子元器件且质量≤400g。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件绝缘电阻只测:200kΩ～90GΩ。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件老炼只测：温度范围：（室温～150）℃；箱体内部尺寸600mm*900mm*600mm。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件芯片粘接的超声检测只测：产品尺寸小于100mm*50mm*20mm，放大倍数25倍、30倍、35倍、110倍，仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件键合强度只测：测量范围：(0～98000)m/s2,钩针拉力<10kg。仅限特定用户特定产品。

GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序电子元器件随机振动只测：额定正弦推力5.88kN，工作频率范围（5～5000）Hz，最大位移51mm（p-p），最大加速度980m/s/，额定载荷200kg，台面直径200mm。仅限特定用户特定产品。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件 X射线检查只测：几何放大倍数<2000；样品重量<5kg；样品最大尺寸：(440×550)mm2。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件内部目检只测：放大倍数：（10～100）倍。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件剪切强度只测：测量范围：(0～98000)m/s2,芯片推力<100kg。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件可焊性只测：温度范围：（0～250）℃。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件外形尺寸只测:（0～150）mm。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件外观目检只测：放大倍数：（6.7～45）倍。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件密封性检查只测：有空腔的密封型电子元器件且直径：≤150mm；试验条件A、C。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件引线涂覆附着力

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件恒定加速度只测：加速度：（3000～30000）g。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件扫频振动只测：额定正弦推力5.88kN，工作频率范围（5～5000）Hz，最大位移51mm（p-p），最大加速度980m/s/，额定载荷200kg，台面直径200mm。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件机械冲击只测：加速度：（50～1500）g。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件温度循环只测：温度范围：（-65～+150）℃。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件热冲击只测：温度范围：(-65～+150)℃；箱体内部尺寸650mm*460mm*670mm。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件盐雾只测：盐溶液浓度范围：0.5%～3.0%；产品尺寸不大于100mm*50mm*50mm。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件稳定性烘培只测：温度范围：（65～150）℃；箱体内部尺寸400mm*375mm*400mm。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件稳态寿命只测：温度范围：（80～150）℃；箱体内部尺寸600mm*900mm*600mm。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件粒子碰撞噪声检测只测：有空腔的密封型电子元器件且质量≤400g。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件绝缘电阻只测:200kΩ～90GΩ。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件老炼只测：温度范围：（室温～150）℃；箱体内部尺寸600mm*900mm*600mm。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件耐焊接热只测：试验条件A、B。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件芯片粘接的超声检测只测：产品尺寸小于100mm*50mm*20mm，放大倍数25倍、30倍、35倍、110倍。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件键合强度只测：测量范围：(0～98000)m/s2,钩针拉力<10kg。

GJB548C-2021 微电子器件试验方法和程序电子元器件随机振动只测：额定正弦推力5.88kN，工作频率范围（5～5000）Hz，最大位移51mm（p-p），最大加速度980m/s/，额定载荷200kg，台面直径200mm。

GJB7400-2011 合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范电子元器件高压蒸煮只测：压力2bar；温度：(60～130)℃；湿度：85%RH～100RH。。

GJB7677-2012 球栅阵列（BGA）试验方法电子元器件焊球剪切只测：焊球直径0.4mm～0.8mm。

SJ/T10745-1996 半导体集成电路机械和气候试验方法电子元器件高压蒸汽只测：压力2bar；温度：(60～130)℃；湿度：85%RH～100RH。仅限特定用户特定产品。

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC电源模块开关频率只测:≤100MHz。

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC电源模块效率

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC电源模块电压调整率只测：（-60～+100）V。

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC电源模块电流调整率（-60～+60）A，（-60～+100）V。

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC电源模块绝缘电阻只测：200kΩ～90GΩ。

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC电源模块输入电流只测：（1～60）A。

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC电源模块输出电压只测：（-60～+100）V。

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC电源模块输出电流只测：（-60～+60）A。

SJ20646-97 混合集成电路DC/DC变换器测试方法混合集成电路DC/DC电源模块输出纹波电压（输出纹波噪声）只测：（-60～+100）V。

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